1. Dioda SI przewodzi stały prąd 10mA zmniejszenie na niej spadku napiecia o 20mV jest
skutkiem:
- oboniżenia temperatury o 10K
- wzrostu temperatury o 10K
- oboniżenia temperatury o 20K
- wzrostu temperatury o 20K

2. Przepływ prądu w kierunku przewodzenia jest wynikiem
-unoszenia nośników większościowych
-dyfuzji nośników większościowych
-unoszenia nośników mniejszościowych
-dyfuzji nośników mniejszościowych

3. Półprzewodnik samoistny to taki w którym
-nie ma domieszki
-jest tylko domieszka donorowa
- jest tylko domieszka akceptorowa

-

?

4. Dioda elektroluminestencyjna(LED) świeci w wyniku?
- generacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia
- generacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku zaporowym
- rekombinacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku zaporowym
- rekombinacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku
przewodzenia

5. Model zastępczy

? Ebersa Mola dla prądu stałego składa się z

-

?

- diód i źródeł pradowych

- diod i źródeł

?

- diód i pojemności

6. Prądy unoszenia występują
- w półprzewodnikach
- w przewodnikach
- w półprzewodnikach i w przewodnikach
- w izolatorach

7. Wzór Einsteina wiąże ze sobą
- ruchliwosc nosnikow z natezeniem pola elektrycznego
- wspolczynnik dyfuzji nosnikow z ich koncentracja
- ruchliwosc z wspolczynnikiem dyfuzji nosnikow
- wspolczynnik dyfuzji z natezeniem pola elektrycznego

8. Dziura w póprzewodniku to

- dodatni nośnik ładunku

9. Czego dotyczy zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne ?
Polega na tym, że foton uwalnia parę elektron-dziura. Musi zajść warunek, że foton
dostarczy energie minimalna, dzięki której elektron z pasma walencyjnego będzie mogl
przeskoczyć przerwę zabroniona i przejść do pasma przewodnictwa. W ten sposób pod
wpływem oświetlenia następuje wzrost koncentracji nośników ładunku w PP i wzrost
konduktywności, co opisuje pewien wzor.

10. Co to jest h 21?
h21 - zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego

11. Co to jest h 12?
h12 - współczynnik napięciowego oddziaływania wstecznego.


12. Co to jest h11?
h11 - rezystancja wejściowa

13. Co to jest h 22?
h22 – kondunktancja wyjściowa. Kondunktancja jest odwrotnością rezystancji (1/R).

14. Co to są dziury?
Dziury są to wyimaginowane dodatnie nośniki ładunku, powstałe w skutek przejścia
elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa. W paśmie walencyjnym powstaje
wtedy luka, nazwana ‘dziura’, która dla zachowania stanu równowagi, przyjmuje się, ze
posiada ładunek dodatni. Ruch dziury jest pozorny! (Jak krzesła w teatrze).

15. Polaryzacja złączy w tranzystorze.
Zasady polaryzacji tranzystora:
E-B (emiter-baza): przewodzenie B-C (baza-kolektor): zapór | stan aktywny
E-B (emiter-baza): przewodzenie B-C (baza-kolektor): przewodzenie | stan nasycony
E-B (emiter-baza): zapór B-C (baza-kolektor): przewodzenie | stan inwersyjny
E-B (emiter-baza): zapór B-C (baza-kolektor): zapór | stan zaporowy-odcięcie

16. Gdzie występuje największa częstotliwość graniczna w tranzystorze w jakiej
konfiguracji?
Największa częstotliwość graniczna występuje dla tranzystora o wspólnej bazie OB.

17. Jakie jest wzmocnienie we wzmacniaczu w konfiguracji wspólnej bazy OB.?
W OB wzmocnienie jest bliskie 1 (jednak nie przekracza tej wartości, tutaj: ~0,96).

18. Co to jest ruchliwość elektronów?
Swobodne nośniki ładunku w półprzewodniku, tzn. elektrony znajdujące się w paśmie
przewodnictwa i dziury znajdujące się w paśmie podstawowym, mogą się pod wpływem pola
elektrycznego przesuwać w kierunku tego pola. Ruch nośników ładunku pod wpływem pola
elektrycznego jest prądem elektrycznym płynącym przez rozpatrywane półprzewodniki.

Tego rodzaju prąd, płynący przez PP w dalszym ciągu będzie prądem unoszenia.
Ruchliwość zależy od koncentracji domieszek, temperatury i natężenia pola elektrycznego.

19. Gdzie występuje poziom Fermiego w PP zdegenerowanym(silnie
domieszkowanym)?
Występuje w paśmie podstawowym (p+) lub w przewodzenia(n+) (tj. zagłębia się w te
pasma) lub jest w odległości od nich < 2kT.

20. Dyfuzja.
Nadmiarowe nośniki ładunku, występujące w pewnym obszarze PP, ulegają tak częstym
zderzeniom z siecią i wykonują chaotyczne ruchy, ulegają rozproszeniu – występuje ich
dyfuzja.
Wykonanie złącza PN metoda Dyfuzji polega na tym, że do wybranych odpowiednio
obszarów PP określonego typu wprowadza się drogą dyfuzji domieszki donorowe lub
akceptorowe, w zależności od tego, jakiego typu jest PP wyjściowy.

21. Dla jakich warunków prawidłowo działa dioda pojemnościowa?
Dioda pojemnościowa pracuje przy polaryzacji zaporowej, charakteryzując się zmienną
pojemnością w funkcji przyłożonego napięcia. Z charakterystyki wynika, ze pojemność C
jest większa dla mniejszych wartości napięcia wstecznego.

22. Dlaczego dla wyższych temperatur zmienia się przewodność?
Na ruchliwość nośników wpływa temperatura. Im większa temperatura tym drgania większe
– ruchliwość nośników większa- większa przewodność. Jednak zbyt wysoka temperatura
powoduje, że drgania są zbyt duże i ruchliwość nośników maleje - przewodność również.

23. Jaki proces jest przyczyna działania diody elektroluminescencyjne
Luminescencja z jaką ma się do czynienia w przypadku diod elektroluminsencyjnych
powstaje w wyniku rekombinacji swobodnych nośników ładunku w złączu p-n przy
polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia. Pod wpływem powrotu elektronu do pasma
walencyjnego z pasma przewodnictwa, zgromadzona energia, uwalnia się w postaci fotonu
do otoczenia. Uwaga: Diody takie wytwarza się z pp, w których szerokość przerwy
zabronionej odpowiada energii fotonów światła widzialnego. Różna szerokość przerwy:
różne kolory świecenia.

24. Jak przestaniemy oświetlać PP to co powoduje przepływ nośników w złączu
spolaryzowanym zaporowo?
Przy polaryzacji zaporowej jedyny prąd jaki płynie przez półprzewodnik to prąd unoszenia
(zwany prądem ciemnym). Jest to prąd wytwarzany przez nośniki mniejszościowe (dla pp
typu p – elektrony, dla pp typu n – dziury).

25. Lokalne prawo Ohma (wzór).
sigma = J/E z kreskami nad J i E (gęstość [A/(m*m)] / natężenie pola [V/m])
Jednostka: [1/OM * m]
prąd unoszenia ma kierunek zgodny z kierunkiem E i w zakresie niezbyt silnych pól
elektrycznych jest on proporcjonalny do natężenia tego pola

26. Czym jest poziom Fermiego.

Poziom Fermiego jest to poziom energetyczny, którego prawdopodobieństwo zajęcia przez
elektron jest równe połowie szerokości przerwy zabronionej dla pp samoistnych.

27. Jak wygląda poziom Fermiego w przypadku modelu pasmowego npn?
Dla pp typu n: poziom Fermiego zbliżony jest do dna pasma przewodnictwa.
Dla pp typu p: poziom Fermiego zbliżony jest do wierzchołka pasma walencyjnego.

28. Dioda Si przepuszcza 10nA, następuje wzrost spadku napięcia np. o 10mV. Czym jest to
spowodowane?
Współczynnik temperaturowy jest dodatni dla charakterystyki w kierunku zaporowym a to
oznacza ze wraz ze wzrostem temperatury wzrasta spadek napięcia.

29. Dla jakich polaryzacji i napiec JFET działa przy największym prądzie na złączu
bramka – kanał.
zaporowo, w tranzystorach polowych złączowych JFET (junction FET) największy prąd
drenu płynie przy napięciu sterującym UGS=0

30. Jaka jest zależność prądu drenu od różnicy potencjałów: A) liniowa, B)
logarytmiczna, C) exponencjalna d)kwadratowa
Odpowiedź: zależność kwadratowa

31. Gdzie znajduje się poziom donorowy w en. modelu pasmowym:
A. Tuż pod poziomem przewodnictwa
B. Tuż nad poziomem walencyjnym
C i D. Coś około poziomu Fermiego itp.

32. Co tworzy dipol w warstwie zubożonej złącza P-N:
A. Atomy akceptorów zjonizowane dodatnio i atomy donorów zjonizowane ujemnie
B. Atomy akceptorów zjonizowane ujemnie i atomy donorów zjonizowane dodatnio
C i D Jakieś pierdoły o dziurach i elektronach nie mające większego sensu

33. Najwieksza rezystancja wyjściowa dla jakiego układu
Największa rezystancja wyjściowa jest w OB.

34. Zależność koncentracji noścników od temperatury
koncentracja rośnie wraz z temperaturą n

i

= T

3/2

exp(-W

g

/2kT)

35. Charakterystyka wyjściowa tranzystora OE
Ic = f(Uce) , Ib=const


36. Transkonduktancja g/M do czego jest analogiczna (do jakiego h)??
chyba h 21