1. Podstawowe typy wzmacniaczy jako źródła sterowane

2. Narysuj kształt sygnału na wyjściu jednobiegunowego układu dolnoprzepustowego górnoprzepustowego pobudzonego impulsem prostokątnym i podaj warunek aby zminimalizować zniekształcenia

3. Właściwości idealnego wzmacniacza operacyjnego

4. Charakterystyczne parametry rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych

5. Na czym polega zasada pozornego zwarcia

6. CO to jest slew-rate i pasmo mocy oraz podaj wzór na maks. Amplitudę sygnału bez zniekształceń

7. podaj schemat i opis wzmacniacza operacyjnego w układzie: wzmacniacza odwracającego, nieodwracającego, integratora, układu różniczkującego, sumatora, konwertera ujemnoimpedacyjnego

8. Podaj warunek małosygnalowości dla tranzystora JFET

9. Podaj wzór na wartość prądu drenu tranzystora JFET w zakresie nasycenia

10. Narysuj charakterystyki wyjściowe i przejściowe tranzystora JFET

11. Podaj układy zasilania(polaryzacji) tranzystora JFET

12. Jakie są różnice w charakterystykach tranzystora JFET i MOSFET z kanałem wbudowanym

13. Jaka jest budowa tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym i wbudowanym -na czym polega różnica

14. Podaj możliwe zakresy pracy tranzystora MOSFET z kanałem wbudowanym

15. Podaj możliwe zakresy pracy tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym

16. Podaj warunek małosygnałowości dla tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym

17. Jakie są różnice w pracy tranzystora w zakresach omowym, rezystywnym i triodowym oraz jakie są różnice w pracy tranzystora w zakresach nasycenia i pentodowym

18. Wyprowadź wzór dla TPD dla JFETa

19. Jaki jest schemat układu polaryzacji tranzystora MOSFET zapewniającego pracę w zakresie nasycenia i dla jakiego typu tranzystorów może być stosowany

20. Korzystając z modelu wielkosygnałowego wyprowadź zależność na wartość transkonduktancji i rezystancji wyjściowej zastępczego modelu małosygnałowego dla tranzystora MOSFET z kanałem wbudowanym

21. Korzystając z modelu wielkosygnałowego wyprowadź zależność na wartość transkonduktancji i rezystancji wyjściowej zastępczego modelu małosygnałowego dla tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym

22. Narysuj charakterystyki wyjściowe i przejściowe tranzystora MOSFET z kanałem wbudowanym

23. Podaj wzór na wartość prądu drenu tranzystora MOSFET w zakresie nasycenia oraz warunek pozostania tranzystora w tym zakresie

24. Narysuj charakterystyki wyjściowe i przejściowe tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym

25. Podaj zastępczy model małosygnałowy tranzystora MOSFET z kanałem wbudowanym

26. Podaj zastępczy model małosygnałowy tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym

27. Według jakiego kryterium wyróżniamy konfiguracje pracy tranzystora

28. Narysuj model transportowy tranzystora BJT i podaj z czego on wynika

29. Jakie są zakresy pracy tranzystora BJT

30. Narysuj typowe charakterystyki wyjściowe tranzystora BJT

31. NA płaszczyźnie Vbe-Vbc oznacz możliwe zakresy pracy tranzystora BJT

32. Podaj zastępczy model małosygnałowy tranzystora BJT typu Pi

33. Podaj zastępczy model małosygnałowy tranzystora BJT typu T

34. Podaj warunek małosygnałowości tranzystora BJT

35. Dla jakiego układu stosuje się zasadę masy pozornej

36. Do jakiego układu można uprościć parę różnicową przy pobudzeniu różnicowym

37. Do jakiego układu można uprościć parę różnicową przy pobudzeniu sumacyjnym

38. Podaj warunek małosygnałowości dla bipolarnej pary różnicowej

39. Czy podanie sygnału różnicowego względnie dużej wartości do pary różnicowej powoduje wejście tranzystorów w zakres nasycenia

40. Podaj schemat i podstawowe zależności dla źródła prądowego typu lustro

41. W jaki sposób można uzyskać różne wartości prądów odniesienia i wyjściowego w źródle typu lustro

42. Podaj schemat i podstawowe zależności dla źródła prądowego typu Widlara

43. Które źródło prądowe umożliwia realizację prądu znacznie mniejszego od prądu odniesienia

44. Podaj definicję współczynnika CMRR

45. W jakie sposób wpływa rezystancja źródła na współczynnik CMRR pary różnicowej

46. CO powoduje powstanie offsetu napięciowego na wejściu pary różnicowej

47. CO wpływa na offset prądowy pary różnicowej na tranzystorach MOSFET

48. Które elementy wzmacniaczy tranzystorowych mają istotny wpływ na ograniczenie charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza w zakresie niskich częstotliwości

49. Które elementy wzmacniaczy tranzystorowych mają istotny wpływ na ograniczenie charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza w zakresie wysokich częstotliwości

50. Podaj tw Milleta w kontekście przekształcenia impedancji sprzęgającej do wejściowej i wyjściowej

51. Dla jakich konfiguracji pracy tranzystorów wykorzystuje się tw Millera do wzmacniacza częstotliwości granicznej

52. Jakie konfiguracje pracy tranzystorów bipolarnych mają wysoką częstotliwość graniczną górną

53. Porównaj układ kaskody CE pod względem wartości parametrów

54. Podaj metodę superpozycji dla szacowania pulsacji granicznej górnej

55. Podaj metodę superpozycji dla szacowania pulsacji granicznej dolnej

56. Podaj model zastępczy małosygnałowy tranzystora BJT dla zakresu w.cz

57. Podaj model zastępczy małosygnałowy tranzystora MOS i JFET dla zakresu w.cz

58. Opisz zalety i wady ujemnego sprzężenia zwrotnego

59. Narysuj ogólny schemat ujemnego sprzężenia zwrotnego i scharakteryzuj typy sprzężenia

60. Dla jakich typów ujemnego sprzężenia zwrotnego oporność wejściowa wzrasta a dla jakich wzrasta oporność wyjściowa

61. CO należy uwzględnić przy obliczaniu zmodyfikowanej wartości wzmocnienia A dla otwartej pętli sprzężenia zwrotnego

62. Podaj kryterium Bodego stabilności układów z ujemnym sprzężeniem zwrotnym

---