III ROK TECHNOLOGIA CHEMICZNA zagadnienia do egzaminu PIM

background image

III ROK TECHNOLOGIA CHEMICZNA – Zagadnienia do egzaminu z PODSTAW

INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ




KRYSTALIZACJA

1. Otrzymywanie materiałów monokrystalicznych – krystalizacja z fazy gazowej, z roztworu,

ze stopu (wielkości określające odchylenie od stanu równowagi termodynamicznej).

2. Zmiany potencjału termodynamicznego w funkcji wielkości promienia zarodka.
3. Zależność wielkości zarodka krytycznego od wielkości odchylenia od stanu równowagi.
4. Otrzymywanie polikryształów jedno- i wielofazowych metodą krystalizacji ze stopu

(kinetyka krystalizacji).

5. Metody otrzymywania materiałów w postaci warstw – różnice pomiędzy metodami CVD i

PVD.

6. Zjawiska fizyczne i procesy chemiczne zachodzące w procesie CVD

a) transport masy
b) reakcje chemiczne

7. Zależność szybkości wzrostu warstw w procesie CVD od temperatury i szybkości

przepływu gazowych reagentów.

8. Wpływ parametrów CVD na strukturę i morfologię warstw.




SPIEKANIE W FAZIE STAŁEJ

9. Napięcie powierzchniowe i energia powierzchniowa – definicje. Wymienić i omówić

najważniejsze czynniki decydujące o wielkości energii swobodnych powierzchni.

10. Struktura granic międzyziarnowych. Energia niskokątowej granicy międzyziarnowej.
11. Spiekanie w fazie stałej w ujęciu modelowym – założenia modelu.
12. Samorzutność procesu spiekania. Całkowity spadek potencjału termodynamicznego.
13. Przegrupowanie ziaren – aspekty termodynamiczne (spadek ΔG, siła napędowa),

strukturalne (zmiany upakowania ziaren).

14. Dyfuzja objętościowa: rozkład i wielkość naprężeń w szyjce międzyziarnowej, związek

naprężeń z dyfuzją. Mechanizm zagęszczania proszku.

15. Transport masy po swobodnych powierzchniach i przez fazę gazową podczas spiekania.

Przyczyny występowania obydwu procesów oraz skutki dla przebiegu spiekania.

16. Kinetyka spiekania: miary postępu spiekania, równania kinetyczne.
17. Zależność szybkości spiekania od uziarnienia wyjściowego proszku.
18. Zależność szybkości spiekania od temperatury

a) zależność wielkości całkowitych strumieni dyfuzji od temperatury,
b) zależność szybkości spiekania od temperatury dla dyfuzji objętościowej

19. Rozrost ziaren jako proces termodynamicznie uwarunkowany, siła napędowa procesu

rozrostu, mechanizm rozrostu, prędkość przemieszczania się i ruchliwość granic
międzyziarnowych, kinetyka rozrostu ziaren. Hamowanie rozrostu ziaren.

20. Ewolucja porów podczas spiekania – katastrofy topologiczne.
21. Spiekanie w fazie stałej rzeczywistych proszków ceramicznych – odstępstwa od

modelowego ujęcia. Omówić na tym tle zjawisko spowalniania ruchu granic przez
domieszki i pory.


background image



SPIEKANIE Z UDZIAŁEM FAZY CIEKŁEJ „FIZYCZNE”

22. Rozprowadzenie fazy ciekłej w materiale dla różnych kątów zwilżania.
23. Problem lepkości cieczy w powiązaniu z jej ilością w materiale.
24. Równowaga ciało stałe-stop. Kierunki przesunięcia równowagi w przypadku zmiany

a) stężenia,
b) temperatury
c) ciśnienia

25. Przesunięcie równowagi w układzie ciało stałe – stop poprzez wprowadzenie naprężeń do

ciała stałego. Omówić ten problem dla przypadku spiekania z umiarkowaną (kilkanaście
procent) ilością fazy ciekłej doskonale zwilżającej fazę stałą. Dla tego przypadku omówić
mechanizmy przenoszenia masy, związek zagęszczania z dyfuzją w fazie ciekłej, rozrost
ziaren – porównanie ze spiekaniem bez udziału fazy ciekłej.

26. Spiekanie z dużym udziałem fazy ciekłej: mechanizmy transportu masy, zaniku porów,

rekrystalizacja – termodynamiczna i kinetyczna analiza procesu.



SPIEKANIE REAKCYJNE „CHEMICZNE”

27. Najważniejsze procesy zachodzące podczas spiekania reakcyjnego.
28. Schemat kształtowania się cech budowy wewnętrznej w procesie obróbki cieplnej.
29. Reakcja rozkładu kaolinitu w czasie ogrzewania – mechanizm.
30. Skład fazowy tworzyw z surowców ilastych (glinokrzemianowych) – interpretacja
diagramów dwu- i trójskładnikowych.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
III ROK TECHNOLOGIA CHEMICZNA, zagadnienia do egzaminu PIM
sady-zagadnienia, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
roÂliny-ko-o, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
warzywa kolo- wersja do nauki, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
ro-Âciaga-calosc, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
wyklady I, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
wyklad-lilie, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
wyklad-roze, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
P¦DY DO ROZPOZNAWANIA, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
SADOWNICTWO -poprawione, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
kolo-doniczkowe, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
warzywa odmiany, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
ro-zestawy, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
ROŽLINY OZDOBNE Âci-ga 1 kolo, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
warzywa-wykladyy 2, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
WARZYWA-wyk-adyy, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
warzywa-sciaga egz stare, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu
pyt z roslin egz 2006, Studia, III rok, III rok, V semestr, pomoce naukowe, do egzaminu

więcej podobnych podstron