Układy do pomiaru parametrów zwarciowych i rozwarciowych

Parametry macierzy [h] są mierzone przy rozwarciu wejścia (h

12

i h

22

)

lub

zwarciu wyjścia (h

11

i h

21

) dla składowej zmiennej.

Zwarcie (dla przebiegów zmiennych) w obwodzie wyjściowym uzyskuje

się przez dołączenie odpowiednio dobranej pojemności C do zacisków C-E
tranzystora.

Rozwarcie (dla przebiegów zmiennych) w obwodzie wejściowym uzyskuje

się przez włączenie szeregowe odpowiednio dobranej indukcyjności L
w obwodzie bazy.

Układ do pomiaru parametrów h

11

i h

21

tranzystora.

i

1

u

1

e

g

R

B

R

C

C

i

2

~

u

2

≈

0

+

+

-

-

Układ do pomiaru parametrów h

12

i h

22

tranzystora.

i

1

≈

0

u

1

e

g

R

B

R

C

u

2

+

+

-

-

~

L

i

2