Pytania do przedmiotu „Elementy Elektroniczne”

Legenda: 0 – błędna; 1 – poprawna

Pytanie egzaminacyjne nr 1

treść pytania:

Napięcie wyjściowe źródeł napięcia

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

maleje dla źródeł rzeczywistych gdy
maleje rezystancja obciążenia

1

2.

maleje dla źródeł rzeczywistych gdy
rośnie rezystancja obciążenia

0

3.

rośnie dla źródeł rzeczywistych gdy
maleje rezystancja obciążenia

0

Pytanie egzaminacyjne nr 2

treść pytania:

Stratność kondensatora rzeczywistego

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

zależy wprost proporcjonalnie od C i
odwrotnie proporcjonalnie od R

0

2.

nie zależy od częstotliwości

0

3.

zależy odwrotnie proporcjonalnie od C

1

Pytanie egzaminacyjne nr 3

treść pytania:

W układzie różniczkującym, dla
wejściowego napięcia prostokątnego

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

możemy otrzymać na wyjściu sygnał
trójkątny

0

2.

możemy otrzymać na wyjściu sygnał
prostokątny

1

3.

możemy otrzymać na wyjściu napięcie
stałe

0

Pytanie egzaminacyjne nr 4

treść pytania:

O cewce można powiedzieć, że

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

w obwodzie pracującym impulsowo
cewkę można traktować jak zwarcie

0

2.

napięcie na cewce jest proporcjonalne do
szybkości zmian prądu

1

3.

w obwodzie prądu stałego cewka nie
gromadzi energii w polu magnetycznym

0

Pytanie egzaminacyjne nr 5

treść pytania:

Zależność między prądem a napięciem

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

ma zastosowanie tylko dla kondensatora
idealnego

1

2.

ma zastosowanie tylko dla tranzystora
rzeczywistego

0

3.

ma zastosowanie tylko dla napięć stałych

0

Pytanie egzaminacyjne nr 6

treść pytania:

W temperaturze T=0K w półprzewodniku
samoistnym

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

tylko dziury znajdują się w paśmie
przewodnictwa

1 0(Stanki poparty

ziółkiem) 1

2.

tylko elektrony znajdują się w paśmie
walencyjnym

0 1(Stanki poparty

ziółkiem) 1

3.

wszystkie dziury i elektrony znajdują się
w paśmie przewodnictwa

0 0(Stanki poparty

ziółkiem) 0

imho 110 vide st

atystyka Fermiego-Diraca

Pytanie egzaminacyjne nr 7

treść pytania:

W półprzewodniku domieszkowanym
typu p liczba elektronów

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność
odpowiedzi

1.

zależy od temperatury

1

2.

jest równa zero

0

3.

nie zależy od temperatury

0

Pytanie egzaminacyjne nr 8

treść pytania:

Przedstawiony poniżej
ogranicznik napięcia zbudowany z
półprzewodnikowych diod Zenera,
będzie ograniczał na wyjściu napięcie w
granicach
100Ω
U

Z

=3,3V

U

Z

=4,7V

U

we

U

wy

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

(-4,7V ; +3,3V)

1

2.

(-3,3V ; +4,7V)

0

3.

(-5,4V ; +5,4V)

0

Pytanie egzaminacyjne nr 9

treść pytania:

Przez idealne złącze p-n, o prądzie
nasycenia 1nA, spolaryzowanym
przewodząco napięciem 26mV w
temperaturze pokojowej (300K) płynie
prąd

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

1,7nA

1

2.

2,72nA

0

3.

17nA

0

Pytanie egzaminacyjne nr 10

treść pytania:

W diodzie p

+

-n spolaryzowanej

przewodząco głównym prądem złącza jest

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

prąd dyfuzji elektronów z obszaru n do p

0

2.

prąd dyfuzji elektronów z obszaru p do n

0

3.

prąd dyfuzji dziur z obszaru p do n

1

Pytanie egzaminacyjne nr 11

treść pytania:

Przez złącze p-n spolaryzowane
zaporowo płyną prądy

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

unoszenia elektronów z obszaru p do n

1

2.

unoszenia elektronów z obszaru n do p

0

3.

unoszenia dziur z obszaru p do n

0

Pytanie egzaminacyjne nr 12

treść pytania:

Jakie jest napięcie na diodzie krzemowej
połączonej w kierunku przewodzenia,
szeregowo z opornikiem 1k

i źródłem

napięcia 5V?

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

4,3V

0

2.

5,7V

0

3.

0,7V

1

Pytanie egzaminacyjne nr 13

treść pytania:

Rezystancja dynamiczna diody
prostowniczej w kierunku przewodzenia

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

rośnie wraz ze wzrostem prądu

0

2.

maleje wraz ze wzrostem prądu

1

3.

nie zależy od prądu

0

Pytanie egzaminacyjne nr 14

treść pytania:

Wraz ze wzrostem temperatury złącza
krzemowego

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

napięcie na złączu nie zmienia się o ile
jest ono spolaryzowane stałym prądem

0

2.

prąd rewersyjny maleje dwukrotnie na
każde 10K

0

3.

napięcie maleje o 2mV/K przy stałym
prądzie płynącym przez złącze

1

Pytanie egzaminacyjne nr 15

treść pytania:

Wzrost temperatury powoduje, że
napięcie na złączu p-n spolaryzowanym
przewodząco stałym prądem

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

rośnie

0

2.

nie zmienia się

0

3.

maleje

1

Pytanie egzaminacyjne nr 16

treść pytania:

Lepsze właściwości stabilizacyjne mają
diody

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

lawinowe

0

2.

Zenera

1

3.

właściwości stabilizacyjne nie zależą od
mechanizmu przebicia złącza

0

Pytanie egzaminacyjne nr 17

treść pytania:

Na diodzie stabilizacyjnej na 12 V zmiana
prądu 10 mA wywołuje zmianę 0,1V
napięcia stabilizacyjnego. Rezystancja
dynamiczna diody w tym zakresie wynosi

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

10

1

2.

100

0

3.

0.1

0

Pytanie egzaminacyjne nr 18

treść pytania:

W tranzystorze złączowym

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

transkonduktancja nie zależy od napięcia
polaryzującego bramkę (U

GS

)

0

2.

rezystancja wyjściowa r

ds

w zakresie

nasycenia jest mała

0

3.

dużą rezystancja wejściowa predysponuje
go do budowy wzmacniacza
napięciowego

1

Pytanie egzaminacyjne nr 19

treść pytania:

Tranzystor złączowy pracuje poprawnie,
gdy

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

złącze jest spolaryzowane przewodząco

0

2.

złącze jest spolaryzowane zaporowo

1

3.

jego dren jest połączony z punktem o
najwyższym potencjale w układzie

0

Pytanie egzaminacyjne nr 20

treść pytania:

W tranzystorze JFET z kanałem
typu n zmierzono prąd I

D

=16mA dla

napięcia U

GS

=0V, natomiast dla U

GS

=-

2V zanotowano prąd o jedną czwartą
mniejszy. Ile wynosi I

DSS

i U

P

dla tego

tranzystora

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

I

DSS

=8mA, U

P

=-2V

0

2.

I

DSS

=16mA, U

P

=-2V

0

3.

I

DSS

=16mA, U

P

=-4V

1

Pytanie egzaminacyjne nr 21

treść pytania:

W tranzystorze polowym JFET przy
U

GS

=0 prąd drenu pozostanie stały, gdy

U

DS

przekroczy

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

U

DD

0

2.

U

P

1

3.

0

0

Pytanie egzaminacyjne nr 22

treść pytania:

Skrót SoC oznacza

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

rzeczywisty kondensator

0

2.

technologię wytwarzania samoistnego
krzemu

0

3.

mikrosystemy elektroniczne na krzemie

1

Pytanie egzaminacyjne nr 23

treść pytania:

Przy założeniu takiego samego punktu
pracy tranzystora bipolarnego i MOS, tzn
I

C

=I

D

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

transkonduktancja tranzystora MOS jest
większa od transkonduktancji tranzystora
bipolarnego

1

2.

transkonduktancja tranzystora MOS jest
mniejsza od transkonduktancji tranzystora
bipolarnego

0

3.

trans konduktancje obu tranzystorów są
takie same

0

Pytanie egzaminacyjne nr 24

treść pytania:

Skrót MEMS oznacza

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

tranzystor MOS z izolowaną bramką

0

2.

kondensator MOS

0

3.

układy mikromechaniczne w strukturach
scalonych

1

Pytanie egzaminacyjne nr 25

treść pytania:

W kondensatorze MOS z
półprzewodnikiem typu n

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

ujemne napięcie powoduje zubożenie
obszaru pod bramką

1

2.

w zakresie silnej inwersji szerokość
warstwy zubożonej nadal zwiększa się

0

3.

dodatnie napięcie na bramce powoduje
akumulację dziur pod bramką

0

Pytanie egzaminacyjne nr 26

treść pytania:

W kondensatorze MOS z
półprzewodnikiem typu p

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

dodatnie napięcie na bramce powoduje
akumulację dziur pod bramką

0

2.

w stanie zubożenia ładunek zgromadzony
pod bramką nie zależy od poziomu
domieszkowania półprzewodnika p

1

3.

duże ujemne napięcie na bramce
powoduje inwersję pod bramką

0

Pytanie egzaminacyjne nr 27

treść pytania:

W tranzystorze MOSFET prąd drenu I

D

zależy

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

liniowo od napięcia U

GS

w zakresie

nasycenia

0

2.

od kwadratu napięcia U

DS

w zakresie

pracy liniowej

1

3.

od pierwiastka napięcia U

GS

w zakresie

pracy liniowej

0

Pytanie egzaminacyjne nr 28

treść pytania:

Prąd drenu I

D

tranzystora MOSFET z

kanałem p zależy

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

liniowo od napięcia U

GS

w zakresie pracy

liniowej

1

2.

od kwadratu napięcia U

DS

w zakresie

nasycenia

0

3.

liniowo od napięcia U

DS

w zakresie pracy

liniowej

0

Pytanie egzaminacyjne nr 29

treść pytania:

Na poniższym rysunku przedstawiono
charakterystyki

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

przejściowe tranzystora MOSFET typu n

0

2.

przejściowe tranzystora MOSFET typu p

1

3.

wyjściowe tranzystora MOSFET typu p

0

Pytanie egzaminacyjne nr 30

treść pytania:

Ile wynosi transkonduktancja tranzystora
bipolarnego pracującego w temp.
pokojowej (ok. 300K) w punkcie pracy
U

CE

= 5V i I

C

= 10mA?

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

0,04S

0

2.

400mS

1

3.

20mS

0

Pytanie egzaminacyjne nr 31

treść pytania:

Czy następujące zdania są prawdziwe:

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

przepływ prądu bramki włącza tyrystor, a
zanik prądu bramki wyłącza

0

2.

warystor to nieliniowy rezystor o silnej
zależności rezystancji od temperatury

0

3.

triak to dwukierunkowy tyrystor

1

Pytanie egzaminacyjne nr 32

treść pytania:

Na poniższym rysunku przedstawiono

bipolarny tranzystor

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

p-n-p w układzie wspólnej bazy pracujący
w odcięciu

0

2.

n-p-n w układzie wspólnej bazy pracujący
w odcięciu

0

3.

p-n-p w układzie wspólnej bazy pracujący
w nasyceniu

1(ziółko)

Pytanie egzaminacyjne nr 33

treść pytania:

W tranzystorze bipolarnym

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

dla układu WB częstotliwość graniczna
jest

-razy większa niż dla WE

1

2.

w układzie WE częstotliwość graniczna
zależny tylko od pojemności C

b'e

0

3.

dla układu WE napięcie Early’ego nie ma
wpływu na konduktancję wyjściową

0

Pytanie egzaminacyjne nr 34

treść pytania:

Tranzystor bipolarny npn pracuje w stanie
aktywnym jeżeli

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
przewodzenia, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku zaporowym

1

2.

złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku przewodzenia

0

3.

złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku zaporowym

0

Pytanie egzaminacyjne nr 35

treść pytania:

Dla tranzystora bipolarnego npn w
nasyceniu, dalsze zwiększanie prądu bazy

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

powoduje wzrost prądu kolektora

0

2.

nie wpłynie na prąd kolektora

1

3.

powoduje spadek prądu kolektora

0

Pytanie egzaminacyjne nr 36

treść pytania:

Jeżeli w tranzystorze bipolarnym pnp
I

C

jest 50 razy większy niż I

B

, to

współczynnik β wynosi

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

100

0

2.

10

0

3.

50

1

Pytanie egzaminacyjne nr 37

treść pytania:

W tranzystorze bipolarnym npn prąd
emitera jest zawsze

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

mniejszy niż prąd bazy

0

2.

mniejszy niż prąd kolektora

0

3.

większy niż prąd kolektora

1

Pytanie egzaminacyjne nr 38

treść pytania:

Tranzystor bipolarny pnp pracuje w stanie
nasycenia jeżeli

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
przewodzenia, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku zaporowym

0

2.

złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
przewodzenia, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku przewodzenia

1

3.

złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane

0

jest w kierunku przewodzenia

Pytanie egzaminacyjne nr 39

treść pytania:

Właściwe napięcie na przepustowo
spolaryzowanym złączu EB krzemowego
tranzystora bipolarnego wynosi

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

0,3V

0

2.

0,7V

1

3.

1,7V

0

Pytanie egzaminacyjne nr 40

treść pytania:

Tranzystor bipolarny npn pracuje w stanie
odcięcia jeżeli

numer odpowiedzi

treść odpowiedzi

poprawność odpowiedzi

1.

złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku zaporowym

1

2.

złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
przewodzenia, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku przewodzenia

0

3.

złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku przewodzenia

0

Literatura

1. wykład: http://www.scalak.elektro.agh.edu.pl/?q=pl/node/464
2. Jan Koprowski: Podstawowe przyrządy półprzewodnikowe. Wydawnictwa AGH. 2009
3. Wiesław Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT. 1978