Radioelektronik Audio-HiFi-Video 8/2001
Do niedawna nie by³o
krzemowych scalonych
wzmacniaczy du¿ej mocy,
które mog³y by byæ
zastosowane
w stopniach
wyjciowych urz¹dzeñ
telekomunikacyjnych
w.cz. Pierwszy powa¿ny
krok naprzód stanowi
scalony krzemowy
wzmacniacz mocy
wielkiej czêstotliwoci
do telefonów
bezprzewodowych.
W
a¿n¹ regu³¹ czêsto praktyko-
wan¹ w odniesieniu do uk³a-
dów wzmacniaj¹cych sygna-
³y wielkiej czêstotliwoci jest
¿¹danie, by czêstotliwoæ przenoszenia (f
T
)
parametr okrelaj¹cy w³aciwoci czê-
stotliwociowe tranzystora by³a przynaj-
mniej dziesiêæ razy wiêksza od czêstotli-
woci roboczej. O ile ta regu³a sprawdza³a
siê w blokach ma³osygna³owych, to kon-
strukcja scalonych stopni wyjciowych sca-
lonych wzmacniaczy mocy narzuca jeszcze
wiele innych wymagañ zwi¹zanych cile
z procesami technologicznymi. W tej sytu-
acji najlepsze wyniki dawa³y jeszcze do nie-
dawna tranzystory polowe MESFET wyko-
nywane z arsenku galu (GaAs).
Wzrost rynku telefonii bezprzewodowej
stworzy³ silny nacisk na producentów podze-
spo³ów. Producenci urz¹dzeñ ¿¹daj¹ zwiêk-
szenia produkcji i obni¿enia kosztów podze-
spo³ów stosowanych w coraz wiêkszej licz-
bie ró¿nych elektronicznych zabawek.
Krzemowe uk³ady scalone z³o¿one z tranzy-
storów bipolarnych s¹ w stanie spe³niæ wy-
magania stawiane równie¿ uk³adom niecy-
frowym.
Wspó³czesne tranzystory krzemowe maj¹
parametr f
T
w granicach 25 GHz i wiêcej,
a krzem jest w stanie spe³niæ inne technicz-
KRZEMOWE WZMACNIACZE
DU¯EJ MOCY,
WIELKIEJ CZÊSTOTLIWOCI
ne wymagania stawiane wzmacniaczom
mocy. Wykorzystanie rozwi¹zañ konstrukcyj-
nych stopni wyjciowych z tranzystorami
krzemowymi u³atwi ich scalenie z pozosta-
³ymi blokami funkcjonalnymi urz¹dzeñ tele-
komunikacyjnych. Szczególnie, koniecz-
noæ sterowania moc¹ wyjciow¹ i aktywna
linearyzacja stanowi¹ dwie najistotniejsze
cechy niezbêdne w urz¹dzeniach drugiej
generacji (GPRS) i przygotowywanych urz¹-
dzeniach trzeciej generacji (UMTS).
Uziemienie
Jednym z najwa¿niejszych czynników decy-
duj¹cych o parametrach koñcowych sca-
lonego wzmacniacza mocy jest dobre uzie-
mienie, a cilej dobre po³¹czenie (ma³a
indukcyjnoæ i rezystancja) od pola masy na
jego strukturze do masy uk³adu zewnêtrzne-
go. Tego typu problemy daj¹ o sobie znaæ
nawet we wzmacniaczach mocy akustycz-
nej, zawsze s¹ stosowane niezale¿ne wy-
prowadzenia masy czêci ma³o- i wielkosy-
gna³owej. Du¿a impedancja przewodu po-
³¹czeniowego, przez który p³ynie du¿y pr¹d
wyjciowy, powoduje niepo¿¹dane sprzê¿e-
nia zwrotne, które mo¿e byæ czasem dodat-
nie i powodowaæ niestabiln¹ pracê uk³adu.
Najczêciej stosowanym rozwi¹zaniem jest
zwielokrotnienie po³¹czeñ uziemiaj¹cych
od p³ytki krzemowej (struktury, czipu) do
ramki wyprowadzeniowej (a¿uru). Zalecane
jest równie¿ uziemianie mo¿liwie najwiêk-
szych czêci powierzchni a¿uru.
Jednak¿e, przy wielkich czêstotliwociach,
przewody ³¹cz¹ce pola wyprowadzeniowe
na strukturze z odpowiednimi punktami a¿u-
ru, a cilej ich indukcyjnoæ, wprowadza
istotne ograniczenia czêstotliwociowe.
Konstrukcja tranzystorów
W procesie technologicznym stosowanym
w oddziale pó³przewodnikowym firmy Erics-
son, do produkcji krzemowych scalonych
wzmacniaczy mocy wielkiej czêstotliwoci
uzyskuje siê tranzystory bipolarne o czêsto-
tliwociach przenoszenia f
T
oko³o 25 GHz,
n-p-n i p-n-p zdolne do pracy przy napiêciu
5 V, zarówno w uk³adach analogowych jak
i cyfrowych. Istnieje mo¿liwoæ wytwarzania
w tej samej strukturze scalonych biernych
obwodów dopasowuj¹cych, sk³adaj¹cych
siê z cewek i kondensatorów. Przy czêsto-
tliwociach rzêdu gigaherców niezbêdne
wartoci indukcyjnoci i pojemnoci s¹ bar-
dzo ma³e (pojedyncze nanohenry i pikofa-
rady) i zajmuj¹ niewiele miejsca na struktu-
rze. Stosuje siê cztery warstwy metalizacji,
przy czym warstwa le¿¹ca najwy¿ej jest
najgrubsza i charakteryzuje siê mal¹ rezy-
stancj¹, która jest niezbêdna do uzyskania
du¿ej dobroci monolitycznych cewek. Widok
przekroju tranzystora n-p-n jest przedstawio-
ny na rys.1.
Jak stwierdzono uprzednio, dobre uziemie-
nie stanowi o jakoci wzmacniacza mocy.
Dodatkowo, oprócz z³otych przewodów
monta¿owych ³¹cz¹cych pola wyprowadze-
Rys. 1. Przekrój tranzystora n-p-n w scalonym
wzmacniaczu mocy
17
Radioelektronik Audio-HiFi-Video 8/2001
niowe struktury z a¿urem, pod³o¿e uk³adu
scalonego (tylna warstwa p³ytki krzemowej)
jest zwykle równie¿ po³¹czone z mas¹, dziê-
ki czemu mo¿liwe jest wykorzystanie wypro-
wadzeñ pod³o¿a p³ytki krzemowej jako osta-
tecznego punktu uziemiaj¹cego uk³adu sca-
lonego. Pole kontaktowe, w celu uzyska-
nia ma³ej rezystywnoci, jest tworzone w ob-
szarze wysokodomieszkowanym. Ma³a re-
zystancja obszaru kontaktu jest okupiona
doæ du¿¹ powierzchni¹ pola kontaktowego.
Ponadto, na strukturze znajduje siê kilka
dodatkowych pól kontaktowych o potencja-
le masy, ulokowanych w obszarach re-
dniodomieszkowanych, o wiêkszej rezy-
stywnoci. Maj¹ one na celu zwiêkszenie
liczby cie¿ek ³¹cz¹cych z mas¹. W wielu
uk³adach scalonych wielkiej czêstotliwoci,
pracuj¹cych przy mniejszych mocach wyj-
ciowych, nie ma koniecznoci stosowania
wysokodomieszkowanych obszarów pól
kontaktowych, a ma³¹ indukcyjnoæ i rezy-
stancjê od struktury do masy uzyskuje siê je-
dynie metod¹ zwielokrotnienia po³¹czeñ.
Na rys. 2 przedstawiono wygl¹d struktury uk³a-
du scalonego PBL 403 09, jego rzeczywiste
wymiary wynosz¹ 1,3 x 1,0 mm.
Pierwsze zastosowanie
wzmacniacz mocy DECT
DECT (Digital Enhanced Cordless Tele-
communications) jest standardem bezprze-
wodowej telekomunikacji cyfrowej, stoso-
wanym w przenonych aparatach telefo-
nicznych biurowych i domowych. Moc wyj-
ciowa uk³adów nadawczych nie przekracza
0,5 W (27 dBm), a czêstotliwoæ robocza
wynosi 1,9 GHz. Zarówno moc wyjciowa,
jak i ogólne wymagania dotycz¹ce wzmac-
niacza, s¹ ³atwiejsze do spe³nienia ni¿ wy-
magania dotycz¹ce wzmacniacza mocy
w telefonach GSM.
Scalony wzmacniacz mocy DECT, ozna-
czony PBL 403 09, montowany w obudo-
wie QSOP16, charakteryzuje siê moc¹ wyj-
ciow¹ 30 dBm (1 W) oraz sprawnoci¹
50% przy czêstotliwoci 1,9 GHz. Uk³ad
mo¿e pracowaæ z pe³n¹ moc¹ i ze wspó³-
czynnikiem wype³nienia do 100%. Zawiera
dwa stopnie wzmacniaj¹ce, wejcie i wyjcie
uk³adu scalonego s¹ typu ró¿nicowego (sy-
metryczne), a wszystkie rezystancje wej-
ciowe i wyjciowe s¹ równe po 50
Ω
. We-
wn¹trz uk³adu scalonego pomieszczono
obwody polaryzuj¹ce i w³¹czaj¹ce/wy³¹cza-
j¹ce. Typowe napiêcie zasilania uk³adu sca-
lonego wynosi 3,6 V, ale uk³ad wytrzymu-
je zasilanie napiêciem nawet wiêkszym ni¿
5 V, zdarzaj¹cym siê np. podczas ³adowa-
nia baterii zasilaj¹cej.
Scalony wzmacniacz mocy PBL 403 09 jest
przeznaczony do wspó³pracy z uk³adem
scalonym PBL 402 15 transceiverem do
telefonów DECT. Ma on, podobnie jak
wzmacniacz mocy, wyjcie symetryczne,
które jest sprzêgane z uk³adem wyjcio-
wym przy u¿yciu kondensatorów. Wspó³-
pracê obu uk³adów scalonych przedstawio-
no schematycznie na rysunku 3. Parametry
wzmacniacza mocy z uk³adem scalonym
PBL 403 09 s¹ porównywalne z uzyskiwa-
nymi przy stosowaniu tranzystorów du¿ej
mocy wykonanych z arsenku galu.
Rys. 2.
Wygl¹d struktury
scalonego
wzmacniacza
mocy wielkiej
czêstotliwoci
Rys. 3. Wspó³praca wzmacniacza mocy PBL 403 09 z uk³adem scalonym PBL 402 15 transceiverem
do telefonów DECT
Rys. 4. Charakterystyki wejcie-wyjcie
wzmacniacza scalonego PBL 403 10
Co dalej ?
W firmie Ericsson s¹ prowadzone inten-
sywne prace maj¹ce na celu przygotowanie
scalonych wzmacniaczy mocy spe³niaj¹-
cych wymagania telefonii GSM 900 MHz i
GSM 1800/1900 MHz, jak równie¿ do te-
lefonów dwu- i trójpasmowych oraz innych
urz¹dzeñ bezprzewodowych, takich jak np.
Bluetooth. Na rys. 4 przedstawiono charak-
terystykê wejcie-wyjcie wzmacniacza sca-
lonego PBL 403 10 przeznaczonego do
pracy w telefonii GSM 900 MHz. Przy za-
silaniu napiêciem 3,4 V uk³ad dostarcza
moc wyjciow¹ 35,5 dBm ze sprawnoci¹
przekraczaj¹c¹ 55% i ma³osygna³owym
wzmocnieniem mocy 31 dB. Podobnie jak
jego poprzednik jest to wzmacniacz dwu-
stopniowy, przewidziany do zasilania jednym
napiêciem w zakresie 2,7
÷
5 V. W stanie
spoczynkowym pobiera ze ród³a zasilania
pr¹d zaledwie 10
µ
A.
n
Cezary Rudnicki
Wyjcie
Moc wyjciowa [dBm] lub wzmocnienie [dB]
Moc wejciowa [dBm]
Sprawnoc %
P
wy
Wzmocnienie
Sprawnoæ