Przełączenie

półprzewodników

Ernest Jamro

Kat. Elektroniki AGH

Przełączanie Diody

R

D

Przełączanie diody – c.d.

Włączanie: t

d

=RC ln(2) dla E

F

=E

R

>>U

F

Wyłączanie:

1

3

.

2

10

ln

1

)

1

(

)

(

2

2

1

2

1

































B

t

t

B

dla

B

t

B

B

t

t

I

I

B

t

I

I

I

I

t

R

U

E

I

R

U

E

I

t

R

t

t

F

R

t

R

F

R

F

F

F

F

F

R

R



Przełączanie tranzystora

bipolarnego

Przełączanie tranzystora

bipolarnego

R

BR

CM

C

C

t

o

BG

BR

R

R

R

F

S

S

F

BF

CM

C

C

t

n

E

CM

BF

BG

BF

F

K

const

I

I

C

R

t

t

I

I

K

K

K

K

t

K

Const

I

I

C

R

t

t

h

I

I

I

I

K

1

)

(

)

1

ln(

1

)

(

1

21

































Przełączanie tranzystora

bipolarnego

Metody przyspieszenia wyłączania tranzystora

bipolarnego:

1. Tranzystor Schottky’ego

2. Mniejszy stopień wejścia w nasycenie (małe K

F

=

h

21E

I

B

/I

CM

)

3. Stosowanie kondensatora równolegle z R

b

4. Stosowanie dużego E

R

W przypadku użycia cewki zamiast R

C

należy

pamiętać o stosowaniu diody zabezpieczającej

Inwerter CMOS

Bramka transmisyjna

V

DD

En

We

Wy

U

we

R

V

DD

R

P

R

N

R

NP

V

DD

-U

T

U

T

Włączony En= 1, wyłączony En= 0

Klucz którego zadaniem jest łączenie We z
Wy dla En=1