UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNO-PRZYRODNICZY W BYDGOSZCZY Instytut Telekomunikacji i Elektrotechniki
ZAKŁAD PODSTAW ELEKTRONIKI			Imię i nazwisko:
LABORATORIUM ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
Ćwiczenie nr 1 Temat: Wtórnik emiterowy
Data wykonania ćw: 7.10.2008	Data oddania spr: 14.10.2008	Ocena:	Kierunek: TiE

Cel ćwiczenia

Zapoznanie się z podstawowymi właściwościami układów wtórnikowych

zbudowanych na tranzystorach bipolarnych.

Spis przyrządów

• Woltomierz cyfrowy x2

• generator przebiegów sinusoidalnych

Opracowanie wyników pomiarów

1. Obliczanie K_u R_i oraz R_o dla częstotliowści 1 kHz i 10 kHz

Wzory i przykłady obliczeń:

• Wzmocnienie napięciowe:
  
  
  Np.
  

• Rezystancja wejściowa:
  
  
  Np.
  

• Rezystancja wejściowa met. kompensacyjną
  
  
  
  R_i=32900
  

• Rezystancja wyjściowa
  
  

1.1 Dla 1 układu pomiarowego

Schemat układu pomiarowego

		f=1kHz	f=10kHz
Ku		0,9789	0.9740
Ri[Ω]	Badane przy R11=1,5MΩ	35 371	36 026
		Badane przy R12=470kΩ	35 971	35 574
		Badane przy R13=44kΩ	34 543	33 906
Ri - dek. [Ω]		32 900	32 500
Ro[Ω]		8.754	8.764

1. Dla 2 układu pomiarowego
   

		f=1kHz	f=10kHz
Ku		0.9830	0.9808
Ri[Ω]	Badane przy R11=1,5MΩ	872 486	784 006
		Badane przy R12=470kΩ	864 517	785 467
		Badane przy R13=44kΩ	761 438	706 372
Ri - dek. [Ω]		736 000	551 000
Ro[Ω]		4.722	4.995

2. Dla 3 układu pomiarowego
   

Schemat układu pomiarowego

		f=1kHz	f=10kHz
Ku		0.9848	0.9812
Ri[Ω]	Badane przy R11=1,5MΩ	6 344 197	2 964 946
		Badane przy R12=470kΩ	5 664 868	3 653 220
		Badane przy R13=44kΩ	2 105 465	2 276 172
Ri - dek. [Ω]		5 451 000	810 000
Ro[Ω]		5.060	4.945

2. Porównanie wyników w układach 1,2 i 3 osobno dla częstotliwości 1kHz i 10 kHz

Dla 1kHz

	KU	Ri	Ro
Układ 1	0,9789	z R11=35 371 z R12=35 971 z R13=34 543 Rdek=32 900	8.754
Układ 2	0.9830	z R11=872 486 z R12=864 517 z R13=761 438 Rdek=736 000	4.722
Układ 3	0.9848	z R11=6 344 197 z R12=5 664 868 z R13=2 105 465 Rdek=5 451 000	5.060

Dla częstotliwości 1kHz największą R_i posiada układ 3, która waha się w granicach 2,1 - 6,3 MΩ. Różnica w tej rezystancji wynika z dodatkowego sprzężenia zwrotnego zastosowanego w tym układzie. Wzmocnienie napięciowe we wszystkich układach jest bliskie jedności. Największe w układzie 3, a najmniejsze w układzie 1. Rezystancja wyjściowa R₀ jest niewielka, najmniejsza w układzie 2 zaś największa w układzie 1.

Dla 10kHz

	KU	Ri	Ro
Układ 1	0.9740	z R11=36 026 z R12=35 574 z R13=33 906 Rdek=32 500	8.764
Układ 2	0.9808	z R11=784 006 z R12=785 467 z R13=706 372 Rdek=551 000	4.995
Układ 3	0.9812	z R11=2 964 946 z R12=3 653 220 z R13=2 276 172 Rdek=810 000	4.945

Dla częstotliwośći 10kHz podobnie jak dla 1kHz największa R_i posiada układ3. Rezystancja wyjściowa w układach 2 i 3 jest wyraźnie niższa niż w układzie 1. Wynika to ze zmniejszonego wpływu dołączonego na wyjściu rezystora R₆ na zmianę napięcia wyjściowego w tych układach.

3. Wpływ częstotliwości na rezystancje wejściową w układach 1, 2 i 3.

Zarówno w układzie 1 jak i w układzie 2 obserwujemy niewielki wpływ częstotliwości na rezystancje wejściową. Natomiast w układzie 3 nastąpił drastyczny spadek R_we. Przyczyną tego spadku może być zastosowany w układzie 3 kondensator C_2, który przy wzroście częstotliwości zwiększa swoją impedancję, a tym samym zwiększa rezystancję wejściową R_we.

4. Wnioski

• Wzmocnienie napięciowe wtórnika emiterowego we wszystkich 3 układach i dla obu częstotliwości jest bardzo zbliżone do jedności. Wobec czego na wyjściu otrzymuje się prawie powtórzone napięcie z wejścia.

• Wtórniki emiterowe charakteryzują się wysoką rezystancją wejściową i niską rezystancją wyjściową.

• Skoro U_i jest zbliżone do U_o a R_we >> R_wy to wtórniki charakteryzują się bardzo dużym wzmocnieniem prądowym.

• Przy wyższej częstotliwości obserwujemy spadek rezystancji wejściowej R_we.

• Układ 3 charakteryzuje się największym wzmocnieniem prądowym.

• Wtórnik emiterowy w znaczny sposób zwiększa moc

---