F2-71

PAMIĘCI STAŁE EPROM 3

Przykład budowy pamięci EPROM M27C64A

Pojemność: 2

13

x8 = 64 Kb = 8KB

• Sygnał sterujący

CE

(

Chip Enable

): moc strat w stanie

aktywnym (przy

CE

= L) wynosi 100 mW, a w stanie

spoczynkowym (

CE

= H) zaledwie 0.5 mW

• Sygnał sterujący buforami trójstanowymi

OE

(

Output

Enable

) – wyjścia są odblokowane przy

OE

= L

• Sygnał sterujący

PGM

(

Program

)

• Charakterystyczny

czas dostępu od wejść adresowych

t

AA

(

Access from Address

)

• Właściwość pamięci EPROM:

wytrzymałość na wielokrotne

programowanie i kasowanie

. Maksymalna liczba cykli

programowania/kasowania: typowo 100 - 1000

© J. Kalisz, WAT, 2005