1

Displeje ciekłokrystaliczne

Displeje ciekłokrystaliczne

Wykład – 9 -

Wykład – 9 -

Pasywne displeje do obserwacji

Pasywne displeje do obserwacji

bezpośredniej adresowane bezpośrednio

bezpośredniej adresowane bezpośrednio

lub multipleksowo pasywnie

lub multipleksowo pasywnie

DISPLEJE

Systemy

zobrazowania

Optoelektronika II SUM ETI 2011/12

Optoelektronika II SUM ETI 2011/12

zaoczny

zaoczny

Tematy referatów

1. Wyświetlacze ciekłokrystaliczne: efekt TN,

problemy adresowania matrycowego,
budowa kolorowego wyświetlacza video.

2. Wyświetlacze plazmowe: budowa

kolorowego wyświetlacza plazmowego i
technika jego adreso-wania.

3. Wyświetlacze elektroluminescencyjne: EL,

OLED, PLED, LED – budowa, efekt fizyczny,
realizacja zobrazowania barwnego,
zastosowania, kierunki rozwoju.

4. Systemy projekcyjne: historia, współczesne

LCD, DLP, budowa, sposób realizacji
zobrazowania, kino cyfrowe.

5. Wyświetlacze na podłożach giętkich –

problemy budowy i kierunki rozwoju.

3

Wstęp

Wstęp

Displeje ciekłokrystaliczne, których produkcję
rozpoczęto w roku 1974 zrewolucjonizowały
rynek technik zobrazowania.

Opanowały one znaczącą część rynku displejów
płaskich i dominują we wszystkich grupach, począwszy
od prostych displejów cyfrowych (gdzie praktycznie nie
mają konkurenta) na ekranach video i graficznych
skończywszy.

Ale rozpoczniemy od przedstawienia

podstawowych informacji o stanie

ciekłokrystalicznym

4

Ciekłe kryształy i ich własności

Ciekłe kryształy i ich własności

fizyczne

fizyczne

Skan rys 2.1

Ciało stałe, ciecz i gaz to trzy powszechnie znane
stany skupienia materii.

Stan ciekłokrystaliczny

jest fazą pośrednią

,

która cechuje się płynnością,

podobnie jak ciecze izotropowe i anizotropią właści-
wości fizycznych, jaką obserwuje się w krystalicznych
ciałach sta-łych o uporządkowanym ułożeniu molekuł

5

6

Istnienie takiego stanu zostało wykryte w 1888 roku przez

austriackiego botanika F. Reinitzera, który zaobserwował dziwne
zachowanie się zsyntezowanego przez siebie benzoesanu
cholesterolu. Stwierdził on, że substancja ta topiąc się,
początkowo tworzy mętną ciecz, która dopiero przy dalszym
ogrzewaniu przechodzi w przezroczystą ciecz izotropową.

Następnie O. Lehman (1889) który dodatkowo stwierdził,

że owa mętna ciecz jest ośrodkiem optycznie anizotropowym.
Ponieważ dwójłomność była cechą charakterystyczną kryształów
zaproponował dla tych materiałów nazwę

Ciekłe

kryształy

LC – Liquid

Crystal

Lehman wykrył również, że stan ciekłokrystaliczny poza
topnieniem powstaje również przy rozpuszczaniu pewnych
substancji organicznych w określonym zakresie stężeń i
temperatur. Takie substancje nazwano później:

Liotropowymi = Liotropic Liquid Crystals
LLC

w odróżnieniu od uzyskiwanych na drodze ogrzewania, które
nazwano

termotropowymi

7

8

W wyniku dalszych badań stwierdzono, że

występowanie stanu ciekłokrystalicznego wiąże się z
dużą anizotropią fizyczną molekuł, np. prętopodobnym
wydłużonym kształtem, który jest przyczyną występo-
wania tendencji do równoległego ustawiania się
molekuł w stosunku do siebie. Obserwowane w LC
uporządkowanie powstaje dzięki istnieniu słabych
oddziaływań między molekularnych (van der Waalsa).
W roku 1977 Chandrasekhar odkrył istnienie stanu LC
w molekułach mających kształt dysku.

Średni kierunek uporządkowania molekuł LC w

danym obszarze określa wektor

n

zwany

direktorem

.

Ruchy termiczne prowadzą do tego, że położenie
długiej osi molekuły w stosunku do kierunku direktora
podlega fluktuacji sięgającej nawet 40

o

.

W zależności od stopnia orientacji molekuł w
próbce objętościowej Friedel (1922) zaproponował
podział TLC na trzy grupy

Smektyczne

Nematyczne

Cholestryczne

9

Skan struktury nem, chol. sm

10

Odrębną grupę stanowią ciekłe kryształy liotropowe –
które otrzymuje się podczas rozpuszczania stałych
substancji w pewnych rozpuszczal-nikach (np.
wodzie). >> Warunkiem koniecznym jest aby
molekuły rozpuszczalnika grupowały się wokół grup
polarnych substancji roz-puszczonej.

Na podstawie badań optycznych i

rentgenowskich zapropono-wano podział LLC na
cztery zasadnicze grupy mające strukturę:

 Liniową

 Komórkową z rdzeniem organicznym sześciennym
otoczonym wodą

 Komórkową z rdzeniem organicznym (komórki
tworzą ugrupowa-nie o symetrii heksagonalnej)
otoczonym wodą

 Komórkową z rozmieszczeniem komórek w układzie
przestrzennie centrowanym i płasko centrowanym

LLC nie znajdują zastosowanie w budowie

displejów – mają natomiast duże znaczenie dla
wyjaśnienia procesów zachodzących w układach
biologicznych

11

Ciekłe kryształy termotropowe to w większości
związki organiczne o wydłużonych molekułach,
których długość i szerokość wynoszą od-powiednio
1,5 – 4,0 nm i 0,5 – 1 nm, a masa cząsteczkowa około
300 – 500.
Cząsteczki te posiadają wyraźnie zaznaczoną długą
oś. Modelem czą-steczki może być wysmukły walec
lub elipsoida obrotowa. Molekuły takie oddziałują ze
sobą w sposób anizotropowy. Energia potencjalna
dwóch molekuł zależy od wzajemnego ustawienia
długich osi i jest najmniejsza gdy sa one równoległe.

Skutkiem tego jest tendencja do

porządkowania się molekuł.

12

4-pentylo 4’-cyjanodwufenyl
(5CB)

DOBAMBC

13

benzoesan cholesterylu

14

Mieszaniny ciekłokrystaliczne

Mieszaniny ciekłokrystaliczne

Materiał ciekłokrystaliczny, aby mógł być

praktycznie zastosowa-ny musi spełniać kilka istotnych
wymagań:

 wysoka trwałość chemiczna, fotochemiczna i
elektrochemiczna

 możliwie szeroki zakres mezofazy

 odpowiednia wartość i znak anizotropii
przenikalności elektrycznej

 niska lepkość

 łatwość uporządkowania

15

16

Displeje

Displeje

ciekłokrystaliczne

ciekłokrystaliczne

17

Referat ????

18

Displeje ciekłokrystaliczne są to displeje pasywne

,

czyli takie, które nie emitują światła a tylko rozpraszają
lub pochłaniają światło pocho-dzące od zewnętrznego
źródła promieniowania. Przy czym dla disple-jów
najprostszych – cyfrowych wystarczającym źródłem
światła jest dzienne światło słoneczne, lub światło
sztuczne takie jak używamy w domu, na ulicy itp. Tak
więc z istoty swojego działania, są to displeje bardziej
energooszczędne, albowiem nie przetwarzają żadnej
części dostarczonej energii elektrycznej na energię
promienistą.

Displeje ciekłokrystaliczne w zależności od

wykonania mogą pracować albo jako transmisyjne, albo
jako refleksyjne (odbiciowe).

19

Displeje ze względu na rodzaj przedstawionych symboli
dzielimy na negatywne oraz pozytywowe. W pierwszym
przypadku otrzymujemy obraz jasny (przezroczysty) na
czarnym tle; w drugim czarny (matowy) na tle białym
(klarownym).

Displeje ciekłokrystaliczne małych i średnich pojemności
najczęściej są wykonywane jako monochromatyczne, a
tylko w nielicznych przypa-dkach; np. displejów
stosowane w deskach rozdzielczych samochodów jako
multichromatyczne. Praktycznie w tej grupie
wskaźników nie spotyka się displejów barwnych.

20

Wykorzystywany efekt elektrooptyczny – nie ma jednego
wybranego

Typowy prosty displej ciekłokrystaliczny jest zbudowany
w sposób sche-matycznie przedstawiony na rysunku

21

22

23

Warstwy porządkujące – tekstury warstw
ciekłokrystalicznych

24

25

26

Wybrane efekty elektrooptyczne

zastosowane w budowie displejów

ciekłokrystalicznych

Rozpraszanie dynamiczne

DS

1968
Efekt skręconego nematyka

TN

1971
Efekt sterowanej polem zmiany dwójłomności

ECB, DAP 1972

Efekt gościa –gospodarza z barwnikiem G-H
1968
Przejście fazowe cholesteryk-nematyk
ChNPC

1968

Przejście fazowe cholesteryk-nematyk z domieszką
barwnika

barwny ChNPC

1974

Efekt zmiany dwójłomności w strukturze skręconej
SBE 1984
Efekt w strukturze superskręconej

STN

1986
Efekt interferencyjny w strukturze skręconej
OMI 1987
Efekt w stabilizowanym powierzchniowo
ferroelektrycznym LC

SSFLC

1984

27

Efekt rozpraszania dynamicznego

Efekt rozpraszania dynamicznego

(RD)

(RD)

Rozpraszanie dynamiczne (DS = Dynamic Scattering) jest
historycznie najstarszym efektem, który bywa
wykorzystywany. Występuje w warstwie nematycznego ck. O
ujemnej anizotropii przenikalności dielektrycznej i
oporności właściwej mniejszej od 10

10

Ωcm

28

29

Efekt Rozpraszania Dynamicznego może być obserwowany

:

 poniżej pewnej częstotliwości granicznej

 powyżej napięcia progowego

 w materiałach o stosunkowo małej oporności właściwej

Displej cyfrowy do kalkulatora pracujący w oparciu
o RD był pier-wszym wdrożonym do produkcji w
1974 roku. Ale praktycznie na wielką skalę efekt
nigdy nie był wykorzystywany. Wady tego efektu to:

Stosunkowo wysokie napięcie pracy 10-20 V oraz
znaczny prąd

 Ograniczony do kilkunastu tysięcy godzin czas pracy

 Ograniczenie częstotliwości napięcia sterującego do
wartości częstotliwości granicznej

 Znaczny wzrost mocy niezbędnej do wysterowania
displeja w niskich temperaturach

 Stosunkowo niski kontrast uzyskanego obrazu, oraz
konieczność stosowania złożonych systemów
oświetlenia

30

Ale tak naprawdę to zasadnicze znaczenie miały
trzy fakty

:

Na początku lat 70-tych ogólny poziom
elektroniki nie wymuszał jeszcze stosowania
nowych generacji wyświetlaczy

 Niedoskonałe były mieszaniny i stosowane
technologie

 Wkrótce odkryto znacznie ciekawszy polowy
efekt Skręconego Nematyka (TN)

31

Efekt skręconego nematyka

Efekt skręconego nematyka

(TN)

(TN)

Efekt ten odkryty i
opisany w roku 1971
przez Schadt’a i
Helfrich’a , jest do
dzisiaj
najpowszechniej
wykorzysty-wanym w
różnego rodzaju
displejach, począwszy
od prostych
cyfrowych na ekra-
nach video
adresowanych
matrycą aktywną
skończy-wszy.

Typowa budowa

di-spleja TN-LCD oraz
zasada jego działania
zostały przed-
stawione na rysunku.

32

33

34

35

Podstawę konstrukcyjną stanowią dwie płytki

szklane z elektro-dami ITO i warstwami orientującymi
wymuszającymi homogeniczne ułożenie molekuł
ciekłego kryształu w warstwie granicznej. Warstwy te
najczęściej wykonywane są z rubbingowanego
(jednokierunkowego polerowanego) poliimidu lub
napylonego pod ostrym kątem (5

o

-7

o

) SiO

x

. Przy czym

w displeju TN kierunki orientacji molekuł naprzeciw-
ległych powierzchniach są skręcone względem siebie o
kąt 90

o

, co wy-musza odpowiednie skręcenie całej

warstwy ciekłego kryształu (stąd też nazwa efektu).

36

Światło dochodzi do drugiego końca warstwy jako

spolaryzowane liniowo o kierunku polaryzacji zgodnym
z kierunkiem ułożenia długich osi molekuł i zgodnie z
kierunkiem polaryzacji analizatora. Przechodzi więc ono
dalej bez przeszkód dając biały (jasny) obraz displeja
transmisja T takiej warstwy jest opisana zależnością

T

a

a









1

2

2

1

1

0

2

2

2

sin (

)



a

d

n

2





Zależność transmisji
T war-stwy od
parametrów „a” a
zatem i od
dwójłomności
warstwy została
przedsta-wiona na
rysunku

37

Napięcie progowe V

pr

przełączania warstwy od

struktury homogeni-cznej do homeotropowej jest
wyrażone zależnością

V

K

K

K

K

K

pr











11

0

33

11

22

11

1

4

2

 

Aby uzyskać pełne przełączenie właściwości

warstwy ciekłego kryształu trzeba przyłożyć napięcie
V

wł

kilkakrotnie wyższe do wymie-nionego powyżej

napięcia progowego.

Tak więc w opisanym displeju TN możemy

uzyskać czarne sym-bole (w miejscu gdzie jest
przyłożone pole elektryczne) na jasnym tle -

displej

pracuje w tzw. modzie pozytywowym

.

38

Zmiana ułożenia kierunku polaryzacji analizatora na
prostopadły do kie-runku skręcenia molekuł, czyli
równoległy do kierunku własnego polary-zatora,
powoduje zmianę modu pracy displeja TN. W tym
przypadku bez pola elektrycznego, skręcona warstwa c.
k. skręca płaszczyznę polaryzacji światła padającego o
kąt 90

o

, ale analizator ma kierunek polaryzacji taki sam

jak polaryzator - czyli światło nie może dalej przejść.
Obserwator widzi wówczas obraz czarny. Włączenie pola
elektrycznego powoduje reorientację molekuł ciekłego
kryształu. W efekcie promień dociera do analizatora bez
zmian i przechodzi przez analizator. Obserwator widzi
wówczas obraz jasny (biały) na czarnym tle - jest to

negatywowy mod pracy displeja

.

39

Budowa displeja TN

 

Przedstawiony powyżej efekt jest

wykorzystywany w różnych typach displejów, przy
czym najczęściej są to

displeje odbiciowe pracujące

w modzie pozytywowym

Taka konstrukcja displeja ma wiele zalet. Umożliwia
bowiem wykorzystanie światła padającego od źródeł
zewnętrznych, oraz umieszczenie elektroni-cznych układów
adresujących bezpośrednio za displejem. Niestety wady ta-
kiego rozwiązania to przede wszystkim słaba jakość
zobrazowania

barwnego,

(niedokładne

odtworzenie

kolorów oraz ich mała jasność).

40

41

Dla displeja TN (podobnie zresztą jak dla innych
displejów ciekłokry-stalicznych) ważnym ograniczeniem
jest kątowa zależność kontrastu. Wynika ona z faktu, że
obserwując wskaźnik pod kątem zmienia się
„efektywna” dwójłomność warstwy a zatem następuje
„odstrojenie” od optymalnej grubości spełniającej
warunki 1-szego lub 2-giego minimum.

42

Inny problem displejów negatywowych to apertura
piksela czyli stosunek powierzchni aktywnej do
całkowitej powierzchni piksela

Powierzchnia niesterowalna zawsze przepuszcza
światło, i przyczynia się do zmniejszenia kontrastu,
dlatego też dla jego podniesienia stosuje się pokrycie
obszarów niewysterowywanych „czarną maską”
black matrix), która eliminuje te szkodliwe efekty.

43

Displeje TN adresowane multipleksowo - bariery i
ograniczenia

.

 

Schemat adresowania multipleksowego, został

przedstawiony wcześniej . Ograniczenia związane z takim
adresowaniem displeja ciekłokrystalicznego przedstawili Alt i
Pleshko . Zauważyli oni, że warstwa ciekłego kryształu
reaguje na wartość skuteczną przyłożonego do displeja
napięcia, niezależnie od kształtu fali adresującej. Czasy
przełączania; narastania 

r

, oraz zaniku 

t

, mówiące o zmianie

transmisji pomiędzy 10% a 90% transmisji maksymalnej są
określone odpowiednio wzorami:









 

r

V

K

d

K

K



 









0

2

2

11

22

1
4

2





gdzie K =K

11









f

K

d



 /

2

Jak widać z
przedstawionych wzorów
oba czasy zależą przede
wszystkim od lepkości,
która z kolei jest funkcją
temperatury.

44

Dynamiczna charakterystyka elektrooptyczna typowego
displeja TN-LCD.

45

Napięcie V

p

przyłożone do

punktu obrazu - jest sumą
napięć przyłożonych do wierszy
V

w

i kolumn V

k

V

p

= V

w

+ V

k

V

V

F

p

ON



1542

.

V

V

F

p

OFF



1000

.

Na podstawie schematu
przedstawionego na rysunku
widać, że w przypadku displeja
o N wierszach (adresowanych
liniach) i okresie adresowania
równym T. Czas adresowania
jednego wiersza jest T/N.

I w tym czasie piksel

włączony (ON) musi
otrzymać sygnał V

p

=S+F

,

natomiast

wyłączony (OFF)

V

p

=S-F

. Natomiast w czasie

kiedy adresowane są pozostałe
wiersze napięcie na nas
interesującym pikselu jest
V

p

=F.

Tak więc w sumie w

całym okresie T otrzymujemy
napięcie skuteczne :

















V

T

S F

T

N

T

N

N

F

N

S F

N

F

ON

















1

1

1

1

2

2

2

2

46

Tak więc w sumie w całym okresie T
otrzymujemy napięcie skuteczne :
- na pikselu włączonym (ON)
 

 
- oraz na pikselu wyłączonym (OFF)









V

N

S F

N

F

OFF









1

1

2

2

Maksymalny stosunek V

ON

/V

OFF

otrzymujemy dla .

Skąd wynika zależność, określająca granice możliwego
multipleksu, w zależności od ostrości (stromości)
statycznej charakterystyki elektrooptycznej.

S

F

N



V

V

N
N

ON

OFF






1
1

47

V

V

N
N

ON

OFF






1
1

Dla dużych N stosunek V

ON

/V

OFF

, zbliża się do 1.

Wówczas też zbliża-my się do granicznej możliwości
multipleksu displeja ciekłokrystalicznego, który oszacowano
na około 250 adresowanych wierszy. W przypadku
displejów ma-łych i średnich pojemności nigdy nie
pracujemy w tak granicznych waru-nkach.

Ale

nawet w przypadku multipleksu 32 razy, który pozwala na
zbudowanie displeja o 64 adresowanych wierszach - czyli o 8-
miu linijkach tekstu wymagamy aby ciekły kryształ miał
charakterystykę elektrooptyczną dla której

V

ON

/V

OFF

1.19

.

Powyższe sprowadza się do warunku aby przy napięciu

progowym

V

pr

2.5V

pełne

wysterowanie

displeja

następowało już dla napięcia 3.0V. Wów-czas też przyjmując,
za napięcie F napięcie progowe równe w tym przypadku
2.5V, otrzymamy że impuls adresujący powinien być

równy .
Jest to więc wartość napięcia, którą muszą przenieść scalone
struktury driverów i kontrolerów displeja. (Na szczęście dla
ciekłokrystalicznej techniki zobrazowania przy bardzo małym
prądzie).

S F

N

V

 

14

48

Ciekłokrystaliczne

Ciekłokrystaliczne

wyświetlacze

wyświetlacze

komputerowe i video

komputerowe i video

referat

Technologie wykorzystywane do budowy wyświetlaczy

Technologie wykorzystywane do budowy wyświetlaczy

płaskich komputerowych i video

płaskich komputerowych i video

Przełom 2002/2003
roku

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Technologia ciekłokrystaliczna

Ciekły kryształ jest
materiałem organi-
cznym
charakteryzu-jącym
się właściwo-ściami
pośrednimi dla
cieczy i anizotropo-
wych
monokryształów

Najważniejsze cechy anizotropii ważne z punktu widzenia LCD
to;

- anizotropia własności optycznych

- anizotropia własności dielektrycznych

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Warstwa
porządkująca

52

53

>> Problemy adresowania

>> Nowe efekty

>> Matryca aktywna

>> Niezbędne udoskonalenia

>> Stan aktualny

54

>>

Problemy adresowania

Problemy adresowania

>> Nowe efekty

>> Matryca aktywna

>> Niezbędne udoskonalenia

>> Stan aktualny

MATRYCA PASYWNA

W przypadku matryc pasywnych każdy piksel leży na

skrzyżowaniu dwóch linii adresowych – jednej dla każdego
wiersza i jednej dla każdej kolumny.

Rozwiązanie to jest bardzo efektywne pod względem

ilości potrzebnych wyprowadzeń, aby sterować
wyświetlaczem o rozdzielczości n * m pikseli potrzebujemy
zaledwie n + m linii adresowych.

Sterowanie matrycą odbywa się
poprzez wybranie odpowiedniego
wiersza i podanie na
kolumny informacji, czyli napięć
odpowiadających docelowym
jasnościom pikseli.

www.mobility.com.

MATRYCA PASYWNA – WADY I ZALETY

Wady starych matryc pasywnych:



panele są wolne,



obraz nie jest ostry,



piksel który został zaadresowany zaczyna powoli wracac do

poprzedniego stanu, co powoduje rozmycie obrazu,



sprzężenie pomiędzy liniami kontrolnymi, powoduje

niedokładną propagację napięcia i wpływa na sąsiadujące

piksele,



duża bezwładność,



przy większych rozdzielczościach widoczne artefakty w

wyświetlanym obrazie,



niezbyt wierna reprodukcja kolorów (jeśli matryca jest

kolorowa) głównie z powodu sprzężeń pojemnościowych linii.

Zalety matryc pasywnych:



łatwość wytwarzania,



niskie koszty.

Obszar zastosowania:



wyświetlacze urządzeń przenośnych np. telefonów



http://www.mobility.com.pl/17,telekomunikacja.htm?action=more&id=3969

Matryca aktywna

Technika matryc aktywnych umożliwia polepszenie
procesu sterowania i wpisywanie informacji bezpośrednio
w piksele. Ideę sterowania poszczególnych punktów
obrazu w systemie matrycy aktywnej po raz pierwszy
zaproponował pod koniec lat 60tych B.J. Lechner.

Matryca aktywna stanowi połączony zespół elementów
sterujących poszczególnymi pikselami. Rozdzielenie
funkcji wyboru piksela i jego wysterowanie umożliwia
szybkie wybieranie linii tj. wpisywanie informacji, która w
dalszym ciągu cyklu powoduje niezależnie od dalszego
jego przebiegu wybieranie i przełączanie piksela.

Matryca aktywna

Ten rozdział funkcji w procesie sterowania odbywa się
najczęściej przez zastosowanie przełącznika podającego
napięcie sterowania na pojemność kondensatora
danego piksela i oddzielającego ten piksel od obwodów
sterowania. Sam przełącznik może być wysterowany
bardzo szybko w czasach mikrosekundowych, a
kondensator utrzymuje ten stan przez pozostałą część
okresu wybierania następnych linii. Jako przełączniki
stosowano początkowo warystory, diody przeciwnie
skierowane, lecz najlepszym rozwiązaniem okazał się
tranzystor cienkowarstwowy TFT

Matryca aktywna

W matrycy aktywnej TFT napięcie przyłożone do
elektrody linii służy jedynie do jej wyboru spośród
wszystkich linii matrycy. W idealnym przypadku
napięcie przyłożone do piksela jest zależne
jedynie od napięcia przyłożonego do elektrody
kolumn matrycy.

Idealny TFT działa jak klucz dla stanu włączonego
powinien wykazywać zerowy spadek napięcia, a
dla wyłączonego nie powinien przewodzić prądu.

MATRYCA AKTYWNA

[TFT-

Thin Film Transistor

]

Sterowanie warstw
ciekłokrystalicznych odbywa
się za pomocą aktywnych
elementów elektronicznych –
tranzystorów TFT, które w
warstwie tylnej pośrednio
adresują (odwzorowują) każdy
piksel, podają napięcie na
okładki kondensatora i
utrzymują je tam do chwili
kolejnej zmiany obrazu

.

http://www.mobility.com.pl/17,telekomunikacja.htm?action=more&id=3969

Schemat budowy displeja ciekłokrystalicznego

adresowanego matrycą aktywną.

Widok piksela matrycy aktywnej sterowanej

tranzystorem TFT z elementem pojemnościowym

Konstrukcje tranzystorów

cienkowarstwowych

Na krzemie
amorficznym

Na krzemie
polikrystaliczny
m

Na CdSe

Żmija J., Zieliński J., Parka J. i
Nowinowski-Kruszelnicki E.
„Displeje ciekłokrystaliczne.
Fizyka, technologia,
zastosowania”. WN PWN,
Warszawa 1993.

Technologia matryc aktywnych na

bazie krzemu amorficznego

Przekrój
tranzystora

Przekrój ekranu z
takim
tranzystorem

Żmija J., Zieliński J., Parka J. i
Nowinowski-Kruszelnicki E.
„Displeje ciekłokrystaliczne.
Fizyka, technologia,
zastosowania”. WN PWN,
Warszawa 1993.

Technologia matryc aktywnych na

bazie krzemu amorficznego

- Osadzanie warstwy chromu o grubości 100nm na podłożu

szklanym metodą rozpylania

- Fotolitografia I – trawienie chromu w celu uzyskania bramki
- Osadzanie SiN o grubości ok. 300 nm metodą PECVD
- Osadzanie warstwy ok. 40 nm domieszkowanego krzemu a-

Si:H(N

-

)

- Osadzanie warstwy ok. 10 nm domieszk. fosforem a-Si:H(N

+

)

- Osadzanie warstwy 100nm chromu metodą rozpylania
- Fotolitografia II – trawienie Cr/a-Si:H(N

+

) w miejscach na

kanały tranzystorów

- Osadzanie warstwy ITO grubości 70nm metodą rozpylania

katodowego

- Fotolitografia III – selektywne trawienie elektrody piksela

– Większość problemów matryc pasywnych rozwiązano

poprzez wykonanie dla każdego subpiksela tranzystora
zapewniającego znacznie lepszą separację pikseli od siebie.

– Każdy subpiksel jest też „wyposażony” w kondensator na

którym, w wyniku przeglądania pikseli, zostaje odłożone
napięcie proporcjonalne do zamierzonej jasności.

– Ze względu na bezwładność samych ciekłych kryształów nie

od razu przyjmą one orientację wynikłą z przyłożonego pola
elektrycznego. W odróżnieniu od matryc pasywnych, gdzie
pole działało tylko w momencie adresowania danego
subpiksela, tutaj wpływa aż do momentu ponownego
zaadresowania.

– Prowadzi to do znacznego zredukowania czasu reakcji

matrycy (nawet poniżej 25ms) w stosunku do matryc
pasywnych (powyżej 100ms, nierzadko nawet 200ms).

MATRYCA AKTYWNA [TFT]

MATRYCA AKTYWNA – WADY I ZALETY

Wady matrycy aktywnej:



skompilowany proces technologiczny,



liczba operacji w procesie fotolitografii (im większa

liczba procesów, tym większe koszty i możliwość

uszkodzeń elementów)



„awaryjność” tranzystorów TFT,



pozycjonowanie masek na dużej powierzchni z bardzo

mała tolerancją.

Zalety matrycy aktywnej:



znaczna poprawa jakości obrazu,



piksel jest izolowany od innych co eliminuje zjawisko

poświaty,



na ekranach TFT efekt bezwładności nie występuje

Obszar zastosowania:



monitory, telewizory.



http://www.mobility.com.pl/17,telekomunikacja.htm?action=more&id=3969

Matryca aktywna vs. matryca pasywna

Różnica między nimi polega na odmiennym sposobie
adresowania kryształów, czyli sposobie zmiany
przykładanego do nich ładunku elektrycznego. Piksele w
matrycy aktywnej są adresowane bezpośrednio, a w
pasywnej pośrednio. Jednak w każdym wypadku zasada
działania pozostaje taka sama. Ładunki są rozprowadzane
pionowymi i poziomymi wiązkami przewodów. Tam, gdzie
się krzyżują, znajdują się miejsca pobudzania kryształów do
zmiany kąta. Kryształy w matrycach pasywnych są
adresowane poprzez ładunki lokalne, przy czym nic nie
powstrzymuje ładunków elektrycznych przed rozpływaniem
się na boki i wpływaniem na położenie kryształów
sąsiednich. Stąd rozmyty obraz matrycy pasywnej, smugi i
cienie ciągnące się za obiektami takimi jak okna dialogowe.

Matryce aktywne zbudowane są z tranzystorów

cienkowarstwowych, które gromadzą i utrzymują w
sobie ładunki elektryczne, zapobiegając ich
rozlewaniu na inne piksele. Taki tranzystor
przekazuje odpowiednie napięcie tylko do jednego
kryształu, dzięki czemu nie ma problemu smużenia
ani rozmycia obrazu.

Matryca aktywna vs. matryca pasywna

.

Matryca pasywna vs. Matryca aktywna

71

>> Problemy adresowania

>>

Nowe efekty

Nowe efekty

>> Matryca aktywna

>> Niezbędne udoskonalenia

>> Stan aktualny

Efekty elektrooptyczne w cienkich

warstwach nematyka – czyli dalsze

ulepszanie jakości obrazu

1984 - SBE - Efekt zmiany dwójłomności w strukturze

skręconej

1986 - STN - Efekt w strukturze superskręconej

1987 - OMI - Efekt interferencyjny w strukturze skręconej

73

SBE

Efekt ten charakteryzuje „optymalna” ostrość statycznej
charakterystyki elektro-optycznej.

Ale niestety dla małych kątów pochylenia molekuł w

war-stwie granicznej pojawiają się szkodliwe deformacje
dwuwymia-rowe.

(Skręcenie o kąt 270 jest równoważne -90

0

)

74

Efekty te można zlikwidować na dwóch drogach:

- Przez zmniejszenie kąta skręcenia struktury >>STN, OMI

- Przez zwiększenie kąta pochylenia molekuł LC na granicy z
elektrodą do

20 -30

0

Displej jest zbudowany typowo – różnica w stosunku do TN
polega na innych warstwach orientujących (pierwsze były
tlenki). Napięcie włączenia są również takie same natomiast
WYŁĄCZENIA istotnie różne

Granice dla
multipleksu

1:100

Kolejne zalety to
możliwość uzyskania
kontrastu (dla
standardowej mieszaniny)

1:20

Podczas gdy dla tej
mieszaniny i efektu TN
kontrast 1:3 jest
praktycznie nieosiągalny

75

Podstawowe znaczenie dla uzyskania obrazu w SBE ma efekt
dwójłomności optymalna warstwa powinna spełniać warunek:

<Θ> - średnia wartość kąta pochylenia molekuł tej warstwy w
stanie wyłączonym

Warunkiem koniecznym uzyskania obrazu jest odpowiednie
ułożenie polaryzatora i analizatora

Dla warstwy lewoskrętnej polaryzator musi być tak ułożony
aby kierunek drgań światła spolaryzowanego tworzył kąt
30

0

z osią optyczną warstwy granicznej NLC

polaryzato

r

Warstwa

graniczna

Analogiczny kąt dla
analizatora wynosi 60

0

ndcos

2

<  >  0,8

μm

76

Przy takim ułożeniu polaryzatorów oraz spełnieniu warunków na θ
i d przetwornik w stanie

WYŁĄCZONYM jest jasnożółty,

natomiast

we

WŁĄCZONYM - czarny.

Mówimy, że przetwornik pracuje w

tzw. modzie żółtym

Odwrócenie jednego z polaryzatorów o 90

0

daje

dopełniający

mod niebieski

77

Podsumowując opacie się na efekcie SBE 270 pozwala
potencjalnie na budowanie dobrych jakościowo
displejów o dużej pojemności informa-tycznej ale przy
spełnieniu dwóch warunków:

Konieczność dużego granicznego kąta pochylenia
molekuł 20-30

0

Uzyskiwany obraz jest barwny – wymaga więc warstw
kompensują-cych.

78

STN

Jest to również efekt w którym wykorzystuje się właściwości
dwójłomnie skręconej struktury nematyka z tym, że:
> Typowy kąt skręcenia struktury mieści się w granicach
180-240

0

> Kąt pochylenia molekuł w warstwie granicznej około 1

0

Porównanie statycznych charakterystyk efektów TN,
STN, SBE

79

Dla uzyskania optymalnego kontrastu polaryzatory muszą tworzyć
ze zorientowaną warstwą NLC odpowiednio kąty WE = 45

0

WY =

45

0

Kąt dobrego widzenia wynosi 23

O

czyli dwukrotnie więcej jak dla

TN ale znacznie mniej jak dla SBE.

Poniżej krzywe widmowe

W stanie WYŁ obraz
jest bardziej
zielonkawy jak
jasnożółty

W stanie WŁĄCZ
obraz jest bardziej
purpurowo-niebieski
jak czarny (w SBE)

80

Wpływ parametrów materiałowych na statyczne charakterystyki
elektro-opty-czne

Podsumowując kosztem niewielkiego pogorszenia parametrów
optycznych w porównaniu z SBE udało się uniknąć kłopotliwego
porządkowania.

Pozostaje natomiast wada – obraz jest barwny i są to barwy
interferencyjne >>> czyli trudne do wyeliminowania a zatem
uniemożliwiające realizację zobrazowania barwnego.

81

OMI

Efekt OMI (Optical Mode Interference) to trzeci jakościowo różny
efekt w stosunku do SBE i STN występujący w cienkich warstwach
nematyka skręconego o 180

O

i spełniających warunek

0,4<Δnd<0,6μm

Statyczna charakterystyka elektro-optyczna dla tego efektu jest
podobna do wcześniej omawianych SBE i STN

>>>>> pozwala natomiast na uzyskanie czarno białego obrazu o
dobrym kontraście

>>>wadą jest natomiast mała jasność efektu, która jest o połowę
mniejsza w stosunku do jasności np. STN

82

83

Porównanie

Porównanie

Rodzaj

efektu

Rok

opisa

nia

zalety

wady

TN

1971 - Prosta budowa

- tani

-

Mały multipleks

-

mały kontrast przy dużym

multipleksie

SBE

1984 - b. duży multipleks

- b. dobry kontrast
- Szeroki kąt widzenia

-

Podbarwienie tła (żółte)

-

nietechnologiczny ze względu na

wymagania dużego kąta pochylenia

molekuł w warstwie granicznej

STN

1986 - Łatwy w produkcji

- Możliwe jest

zastosowanie typowych

technologii dla TN

- Podbarwienie tła (żółte)

-

Kontrast gorszy jak w SBE

-

trudność z uzyskaniem barwy i

szarości

OMI

1987 - Białe tło

-

Mniejszy multipleks

-

mały kontrast

-

trudność z uzyskaniem barwy i

szarości

ECB

1989

-

b. szeroki kąt widzenia

-

łatwa produkcja

-

łatwość uzyskania

zobrazowania barwnego i

szarości

- Konieczność stosowania wyższych

napięć sterujących

Efekty bistabilne w

Efekty bistabilne w

warstwach smektycznych lc

warstwach smektycznych lc

84

85

86

87

88

89

90

>> Problemy adresowania

>>

Nowe efekty

Nowe efekty

Jedyne rozsądne rozwiązanie to
>> Matryca aktywna

>> Niezbędne udoskonalenia

>> Stan aktualny

Matryca aktywna

Matryca aktywna

91

92

93

94

95

96

97

98

>> Problemy adresowania

>>

Nowe efekty

Nowe efekty

>> Matryca aktywna

>> Niezbędne udoskonalenia

>> Niezbędne udoskonalenia

>> Stan aktualny

Niezbędne udoskonalenia

Niezbędne udoskonalenia

efekty o szerokim kącie

efekty o szerokim kącie

widzenia

widzenia

99

Efekty

Efekty

aktualnie

aktualnie

stosowane w monitorach TV

stosowane w monitorach TV

Display modes

Princip

le

Number

of

polarizes

Dielectri
anisotro

Molecular orientation
Initial > Applied electric field

Twisted nematic (TN)

Optical
rotation

2

Δε > 0

Twist (=90

o

) > Perpendicular to

substrate surface

Super-twisted

nematic

(STN)

Retardat
ion

2

Δε > 0

Twist (>90

o

) > Perpendicular to

substrate surface

In-plane switching (IPS)

Retardat
io

n

2

Usually
Δε > 0

Homogeneous > Homogeneous

Electrically
controlled
birefringenc
e (ECB)

Homogeneous
type

Retardat
ion

2

Δε > 0

Homogeneous > Perpendicular to
substrate surface

VA, MVA*

Δε < 0

Homeotropic > Parallel to substrate
surface

HAN*

Δε > 0

Hybrid > Perpendicular to substrate
surface

PI

cell,

Optically

compensated bend (OCB)

Retarda
tion

2

Δε > 0

Bend > Bend

Polymer dispersed Liquid
Crystal (PDLC)

Light
scatterin

0

Δε > 0 or
Δε < 0

Random > Perpendicular / Parallel to
substrate surface

Guest – host (GH)

Dichrois
m

1 or 2

Δε > 0

Homogeneous / Twist > Perpendicular
to substrate surface

Δε < 0

Homeotropic / Twist > Parallel to
substrate surface

Display modes

Princip

le

Number

of

polarizes

Dielectri
anisotro

Molecular orientation
Initial > Applied electric field

Twisted nematic (TN)

Optical
rotation

2

Δε > 0

Twist (=90

o

) > Perpendicular to

substrate surface

Super-twisted

nematic

(STN)

Retardat
ion

2

Δε > 0

Twist (>90

o

) > Perpendicular to

substrate surface

In-plane switching (IPS)

Retardat
io

n

2

Usually
Δε > 0

Homogeneous > Homogeneous

Electrically
controlled
birefringenc
e (ECB)

Homogeneous
type

Retardat
ion

2

Δε > 0

Homogeneous > Perpendicular to
substrate surface

VA, MVA*

Δε < 0

Homeotropic > Parallel to substrate
surface

HAN*

Δε > 0

Hybrid > Perpendicular to substrate
surface

PI

cell,

Optically

compensated bend (OCB)

Retarda
tion

2

Δε > 0

Bend > Bend

Polymer dispersed Liquid
Crystal (PDLC)

Light
scatterin

0

Δε > 0 or
Δε < 0

Random > Perpendicular / Parallel to
substrate surface

Guest – host (GH)

Dichrois
m

1 or 2

Δε > 0

Homogeneous / Twist > Perpendicular
to substrate surface

Δε < 0

Homeotropic / Twist > Parallel to
substrate surface

Display modes

Display modes

Princip

le

Princip

le

Number

of

polarizes

Number

of

polarizes

Dielectri
anisotro

Dielectri
anisotro

Molecular orientation
Initial > Applied electric field

Molecular orientation
Initial > Applied electric field

Twisted nematic (TN)

Twisted nematic (TN)

Optical
rotation

Optical
rotation

2

2

Δε > 0

Δε > 0

Twist (=90

o

) > Perpendicular to

substrate surface

Twist (=90

o

) > Perpendicular to

substrate surface

Super-twisted

nematic

(STN)

Super-twisted

nematic

(STN)

Retardat
ion

Retardat
ion

2

2

Δε > 0

Δε > 0

Twist (>90

o

) > Perpendicular to

substrate surface

Twist (>90

o

) > Perpendicular to

substrate surface

In-plane switching (IPS)

In-plane switching (IPS)

Retardat
io

n

Retardat
io

n

2

2

Usually
Δε > 0

Usually
Δε > 0

Homogeneous > Homogeneous

Homogeneous > Homogeneous

Electrically
controlled
birefringenc
e (ECB)

Electrically
controlled
birefringenc
e (ECB)

Homogeneous
type

Homogeneous
type

Retardat
ion

Retardat
ion

2

2

Δε > 0

Δε > 0

Homogeneous > Perpendicular to
substrate surface

Homogeneous > Perpendicular to
substrate surface

VA, MVA*

VA, MVA*

Δε < 0

Δε < 0

Homeotropic > Parallel to substrate
surface

Homeotropic > Parallel to substrate
surface

HAN*

HAN*

Δε > 0

Δε > 0

Hybrid > Perpendicular to substrate
surface

Hybrid > Perpendicular to substrate
surface

PI

cell,

Optically

compensated bend (OCB)

PI

cell,

Optically

compensated bend (OCB)

Retarda
tion

Retarda
tion

2

2

Δε > 0

Δε > 0

Bend > Bend

Bend > Bend

Polymer dispersed Liquid
Crystal (PDLC)

Polymer dispersed Liquid
Crystal (PDLC)

Light
scatterin

Light
scatterin

0

0

Δε > 0 or
Δε < 0

Δε > 0 or
Δε < 0

Random > Perpendicular / Parallel to
substrate surface

Random > Perpendicular / Parallel to
substrate surface

Guest – host (GH)

Guest – host (GH)

Dichrois
m

Dichrois
m

1 or 2

1 or 2

Δε > 0

Δε > 0

Homogeneous / Twist > Perpendicular
to substrate surface

Homogeneous / Twist > Perpendicular
to substrate surface

Δε < 0

Δε < 0

Homeotropic / Twist > Parallel to
substrate surface

Homeotropic / Twist > Parallel to
substrate surface

1
0
1

IPS - In-Plane Switching

IPS miało w założeniu

poprawić wszytyskie wady

technologii TN. W

rezultacie uzyskano dużo

lepsze kąty widzenia. Do

tego piksel nie

spolaryzowany napięciem

pozostaje nie skręcony,

dzieki czemu ekran ma

głęboką czerń, a martwe,

czarne subpiksle są mało

widoczne. Niestety jednak

przez zastosowanie dwóch

elektrod wzrósł znacznie

czas reakcji (nawet 60ms),

oraz pobierana moc.

1
0
2

IPS - In-Plane Switching

Ulepszenia w technologii IPS

S – IPS (1998)

- Mniejszy czas reakcji
- świetne odwzorowanie
kolorów

- tańszy w produkcji niż IPS

AS – IPS (2002)

- Zwiększona
transmitancja

- większy kontrast

1
0
3

IPS - In-Plane Switching

IPS – Pro (2004)

-

Zwiększenie
kontrastu o 70%

-

Zmniejszenie czasu
odpowiedzi o 10%

-

Zwiększenie
transmitancji

-

Małe zużycie
energii

1
0
4

Nowoczesne typy matryc

PVA/MVA

Cechy PVA/MVA

- Kompromis między TN a IPS
- Duża ilość wyświetlanych kolorów

Oba typy matryc wyświetlają 16mln kolorów

- Wysoki kontrast

Kontrast wynosi w PVA od 1:1000 nawet do 1:1500, w MVA
jest nieco gorszy

- Niemal idealny kąt widzenia (178/178)

Eliminacja jednej z największych wad matryc TN – małego kąta
widzenia

-

Dość wolny czas reakcji w porównaniu do TN i IPS

Wynosi on 16-25 µs, przejścia pomiędzy odcieniami < 30 µs

1
0
5

Nowoczesne typy matryc

PVA/MVA

Porównanie PVA i MVA

•Pionowe ustawienie molekuł
ciekłych kryształów

•Wielodomenowość –różna początkowa
orientacja c. kryształów

MVA

•Wypukłości - protrusions

•Wolny czas reakcji dla słabych odcieni

PVA

•Elektrody ITO tworzą Fringe Field Effect

•Niższy poziom czerni – wyższy kontrast

•Poprawa czasu reakcji dla ciemnych
odcieni

•Stosunkowo wolny czas przejścia
miedzy niektórymi odcieniami

1
0
6

Matryca typu S-VPA

•8 domen
•2 niezależnie sterowane
obszary w każdym subpikselu –
dwa tranzystory TFT na piksel

•Bardzo szerokie kąty widzenia,
wierna reprodukcja barw,
ulepszony czas reakcji

107

108

109

110

111

112

113

>> Problemy adresowania

>> Nowe efekty

>> Matryca aktywna

>> Niezbędne udoskonalenia

>> Stan aktualny zalety i problemy techniki ck.

>> Stan aktualny zalety i problemy techniki ck.

Stan aktualny

Stan aktualny

114

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Zalety technologii ciekłokrystalicznej

-najcieńszy profil
- najniższa waga
- niskie napięcie i moc adresująca
- kolor porównywalny z CRT
- najniższy koszt
- kompatybilność z układami elektronicznymi

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Problemy technologii ciekłokrystalicznej

- ograniczony zakres temperatur pracy
- ograniczony kąt dobrego widzenia obrazu
- dynamika przełączeń
- konieczność stosowania „lamp” podświetlających
- jasność zobrazowania

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Rozwiązania problemów:

-ograniczony zakres temperatur

> nowe materiały

> dodatkowe systemy ogrzewania

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

-dynamika przełączeń

> matryca aktywna

> smużenie

119

>> Domieszki nanocząstek

120

121

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

-ograniczony kąt widzenia

> nowe „efekty” i budowa wyświetlacza

- IPS = in plane switching

- MVA = multidomain vertical allignment

- PVA = pattern vertical allignment

Kąt widzenia
170

o

w

płaszczyźnie
horyzontalnej

123

>>>Problem koloru zobrazowania

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

-Podświetlenie

> nowe generacje lamp (w tym białe LED)

> wyświetlacze odbiciowe

-Jasność i kontrast obrazu

Zmiana technologii nanoszenia filtrów barwnych na
technologię COA = color filter on array (poprawa 25-30%)
 Wprowadzenie filtrów RGBW = red, green, blue, white
(poprawa nawet 50%)

125

Rodzaje podświetlenia

• CCFL (Cold Cathod Fluorescent Lamp)

Podświetlenie

krawędziowe,

bezpośrednie, CCFL RGB

• rysunek przedstawia zestawienie przestrzeni barwowej

monitora z podświetleniem bezpośrednim CCFL oraz z

podświetleniem CCFL RGB. Monitor z podświetleniem

bezpośrednim CCFL dysponuje przestrzenią barwową

sRGB, natomiast monitor z podświetleniem CCFL RGB

posiada ponad 100% przestrzeni barwowej AdobeRGB.

Monitory posiadające podświetlenie CCFL RGB są

jeszcze grubsze niż te wyposażone w bezpośredni

model podświetlenia CCFL.

Rodzaje podświetlenia LED

Rodzaje podświetlenia LED

Porównanie podświetlenia

CCFL, LED, RGB LED

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Wyświetlacze ciekłokrystaliczne

Działania mające na celu obniżenie ceny:

- zmiana systemu napełniania z próżniowego na jedno kropelkowe
- redukcja ilości masek w procesie fotolitografii matrycy aktywnej z 5 na
4

- zmiana procesu nanoszenia filtrów barwnych
- nowe generacje podłoży

Generacje szkła

Generacja 5

Generacja 7

Wymiary szkła

1100 x 1300 mm

1870 x 2200 mm

Ilość
ekranów

na jedno
podłoże

15 cali

16

42

32 cale

3

12

40 cali

2

8

133

Przykłady

Przykłady

134

135

Podświetlenie LED

136

42’ z podświetleniem z dwóch
stron – montaż na ścianę

37 ‘ 8ms

137

Lotnicze

138

1
3
9

O miejscu techniki ciekłokrystalicznej niech

O miejscu techniki ciekłokrystalicznej niech

świadczą nagrody SID za rok 2010

świadczą nagrody SID za rok 2010

Displej roku

Gold Award: LG Display’s 47-in.
3-D LCD Panel is the first
commercially
available TFT-LCD module for 3-D
televisions in the mid- 40-in. range.
The panel works with polarized
glasses to provide high-quality 3-D
imagery.

1
4
0

Silver Award: Pixel Qi’s 3Qi Multimode LCD
is visible indoors and out, delivering color,
video, and a clear and crisp reading experience
wherever it is viewed.

1
4
1

LCD-TV Makers Go Thin and
Green to Generate New Growth

LCD manufacturers are looking beyond pricing and
volume to gain market share. Those that take the lead
will do so by developing and optimizing slimmer, more
energy-efficient models.

Kierunki rozwoju

Kierunki rozwoju

Tematy referatów

1. Wyświetlacze ciekłokrystaliczne: efekt TN,

problemy adresowania matrycowego,
budowa kolorowego wyświetlacza video.

2. Wyświetlacze plazmowe: budowa

kolorowego wyświetlacza plazmowego i
technika jego adreso-wania.

3. Wyświetlacze elektroluminescencyjne: EL,

OLED, PLED, LED – budowa, efekt fizyczny,
realizacja zobrazowania barwnego,
zastosowania, kierunki rozwoju.

4. Systemy projekcyjne: historia, współczesne

LCD, DLP, budowa, sposób realizacji
zobrazowania, kino cyfrowe.

5. Wyświetlacze na podłożach giętkich –

problemy budowy i kierunki rozwoju.