F2-70

PAMIĘCI STAŁE EPROM 2

Programowanie i kasowanie komórki FAMOS

PROGRAMOWANIE

→

KASOWANIE

→

CHARAKTERYSTYKI

ELEKTRYCZNE

→

•

Programowanie

: „gorące” elektrony bariera Si/SiO

→

2

→

ładunek ujemny bramki swobodnej

•

Kasowanie

: fotony UV są absorbowane przez elektrony

zwiększenie ich energii

→

wyciągnięcie do podłoża i bramki

sterującej

→

© J. Kalisz, WAT, 2005