Egzamin – grupa1 – pierwszy termin– 22 stycznia 2010

Elektronika i Energoelektronika – III semestr - zimowy

Studia dzienne – SPECJALNO

ŚĆ

: Elektrotechnika z Informatyk

ą

Techniczn

ą

Uwaga! Prosz

ę

wybra

ć

do odpowiedzi 4 z 5 pyta

ń

i zaznaczy

ć

je na 1 stronie

*******************************************************************

.

1). Wyja

ś

ni

ć

rol

ę

podstawowych małosygnałowych stopni wzmacniaj

ą

cych tranzystora

bipolarnego: wspólny emiter (WE) i wspólny kolektor (WC) oraz tranzystora MOS: (wspólne

ź

ródło oraz wspólny dren). Dlaczego układy te maj

ą

tak du

ż

e znaczenie praktyczne. Odpowied

ź

nale

ż

y uzasadni

ć

.

═══════════════════════════════════════

2). Zasada działania inwerterów NMOS, inwerterów dynamicznych i inwerterów CMOS. Porównaj

zalety i wady tych technik, ze szczególnym uwzgl

ę

dnieniem techniki układów

komplementarnych CMOS. Konstrukcja bramek logicznych w technice CMOS i NMOS. Bramka
transmisyjna TG w technice CMOS.

═══════════════════════════════════════

3). Poda

ć

ogólne warunki generacji drga

ń

dla układów ze sprz

ęż

eniem zwrotnym. Poda

ć

przykłady

realizacji wybranych typów generatorów LC (wykorzystuj

ą

cych zjawisko rezonansu

cz

ę

stotliwo

ś

ciowego).

═══════════════════════════════════════

4). Poda

ć

przykłady rozwi

ą

za

ń

układowych i obja

ś

ni

ć

ich funkcjonowanie:

•

Rejestry cyfrowe

•

Liczniki cyfrowe

═══════════════════════════════════════

5). Wyja

ś

ni

ć

działanie całkuj

ą

cego przetwornika a/c z przetwarzaniem po

ś

rednim, przedstawionego

na rysunku poni

ż

ej. Od jakich parametrów zale

ż

y głównie dokładno

ść

przetwarzania

uzyskiwana w takim przetworniku?

═══════════════════════════════════════

Andrzej Rybarczyk