background image

 

 

Podstawy elektroniki i 

energoelektroniki

Prezentacja elementów:

 rezystancja

• indukcyjność

• pojemność

• dioda impulsowa

• transformator impulsowy

background image

 

 

REZYSTANCJA

Zjawiska powodujące nieidealność rzeczywistych 
rezystorów:

 indukcyjność końcówek

 indukcyjność wewnętrzna ( np. międzyzwojowa )

 pojemność pomiędzy końcówkami

 pojemność wewnętrzna ( np. międzyzwojowa )

background image

 

 

Schematy zastępcze rezystora

• Schemat zastępczy    

• Uproszczony schemat 

zastępczy   

background image

 

 

Charakterystyka częstotliwościowa 

rezystora

R

1

C

 .

 

R

2

1

f

R

k

2

C

 .

 

L

2

1

f

background image

 

 

Stosowane schematy dla 

poszczególnych zakresów 

częstotliwości

                    

• Dążenie do zwiększenia  

f

1

 - dla dużych wartości 

rezystancji R łączenie 
szeregowo mniejszych 
rezystancji              
( zmniejszanie wypadkowej 
pojemności)

• Dążenie do zwiększenia 

f

2

 – dla małych wartości 

rezystancji R łączenie 
równoległe większych 
rezystancji

background image

 

 

INDUKCYJNOŚĆ

Schemat zastępczy
cewki indukcyjnej

Charakterystyka
częstotliwościowa

background image

 

 

Przykładowe parametry cewek o małych
indukcyjnościach

L = 1,2 H         

 C

L

 = 1,7pF

f

1

110MHz
L = 10 H

  

 C

L

 = 1,6pF

f

2

=  

40MHz

background image

 

 

Zmniejszenie pojemności cewek przez 

podział uzwojenia

             Charakterystyki cewki z podzielonym uzwojeniem

background image

 

 

Cewki indukcyjne z rdzeniem    

ferromagnetycznym

Cechy:

większe wartości indukcyjności

zjawisko nasycania 

zmiany indukcyjności

Rodzaje konstrukcji:

rdzenie zamknięte

rdzenie otwarte

background image

 

 

POJEMNOŚĆ

Schemat zastępczy
kondensatora

Charakterystyka 
częstotliwościowa

background image

 

 

Podział kondensatorów

Kondensatory elektrolityczne (tantalowe) – dla 
małych      częstotliwości  do 1MHz;  duże 
wartości pojemności

Kondensatory papierowe i z tworzyw sztucznych 
– do 5MHz 

Kondensatory ceramiczne

background image

 

 

Zależność częstotliwości rezonansowej 

od długości końcówek

background image

 

 

TRANSFORMATOR 

IMPULSOWY

- jest to element służący do przenoszenia impulsów o kształcie 

zbliżonym
do prostokątnego

Oznaczenia:

R1 – sumaryczna oporność uzwojenia pierwotnego i generatora sygnału wejściowego
Ls – indukcyjność rozproszenia strony pierwotnej i (przeniesiona) strony wtórnej
L

M

 – indukcyjność główna (magnesująca)

Cs – wypadkowa (zastępcza) pojemność uzwojeń
R2’ – przeniesiona sumaryczna oporność uzwojenia wtórnego i obciążenia 
transformatora
p – przekładnia transformatora
Vi – napięcie wejściowe
Vo – napięcie wyjściowe

Schemat zastępczy

background image

 

 

Uproszczone schematy zastępcze

a) dla zakresu niskich 

częstotliwości

b) dla zakresu wysokich 

częstotliwości

background image

 

 

Poglądowy przykład przebiegu 

odpowiedzi transformatora na impuls 

prostokątny

t

i

 – 

czas zakończenia 

impulsu wejściowego

z – 

„zwis” - spadek 

chwilowej wartości 
odpowiedzi w  momencie 
zakończenia
impulsu wejściowego
(t=t

i

background image

 

 

Amplitudowa i fazowa charakterystyki 

transformatora o małym tłumieniu

background image

 

 

Przy przenoszeniu bardzo krótkich impulsów o dużych 

stromościach czoła i krawędzi opadającej, pożądany 

jest maksymalnie płaski przebieg obu charakterystyk 

częstotliwościowych, zwłaszcza w obszarze wysokich 

częstotliwości. W stosunkowo prosty sposób, przez 

wprowadzenie tłumienia krytycznego, udaje się 

zlikwidować pik drugiego rezonansu na 

charakterystyce amplitudowej. Na powyższym 

rysunku zaznaczono to linią przerywaną. 

Zminimalizowanie zniekształceń fazowych możliwe 

jest natomiast poprzez przesunięcie tej częstotliwości 

rezonansowej do zakresu wyższych wartości. W 

kontekście tak ogólnie postawionego wymagania 

sformułowany jest właśnie jeden z trzech warunków 

kryterialnych, według którego:

background image

 

 

Dioda impulsowa

- charakteryzuje się bardzo dużą szybkością pracy - rzędu 

nanosekund lub mikrosekund przy wyższych napięciach. W 

zależności od zastosowania mogą to być diody 

prostownicze, diody detekcyjne, diody zabezpieczające itp.

Parametry:
- szybkość włączania
- czas wyłączania
- maksymalny prąd
- napięcie znamionowe

Diody impulsowe są wykonywane jako diody Schottky’ego dla 

niewielkich napięć wstecznych (rzędu kilkudziesięciu V) lub 

specjalnie wykonywane diody złączowe przy wyższych napięciach.

background image

 

 

Schemat zastępczy diody

                                                         

                                                               C

d

 – pojemność dyfuzyjna

Podstawowy układ przełączania 

diody

background image

 

 

Impulsowe sterowanie diody

impulsowa zmiana napięcia 
generatora

zmiana prądu podczas przełączania

zmiana napięcia podczas przełączania

                        

background image

 

 

t

r

 – czas narastania napięcia na diodzie

t

s

 

– czas, w którym rozładowywana jest pojemność dyfuzyjna diody; w tym 

czasie przez diodę płynie prąd wsteczny ograniczony jedynie rezystancją 

zewnętrzną R, a sama dioda do momentu rozładowania pojemności 

dyfuzyjnej znajduje się w stanie przewodzenia, czego efektem jest 

występowanie na niej niewielkiego napięcia w kierunku przewodzenia

 

t

r

 = 0,7 RC

Łączny czas trwania obu etapów jest definiowany jako czas 

wyłączenia diody:

    

t

of

 = t

S

+t

r

 


Document Outline