09 01

background image

24

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

E

LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 9/96

część 9

System
projektowania
modułowego

Generatory impulsów

W niektórych systemach stosuje się

krótkie impulsy o dużej mocy, po których
następuje długa przerwa. Na przykład sy−
stem promieniowania podczerwonego
jest znacznie wydajniejszy, gdy wiązka
podczerwieni jest emitowana w postaci
pakietu bardzo krótkich impulsów. Czas
życia baterii jest wtedy dłuższy i można
stosować wiązki o znacznie większej
mocy bez przeciążania nadajnika.

Kondensator szeregowy zamienia falę

prostokątną w ciąg impulsów o niskim
współczynniku wypełnienia, czyli o krót−
kich impulsach i długich przerwach. Za−
sadę tę opisano w części 2 w punkcie
o sprzężeniu zmiennoprądowym.

Niektóre moduły przerzutników asta−

bilnych, opisane w części 4, także dają
się przystosować do generacji sygnałów
o małym wypełnieniu, jak pokazuje rysu−

rysu−

rysu−

rysu−

rysu−

nek 9.1

nek 9.1

nek 9.1

nek 9.1

nek 9.1.

Poniżej są opisane trzy przerzutniki

astabilne, działające z niskim współczyn−
nikiem wypełnienia.

Przerzutnik astabilny 555

Czasowy układ scalony 555 w konfi−

guracji przerzutnika astabilnego szcze−
gólnie nadaje się do generacji sygnału
o niskim wypełnieniu.

Przyjrzawszy się schematowi na rys.

rys.

rys.

rys.

rys.

9.2

9.2

9.2

9.2

9.2 łatwo spostrzec, że sygnał bezpo−

średnio odbierany z wyjścia 3 IC1 cha−
rakteryzuje się długimi impulsami i krót−
kimi przerwami. Jeżeli jest wymagany
sygnał odwrotny, to można go odwrócić
za pomocą bramki NOT (inwertera), albo
tranzystora TR1, tak jak na schemacie.

Jak już to omówiono w części 4 (rys.

4.11) czas trwania impulsu (T1) na wy−
jściu 3 układu 555 oblicza się ze wzoru:
T1 = 0,7×

(R1+R2) ×C

a czas przerwy ze wzoru
T2 = 0,7×R2×C

Odwrócony sygnał z kolektora TR1

doskonale nadaje się do sterowania
układów nadawczych o większej mocy
w impulsie (oczywiście w granicach do−
puszczonych przez rezystor ograniczają−
cy R2).

Układ 555 jest niemal idealny do tego

rodzaju zastosowań, jednak trzeba pa−
miętać, jak wspomniano w części 4, że
współpraca standardowego 555 z ukła−

Rys. 9.1. Ciąg impulsów o współczyn−
niku wypełnienia różnym od jedności.

W części tej zostaną opisane układy

generujące krótkie impulsy. Jest to

technika bardzo oszczędna jeśli

chodzi o pobór mocy i ilość

przesyłanych danych. Stosuje się ją

na przykład w systemach sieci

komputerowych i w przenośnych

telefonach cyfrowych.

Opisane zostaną następujące

moduły:

Moduły wejściowe: przerzutniki

astabilne o niskim współczynniku

wypełnienia.

Moduły procesorowe: detektory

braku impulsów.

Moduły wyjściowe: przekaźniki

języczkowe.

background image

25

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

E

LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 9/96

dami logicznymi CMOS może napotkać
na trudności, oraz że układ standardowy
pobiera z zasilacza większy prąd.

Przerzutnik astabilny
z bramek NOR

Przerzutnik astabilny zmontowany

z bramek NOR, którego schemat jest po−
kazany na rys. 9.3

rys. 9.3

rys. 9.3

rys. 9.3

rys. 9.3, umożliwia niezależne

dobieranie czasów impulsu i przerwy.
Jest to modyfikacja modułu opisanego
w części 4. Zawiera on obwód rozrucho−
wy R1−C1, zapewniający każdorazowe
uruchomienie przerzutnika po włączeniu
zasilania.

Czas trwania impulsu zależy od po−

jemności kondensatora C2 i oporności
rezystora R2, a czas przerwy od C3 i R3.
Stan wyjścia IC1b jest wysoki przez czas
T1 = 0,7×R2×C2

Jak zwykle, najwygodniej jest wyra−

żać oporność w MW , a pojemność w µF,
otrzymując czas w sekundach. Wysoki
stan wyjścia IC1a trwa przez T2 =
0,7×R3×C3

Nie należy zapominać, że gdy wyjście

IC1a jest w stanie wysokim, to wyjście
IC1b jest w stanie niskim i na odwrót.
Sygnał może być odbierany z każdej
z bramek. Układ ten jest bardziej uniwer−
salny niż przerzutnik 555, ponieważ czas
trwania impulsu i czas przerwy dobiera
się niezależnie. Jednakże jego częstotli−
wość jest bardziej podatna na wpływy
temperatury i fluktuacji napięcia zasilają−
cego.

Przerzutnik astabilny
z bramek NAND

Przerzutnik astabilny równie łatwo jak

z bramek NOR można także zestawić
z bramek NAND, jak przedstawiono na
rys. 9.4

rys. 9.4

rys. 9.4

rys. 9.4

rys. 9.4. Warto zapamiętać, że stany
wyjść bramek NAND są odwrotne niż
w układzie z bramek NOR na rys. 9.3.
Oba układy różnią się także obwodem
rozruchowym, którego elementy R1 i C1
są odwrócone miejscami i górne wejście
IC1a (na rys. 9.4) jest utrzymywane
w stanie wysokim przez R1. W momen−
cie włączenia zasilania wejście to jest
w stanie niskim (0V), ale po naładowaniu
się kondensatora C1 przechodzi w stan
wysoki, umożliwiający wzbudzenie się
oscylacji.

Sterowanie modułem

Zadaniem opisanych przerzutników

jest generacja fali prostokątnej o niskim
współczynniku wypełnienia, służącej do
sterowania innym układem. Na przykład
opisany w części 5 nadajnik podczerwie−
ni, zastosowany w dołączonym projek−
cie przykładowym, wchodzi w skład
urządzenia alarmowego i musi wobec
tego działać ciągle. Jednakże znacznie
wydajniejsze od nadawania sygnału ciąg−
łego jest nadawanie krótkich zakodowa−
nych pakietów podczerwieni. Moduły
pokazane na rys. 9.5

rys. 9.5

rys. 9.5

rys. 9.5

rys. 9.5 umożliwiają stero−

wanie takim nadajnikiem.

W układzie 9.5a strumień danych jest

doprowadzony do jednego z wejść

bramki AND, IC1, a z drugim jego we−
jściem jest połączone wyjście przerzutni−
ka.

W niektórych mniej krytycznych przy−

padkach zamiast bramki logicznej, jak na
rys, 9.5a, można użyć diodowej bramki
AND. Idea bramki diodowej została omó−
wiona w części 7, a na rys. 9.5b. przed−
stawiono jeden z jej wariantów. Gdy
stan wyjścia przerzutnika jest wysoki,
przez diodę nie przepływa prąd i na wy−
jściu, we wspólnym punkcie D1 i R1,
można odebrać ten sam sygnał jaki do−
tarł do wejścia.

Jeżeli wyjście przerzutnika przerzuci

się do stanu niskiego, zacznie ono pobie−
rać prąd przez rezystor i diodę, w wyniku
czego sygnał wejściowy przestanie do−
cierać do wyjścia bramki. Nie jest to
bramka idealna. Dioda nie jest idealnym
przewodnikiem, a rezystor ogranicza
prąd przepływający z wejścia do wyjścia,
gdy bramka jest otwarta. Jest on po−
trzebny dla zapobieżenia zwarciu w cza−
sie gdy wyjście przerzutnika jest w sta−
nie niskim. Oporność 10kW jest dobrą
wartością na początek. W bramce moż−
na użyć każdej diody sygnałowej, jak np.
1N4148. Jeżeli prąd dopuszczony przez
rezystor jest dla następnego stopnia wy−
starczający, to taka prosta bramka działa
zupełnie dobrze.

Moduły detekcji braku
impulsów

Klasycznym zastosowaniem detekto−

ra braku impulsów jest monitor rytmu
serca. Jeżeli czas pomiędzy dwoma ude−
rzeniami serca okaże się dłuższy od za−
danego, zostaje włączony alarm. Istnieje
jeszcze wiele innych jego zastosowań,
a szczególnie użyteczny i oszczędzający
energię sposób monitorowania różnych
funkcji polega na wysyłania w regular−

Rys. 9.3. Schemat przerzutnika astabilnego z bramek NOR.

Rys. 9.4. Schemat przerzutnika astabilnego z bramek NAND.

Rys. 9.5. Dwie metody bramkowania
danych.

Rys. 9.2. a) Schemat układu czasowego 555, skonfigurowanego do generacji
impulsowego sygnału o współczynniku wypełnienia różnym od jedności, z inwer−
terem TR1. b) Wykres czasowy.

background image

26

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

E

LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 9/96

nych odstępach czasu tylko komunikatu
“wszystko w porządku”.

Na przykład może on służyć do wysy−

łania ze szklarni do domu sygnału radio−
wego (prawnie dozwolonego), zapew−
niającego o utrzymywaniu się poprawnej
temperatury. W przypadku zasilania na−
dajnika z baterii jego nieustanna praca
byłaby bardzo kosztowna. Jeżeli jednak
system ma nadawać tylko wtedy, gdy
temperatura nie jest poprawna, brak
sygnału może oznaczać zarówno nie−
właściwą temperaturę jak i awarię nadaj−
nika. Ale gdy system, przy poprawnej
temperaturze ma nadawać tylko krótki
impuls, na przykład co 10 sekund, będzie
on odporny na awarie, i będzie zużywał
bardzo mało energii. Układ odbiorczy bę−
dzie monitorował ciąg impulsów, włą−
czając alarm tylko po wykryciu ich braku.

Dalej zostaną opisane trzy moduły

procesorowe detekcji braku impulsów.
W pierwszym (rys. 9.6

rys. 9.6

rys. 9.6

rys. 9.6

rys. 9.6) wykorzystano

układ scalony przerzutnika 555, w dru−
gim bramki CMOS NOR (rys 9.7

rys 9.7

rys 9.7

rys 9.7

rys 9.7),

a w trzecim bramki CMOS NAND (rys

rys

rys

rys

rys

9.8

9.8

9.8

9.8

9.8).

Monitor impulsów
z układem 555

Na rysunku 9.6 przedstawiono układ

detektora braku impulsów z układem
czasowym 555. IC1 w zasadzie jest prze−

rzutnikiem monostabilnym, takim jak na
rys. 2.10 w części 2. Wprowadzony do−
datkowy tranzystor pnp TR1 umożliwia
dopływającym impulsom nieustanne
rozładowywanie kondensatora C1 zanim
napięcie na nim osiągnie poziom wyma−
gany do przerzutu układu do stanu spo−
czynkowego.

Rezystor R1 utrzymuje wejście 2 IC1

oraz bazę (b) tranzystora TR1 w stanie
wysokim. Jest to tranzystor pnp (taki jak
BC214L lub podobny), który w stanie
spoczynkowym jest zablokowany. Jeżeli
wejście zostanie wprowadzone w stan
niski, IC1 przerzuci się, a jego wyjście
przejdzie w stan wysoki. Jeżeli nie nade−
jdzie więcej ujemnych impulsów, prze−
rzutnik powróci do stanu spoczynkowe−
go po upływie czasu wyznaczonego
wzorem:
T = 1,1×R×C

Aby otrzymać czas w sekundach,

oporność

R musi

być

wyrażona

w omach, a pojemność C w faradach.
Znacznie wygodniejsze jednak jest uży−
cie MW dla oporności i µF dla pojemnoś−
ci. Mega (M) znosi się z mikro (µ) i wynik
otrzymuje się w sekundach. Jeżeli na
przykład sumaryczna oporność potencjo−
metru VR1 i rezystora R3 wynosi 1MW ,
to czas przerzutu (w sekundach) będzie
w przybliżeniu równy pojemności kon−
densatora C1 (w µF).

Jeżeli jednak przed upływem czasu

T będą nadchodziły następne ujemne
impulsy, będą one za pośrednictwem
tranzystora TR1 rozładowywały konden−
sator C1, wstrzymując powrót przerzut−
nika do stanu spoczynkowego.

Własności detektora braku impulsów

z rys. 9.6 można podsumować w nastę−
pujący sposób: nieprzerwany ciąg impul−
sów na wejściu będzie utrzymywał wy−
jście w stanie wysokim. Gdy impulsów
zabraknie, wyjście powróci do stanu nis−
kiego. VR1 może być potencjometrem
montażowym, chyba że przewiduje się
częste zmiany czasu. Po ustaleniu częs−
totliwości monitorowanych impulsów
należy ustalić czas przerzutnika. Powi−
nien on być dłuższy od przerw pomiędzy
impulsami. Przeważnie czas ten nie jest
krytyczny i VR1 może zostać pominięty,
należy wtedy zwiększyć R3 do wymaga−
nej oporności i połączyć bezpośrednio
z TR1 i C1.

Monitor impulsów
z bramek NOR

Detektor braku impulsów, którego

schemat pokazano na rys. 9.7, składa się
z bramek NOR. Numeracja wyprowa−
dzeń na schemacie jest zgodna cztero−
bramkowym układem CMOS 4001B. Po−
szczególne bramki mogą zostać użyte
w dowolnej kolejności. Można też zasto−
sować inny układ z bramkami, np.
74HC02, trzeba jednak być przygotowa−
nym na inne rozmieszczenie wyprowa−
dzeń (zob. rys. 1.14 w części 1).

Układ ten wymaga trzech bramek

NOR, z których dwóch używa się jako in−
werterów NOT łącząc razem ich wejścia.
W praktycznych układach wygodniej−
szym może okazać się użycie zwykłych
inwerterów NOT, czy też bramek NAND
ze zwartymi wejściami. Wybór zależy od
potrzeb pozostałej części układu i rodza−
ju niewykorzystanych bramek.

Moduł ten wzoruje się na przerzutniku

monostabilnym

CMOS,

opisanym

w części 2 (rys. 2.8). W spoczynku jego

Rys. 9.6. Schemat monitora impulsów z układem 555.

Rys. 9.7. Schemat monitora impulsów z bramkami NOR.

Rys. 9.8. Schemat monitora impulsów z bramkami NAND.

background image

27

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

E

LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 9/96

wejście, a także wyjście, jest w stanie
niskim. Gdy wejście przejdzie w stan
wysoki, wyjście przerzuci się także
w stan wysoki na czas:
T = 0,7×R×C
gdzie
T = czas przerzutu
R = całkowita oporność R2 + VR1
C = pojemność C1

Tak jak poprzednio można posłużyć

się przybliżoną zależnością, według któ−
rej dla oporności 1MW czas w sekun−
dach wynosi około dwóch trzecich po−
jemności w µF.

Jeżeli wejście będzie mogło powrócić

do stanu niskiego, dodatkowa bramka
IC1c nie ma żadnego wpływu na prze−
rzutnik, ponieważ dioda D1 zapobiega
przepływowi prądu z wyjścia 10 IC1c do
kondensatora C1. Jeżeli jednak do we−
jścia nadejdzie dodatkowy dodatni im−
puls, to wyjście 10 IC1c przerzuci się
w stan niski i rozładuje powoli ładujący
się kondensator C1. Wyjście 4 IC1b na−
dal pozostanie zatem w stanie wysokim.

Własności detektora braku impulsów

z rys. 9.7 można podsumować jak nastę−
puje: nieprzerwany ciąg impulsów na
wejściu będzie utrzymywał wyjście
w stanie wysokim. Gdy impulsów za−
braknie, wyjście powróci do stanu nis−
kiego.

Zadaniem diody D2 jest niedopusz−

czenie do obniżenia się napięcia wejść
5 i 6 IC1b poniżej zera (z dokładnością
do spadku napięcia na diodzie). Bez niej
mogłoby się tak zdarzyć w czasie, gdy
napięcie to jest utrzymywane na pozio−
mie 0V przez wyjście 10 IC1c, a wyjście
3 IC1a przerzuci się do stanu niskiego.
Dioda D2 do tego nie dopuści. Wewnęt−
rzne diody zabezpieczają bramki przed
takimi zdarzeniami, a D2 jest zabezpie−
czeniem dodatkowym. Obie diody, D1
i D2, mogą być diodami krzemowymi do−
wolnego typu, jak 1N4148.

VR1 może być potencjometrem mon−

tażowym, chyba że przewiduje się częs−
te zmiany czasu i będzie potrzebny nor−
malny potencjometr z pokrętłem. Po
ustaleniu częstotliwości monitorowa−
nych impulsów, należy ustalić czas prze−
rzutnika. Powinien on być dłuższy od
przerw pomiędzy impulsami. Przeważnie
czas ten nie jest krytyczny i VR1 może
zostać pominięty, należy wtedy zwięk−
szyć R3 do wymaganej oporności i połą−
czyć bezpośrednio z zasilaniem.

Monitor impulsów
z bramek NAND

Przerzutnik może także być zmonto−

wany z bramek NAND, jak pokazany na
rys. 9.8. Układ ten wymaga tylko jednej
bramki NAND, a dwóch używa się jako
inwerterów NOT łącząc razem ich we−

jścia. W praktycznych układach wygod−
niejszym może okazać się użycie zwyk−
łych inwerterów NOT, czy też bramek
NAND ze zwartymi wejściami. Wybór za−
leży od potrzeb pozostałej części układu
i rodzaju niewykorzystanych bramek.

Podobnie jak monitor z 555 na rys.

9.6, układ wymaga ujemnych impulsów
wejściowych (przerzutów ze stanu wy−
sokiego do 0V). Skutkiem takiego impul−
su jest przerzut wyjścia 3 IC1a, jak rów−
nież wejść 5 i 6 IC1b do stanu wysokie−
go, a wyjścia 4 IC1b do stanu niskiego.
Napięcie na wejściach 5 i 6 IC1b obniża
się jednak w miarę jak ładuje się konden−
sator C1, i prąd ładowania w R2 i VR1
maleje. Po upływie wyznaczonego czasu
wyjście 4 IC1b przerzuca się z powro−
tem do stanu wysokiego. Czas przerzutu
oblicza się tak samo jak dla układu z rys.
9.7:
T = 0,7×R×C

Zadaniem dodatkowej bramki IC1c

jest podciąganie wejść 5 i 6 IC1b przez
diodę D1 z powrotem do pełnego napię−
cia za każdym ujemnym impulsem we−
jściowym, a zatem utrzymywanie wy−
jścia 4 IC1b w stanie niskim. Dopiero
gdy ujemny impuls wejściowy nie poja−
wi się przez czas przerzutu przerzutnika,
wyjście przerzuci się do stanu wysokie−
go.

Dioda D2 zapobiega wzrostowi napię−

cia wejść 5 i 6 IC1b powyżej napięcia za−
silania. Zadanie to jest analogiczne, ale
odwrócone, do zadania diody D2 w ukła−
dzie z rys. 9.7. Jako diod D1 i D2 można
użyć dowolnej diody krzemowej, np.
1N4148.

Uwagi dotyczące potencjometru VR1

i doboru bramek w monitorze wersji
NOR mają zastosowanie i w tym przy−
padku. Proponowanym IC1 jest układ
scalony CMOS z bramkami NAND typu
4011B, ale można także zastosować
74HC00, pamiętając jednak, że roz−
mieszczenie jego wyprowadzeń jest in−
ne (zob. część 1, rys. 1.14).

Własności detektora braku impulsów

z rys. 9.8 można podsumować jak nastę−
puje: nieprzerwany ciąg impulsów na
wejściu będzie utrzymywał wyjście
w stanie niskim. Gdy impulsów zabrak−

nie, wyjście powróci do stanu wysokiego.

Ponownie przekaźniki

Układ wyjściowy z przekaźnikiem zo−

stał omówiony w części 1 tej serii. Jest
on powtórzony na rys. 9.9

rys. 9.9

rys. 9.9

rys. 9.9

rys. 9.9, ponieważ

wymaga kilku uwag. Cewka przekaźnika
jest zazwyczaj włączona w obwód kolek−
torowy tranzystora, w tym wypadku
TR1. Gdy tylko napięcie wejściowe
w układzie na rys. 9.9 wzrośnie do około
0,7V, tranzystor zostanie włączony
i wzbudzi cewkę przekaźnika. W cewce
powstaje pole magnetyczne, w skutek
czego zostaje przyciągnięta kotwica, któ−
ra porusza stykami.

Sposób działania przekaźnika prze−

ważnie nie ma wielkiego znaczenia dla
obwodu w którym jest zastosowany, ale
w przeciwieństwie do większości podze−
społów elektronicznych, przekaźnik jest
urządzeniem elektromechanicznym. Zu−
żywa się zatem po pewnej liczbie zadzia−
łań (zwykle bardzo dużej) i nie może
przełączać bardzo szybko.

Nie byłoby na przykład rozsądne za−

stosowanie przekaźnika do przełączania
świateł dyskotekowych. Nieustanne isk−
rzenie pomiędzy zestykami ogromnie
skróciłoby jego żywotność. Jednak prze−
kaźniki są urządzeniami bardzo użytecz−
nymi. Jeżeli nie jest wymagane szybkie
i powtarzalne przełączanie, są przydatne
w układach wymagających izolacji ob−
wodów, zwłaszcza gdy napięcie w ob−
wodzie sterowanym różni się znacznie
od napięcia w obwodzie sterującym.

Rys. 9.9 przedstawia tranzystor

z przekaźnikiem, tworzące jeden moduł.
Przekaźnik może oczywiście zostać uży−
ty w postaci oddzielnego modułu bez in−
nych elementów, jak na rys. 9.10

rys. 9.10

rys. 9.10

rys. 9.10

rys. 9.10, jego

cewkę włącza się po prostu za pomocą
wyłącznika. Obwód wejściowy na rys.
9.10 sprowadza się jedynie do cewki,
a wyjściowy do zestyków.

Nowoczesne przekaźniki mogą być

bardzo małe i niezawodne. Nigdy dotąd
nie było tak szerokiego wyboru przekaź−
ników i dobranie najlepszego do danego
zastosowania nie jest prostym zada−
niem. Wybór parametrów cewki i wybór
parametrów zestyków to zupełnie od−
dzielne procedury.

Rys. 9.10. Bezpośrednio sterowany
przekaźnik.

Rys. 9.9. Przekaźnik sterowany
tranzystorem.

background image

28

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

Klocki elektroniczne

E

LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 9/96

Cewka

Napięcie

Napięcie cewki musi odpowiadać na−

pięciu zasilania obwodu sterującego. Ty−
powymi napięciami cewek przekaźników
są: 3V, 5V, 6V, 12V, 24V. Przeważnie za−
sila się je napięciem stałym, ale istnieją
także cewki na napięcie zmienne sieci
230/250V. Przekaźnik może działać
w pewnym zakresie napięć zasilania
cewki. Na przykład przekaźnik 6V będzie
także działał pod napięciem 5V. Więk−
szość danych technicznych można zna−
leźć w dobrym katalogu.

Oporność

Od oporności cewki zależy natężenie

pobieranego przez nią prądu. Ogólnie
biorąc, im większa oporność tym lepiej.
Jednakże oporność cewek niskonapię−
ciowych musi być na tyle niska, aby wy−
starczyło mocy do sterowania zestyka−
mi. Oporność cewek przekaźników z ze−
społem wielu zestyków musi być niższa
od cewek przekaźników z zestykami po−
jedynczymi.

Zestyki

Rodzaj zestyków

Najprostsze zestyki tworzą jednoob−

wodowy wyłącznik. Po wzbudzeniu cew−
ki zestyki zwierają się. Wiele przekaźni−
ków ma zestyki przełączane. Sporo prze−
kaźników ma szereg zespołów zesty−
ków. Są one nieco droższe i pobierają
nieco większy prąd.

Napięcie zestyków

Napięcie zestyków jest to najwyższe

napięcie, jakie może być przełączane.
Można często spotkać się z napięciem
zestyków 120V zmiennoprądowym. Ta−
kie przekaźniki nie mogą być używane
do napięcia sieciowego 240V.

Warto zwrócić uwagę na fakt, że mak−

symalne dopuszczalne napięcie stałe ze−
styków często jest sporo niższe od na−
pięcia zmiennego. Jest to spowodowa−
ne większą podatnością na iskrzenie sty−
ków rozwieranych pod napięciem stałym
niż pod zmiennym. W dobrym katalogu
powinno się znaleźć wyraźnie podane
maksymalne napięcia stałe i zmienne ze−
styków.

Prąd zestyków

Maksymalne natężenie przełączane−

go prądu większości zwyczajnych prze−
kaźników zarówno może być niższe od
1A jak wyższe od 10A. Nie należy być
zbyt “oszczędnym”, lepiej zastosować
przekaźnik na prąd większy niż niezbęd−
ny.

Pozostałe parametry

W niektórych przypadkach rozmiary

i fizyczny kształt przekaźnika mogą być
istotne. Są przekaźniki przystosowane
do bezpośredniego montażu na płytkach
drukowanych. Inne wstawia się w spe−
cjalne podstawki, które trzeba kupować
oddzielnie. Wiele jest wyposażonych
w końcówki

lutownicze.

Większość

przekaźników mieści się w plastyko−
wych obudowach, a niektóre z nich są

całkowicie szczelne dla ochrony styków
przed zabrudzeniem.

Przekaźniki języczkowe

Przekaźniki języczkowe składają się

z hermetycznych zespołów stykowych,
umieszczonych wewnątrz cewki. Są one
zwykle mniejsze od tradycyjnych, opor−
ność ich cewek zazwyczaj jest większa,
a zatem pobierają mniej prądu. Często
są przeznaczone do bezpośredniego
montażu na płytce drukowanej.

Maksymalne napięcie i maksymalny

prąd zestyków języczkowych są zwykle
mniejsze niż standardowych przekaźni−
ków, co ogranicza ich zastosowanie. Są
jednak często używane w systemach
alarmowych. Na przykład praktycznie
wszystkie detektory PIR (bierne pod−
czerwieni) zawierają przekaźnik języcz−
kowy.

Projekt przykładowy

Projektem przykładowym jest system

alarmowy z podwójną wiązką podczer−
wieni.

Część 10

“System projektowania modułowe−

go” kończy się na części 10. Zostaną
w niej omówione zbliżeniowe czujniki
magnetyczne, przetwarzanie częstotli−
wości na napięcie i liniowy wyświetlacz
głośności. Projekt przykładowy przedsta−
wia sposób wykonania wyświetlacza
szybkości obrotowej osi. Idealne urzą−
dzenie dla rowerzysty!

Max Horsey

Max Horsey

Max Horsey

Max Horsey

Max Horsey

E

RRARE

H

UMANUM

E

ST

W numerze 7/96 EdW popełniliśmy następujące błędy:
·

W spisie treści na stronie 3 pojawiły się nieprawidłowe numery stron artykułów różnych. Prosimy wpisać właściwe
numery stron:
Easytrax − to naprawdę proste, część 7 − str. 36
Mikroprocesor − a co to takiego? Część 2 − str. 51
Kondensatory stałe, część 5 − str. 54
Historia elektroniki, część 7 − str. 58.
Prosimy też wykreślić ze spisu treści pozycję: Ręczny sygnalizator akustyczno−optyczny z grupy Elektronika 2000
(był w EdW 6/96).

·

W ramce “Bity i bajty” na stronie 53 (artykuł “Mikroprocesor − a co to takiego?”) prosimy dopisać dokończenie
ostatniego zdania: Np. przestrzeń adresowa “widziana” przez mikroprocesor 386 firmy Intel sięga 64TB.

·

Na schemacie ideowym przetwornicy na stronie 43 błędnie oznaczono doprowadzenie plusa zasilania (+5V) do kos−
tki U1. Oczywiście chodzi o nóżkę 14, a nie nóżkę 7. Schemat montażowy, czyli rysunek 3, jest dobry.

·

Na stronie 8 w artykule “Centralka alarmowa” na rysunku 4 zamieniono podpisy diod zielonej i czerwonej. Oczywiś−
cie R oznacza red − czerwony, a G − green, czyli zielony.

·

Na rysunku 2 na stronie 26 ("Klocki elektroniczne” − "Układ czasowy”) występują dwa rezystory o oznaczeniu R1. Jak
się łatwo domyślić, dolny rezystor powinien mieć oznaczenie R2 i wartość zgodną z wykazem elementów, czyli
47kW .

Nagrodę−niespodziankę wylosował Piotr Kwadrans z Jeleniej Góry.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
2001 09 01
09 01 2012 Zaliczenie
fil kult 09.01.2007, PSC (Porownawcze Studia Cywilizacji - kulturoznawstwo), Filozofia kultury
Organizacja i zarzdzanie (09.01.2010), GWSH, organizacja i zarządzanie
ekonomia eko firma 09 01 2007
09 01 003 nauczycielka
DGP 2014 09 01 rachunkowosc i audyt
09 01
Uprawa roli - semestr III - wykład 09.01.2013, Ogrodnictwo, Semestr III, Uprawa roli, notatki z wyka
mechanika egzamin MT-2011-09-01-termin1
SIMR-AN1-EGZ-2009-09-01-rozw
09 01 86
egzamin mikroekonomia ii 03 09 01
Dz U 2008 229 1528 wersja 09 01 06

więcej podobnych podstron