AKADEMIA TECHNICZNO - ROLNICZA W BYDGOSZCZY
INSTYTUT ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI
Laboratorium Elementów i Układów Elektornicznych
Zakład Podstaw Elektroniki			Imię i nazwisko :
Ćwicz. nr 3. Temat : Wtórnik emiterowy.			1. Artur Knioła 2. Maciej Bonin
Data wyk. ćw. 14.10.1996 r.	Data oddania spr. 28.10.1996 r.	Ocena	Grupa L4	Semestr V

1. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościmi układów wtórnikowych zbudowanych na tranzystorach bipolarnych.

2. Schematy układów pomiarowych.

2.1 Schemat układu nr 1.

+24V

R2

C1 1M3

1u5 T2

U_i BC107

U_o

R1 R5 C2

1M8 2k2 25uF

2.2 Schemat układu nr 2.

+24V

R3

1M3

C1 R3

1u5

U_i T1

910k BC107 T2

BC107

U_o

R1 C2

1M8 R5 25uF

2k2

2.3 Schemat układu nr 3.

+24V

R1

1M3

C1

1u5 R3

T1

U_i BC107

T2

BC107

U_o

R1 C3 R5 C2

1M8 3u3 2k2 25uF

3. Wyniki wykonanych pomiarów.

3.1 Pomiary dla układu pierwszego.

		Wzmocnienie napięciowe		Rezystancja wejściowa		Rezystancja wyjściowa
Często -		Ui	Uo	Ui'	Ui''	Uo'	Uo''
tliwość		mV	mV	mV	mV	mV	mV
f = 1	kHz	100,1	108,4	100,3	41,35	110,2	76,34
f = 10	kHz	100,7	106,4	101,4	41,43	106,9	68,41

3.2 Pomiary dla układu drugiego.

		Wzmocnienie napięciowe		Rezystancja wejściowa		Rezystancja wyjściowa
Często -		Ui	Uo	Ui'	Ui''	Uo'	Uo''
tliwość		mV	mV	mV	mV	mV	mV
f = 1	kHz	99,97	99,55	100,0	18,98	99,55	65,39
f = 10	kHz	100,0	99,71	100,0	16,72	99,73	67,20

3.3 Pomiary dla układu trzeciego.

		Wzmocnienie napięciowe		Rezystancja wejściowa		Rezystancja wyjściowa
Często -		Ui	Uo	Ui'	Ui''	Uo'	Uo''
tliwość		mV	mV	mV	mV	mV	mV
f = 1	kHz	99,97	99,54	99,98	30,32	99,52	64,71
f = 10	kHz	99,97	99,70	100,2	30,85	99.79	67,10

4. Opracowanie wyników.

4.1 Wyniki dla układu pierwszego.

	KU	RI	RO
Częstotliwość	-	kΩ	Ω
f = 1 [kHz]	1,083	189,4	74,27
f = 10 [kHz]	1,054	186,5	58,63

4.2 Wyniki dla układu drugiego.

	KU	RI	RO
Częstotliwość	-	kΩ	Ω
f = 1 [kHz]	0,996	351,4	63,17
f = 10 [kHz]	0,997	301,2	68,17

4.3 Wyniki dla układu trzeciego.

	KU	RI	RO
Częstotliwość	-	kΩ	Ω
f = 1 [kHz]	0,996	4352	61,34
f = 10 [kHz]	0,997	4448	67,74

4.4 Wzory i przykładowe obliczenia.

a) Wzmocnienie napięciowe

b) Rezystancja wejściowa < R = 10MΩ >

c) Rezystancja wyjściowa < R = 33Ω >

5. Porównanie układów.

5.1 Porównanie dla częstotliwości f = 1 kHz.

	KU [ - ]	RI [ kΩ ]	RO[ Ω ]
układ pierwszy	1,084	189,4	74,27
układ drugi	0,996	351,3	64,68
uklad trzeci	0,996	4352	61,35

5.2 Porównanie dla częstotliwości f = 10 kHz.

	KU [ - ]	RI [ kΩ ]	RO[ Ω ]
układ pierwszy	1,056	186,6	58,63
układ drugi	0,997	301,0	68,17
uklad trzeci	0,997	4451	67,74

6. Teoretyczne wyznaczenie parametrów układów.

Parametry zastępcze tranzystora:

h_11E = 2 kΩ; h_12E = 160; h_21E = 160; h_22E = 50 μS;

Wartości rezystorów:

R₁ = 1,8MΩ; R₂ = 1,3MΩ; R₃ = 910kΩ; R5 = 2,2kΩ;

Wartość rezystancji generatora:

R_g = 600Ω

6.1 Układ pierwszy.

6.2 Układ drugi i trzeci.

7. Wnioski.

Wzmocnienie napięciowe badanych układów było w przybliżeniu równe i nie zależało od częstotliwości - zależy głównie od parametru h₂₁.

Rezystancja wejściowa była najmniejsza dla układu pierwszego, natomiast największa dla układu trzeciego.

W układzie trzecim częstotliwość ma największy wpływ na rezystancję wejściową - obecność kondensatora C₃.

---