Symbole - Parameter Names KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2009-07-23 (15968) A AnhangAppendix A.1 Formelzeichen und SymboleFormula Symbols and Parameter Names bfb:b21b: Übertragungssuszeptanz vorwärts, in Basisschaltung. Imaginärteil der Vorwärtssteilheit y21b = g21b + j x b21b, enthält die Übertragungskapazität: b21b = x C21b Small-Signal Common-Base Short-Circuit Forward Transfer Susceptance. Imaginary Component of Forward Transfer Admittance y21b = g21b + j x b21b, includes Transfer Capacitance: b21b = x C21b bfe:b21e: Übertragungssuszeptanz vorwärts, in Emitterschaltung. Imaginärteil der Vorwärtssteilheit y21e = g21e + j x b21e, enthält die Übertragungskapazität: b21e = x C21e Small-Signal Emitter-Base Short-Circuit Forward Transfer Susceptance. Imaginary Component of Forward Transfer Admittance y21e = g21e + j x b21e, includes Transfer Capacitance: b21e = x C21e bib:b11b: Kurzschluss-Eingangssuszeptanz in Basisschaltung. Imaginärteil der Eingangsadmittanz y11b = g11b + j x b11b, enthält die Eingangskapazität: b11b = x C11b Small-Signal Common-Base Input Susceptance. Imaginary Component of Input Admittance y11b = g11b + j x b11b, includes Input Capacitance: b11b = x C11b bie:b11e: Kurzschluss-Eingangssuszeptanz in Emitterschaltung. Imaginärteil der Eingangsadmittanz y11e = g11e + j x b11e, enthält die Eingangskapazität: b11e = x C11e Small-Signal Common-Emitter Input Susceptance. Imaginary Component of Input Admittance y11e = g11e + j x b11e, includes Input Capacitance: b11e = x C11e bob:b22b: Kurzschluss-Ausgangssuszeptanz in Basisschaltung. Imaginärteil der Ausgangsadmittanz y22b = g22b + j x b22b, enthält die Ausgangskapazität: b22b = x C22b Small-Signal Common-Base Output Susceptance. Imaginary Component of Output Admittance y22b = g22b + j x b22b, includes Ouput Capacitance: b22b = x C22b boe:b22e: Kurzschluss-Ausgangssuszeptanz in Emitterschaltung. Imaginärteil der Ausgangsadmittanz y22e = g22e + j x b22e, enthält die Ausgangskapazität: b22e = x C22e Small-Signal Common-Emitter Output Susceptance. Imaginary Component of Output Admittance y22e = g22e + j x b22e, includes Ouput Capacitance: b22e = x C22e brb:b12b: Übertragungssuszeptanz rückwärts, in Basisschaltung. Imaginärteil der Rückwärtssteilheit y12b = g12b + j x b12b, enthält die Rückwirkungskapazität: b12b = x C12b Small-Signal Common-Base Short-Circuit Reverse Transfer Susceptance. Imaginary Component of Reverse Transfer Admittance y12b = g12b + j x b12b, includes Feedback Capacitance: b12b = x C12b bre:b12e: Übertragungssuszeptanz rückwärts, in Emitterschaltung. Imaginärteil der Rückwärtssteilheit y12e = g12e + j x b12e, enthält die Rückwirkungskapazität: b12e = x C12e Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Reverse Transfer Susceptance. Imaginary Component of Reverse Transfer Admittance y12e = g12e + j x b12e, includes Feedback Capacitance: b12e = x C12e BW: Bandbreite (-3dB) Bandwidth (-3dB) C: Kapazitätsänderung Capacitance Change C/T: Temperaturkoeffizient der Kapazität Capacitance Temperature Coefficient C1: Kondensator Nr.1 (Eingangskreis oder obere Sektion) - Eingangskondensator (Koppelkondensator) Capacitor No.1 (Input Circuit or Upper Section) - Input Capacitor (Coupling or Blocking Capacitor) C2: Kondensator Nr.2 (Ausgangskreis oder untere Sektion) - Ausgangskondensator (Koppelkondensator) Capacitor No.2 (Output Circuit or Lower Section) - Output Capacitor (Coupling or Blocking Capacitor) Case: Gehäuseform und Anschlussbild Case Outline and Connection Diagram CB: Basis-Koppelkondensator Base Coupling Capacitor Cb'c: Kollektor-Sperrschichtkapazität - Ausgangskapazität Collector Capacitance - Output Capacitance Cc: Kollektorkapazität  Collector Capacitance CCBO: Kollektor-Basis-Kapazität bei offenem Emitter (IE=0) Collector-to-Base Capacitance at Open Emitter (IE=0) Ccc: Kapazität zwischen Kollektor und Gehäuse Collector-to-Case Capacitance Ce: Emitterkapazität Emitter Capacitance CEBO: Emitter-Basis-Kapazität bei offenem Kollektor (Ic=0) Emitter-to-Base Capacitance at Open Collector (Ic=0) Cib:C11b: Eingangskapazität in Basisschaltung Common-Base Input Capacitance Cibo: Eingangskapazität bei offenem Kollektor (Ic=0) Input Capacitance at Open Collector (Ic=0) Cie:C11e: Eingangskapazität in Emitterschaltung Common-Emitter Input Capacitance CIN: Äquivalente Parallel-Eingangskapazität Parallel Equivalent Input Capacitance Ciss:C11s: Eingangskapazität in Source-Schaltung Common-Source Input Capacitance CKL: Ladekondensator Filter-Input Capacitor CL: Lastkapazität Load Capacitance CM/Co: Verhältnis von maximaler durch minimale Kapazität bei Kapazitätsdioden Maximum by Minimum Capacitance Ratio of Variable-Capacitance Diodes CMD: Kreuzmodulationsverzerrungen Cross-Modulation Distortion Cob:C22b: Ausgangskapazität in Basisschaltung, Eingang kurzgeschlossen Common-Base Output Capacitance Cobo: Ausgangskapazität bei offenem Emitter (IE=0) Output Capacitance at Open Emitter (IE=0) Co/CM: Verhältnis von minimaler durch maximale Kapazität bei Kapazitätsdioden Minimum by Maximum Capacitance Ratio of Variable-Capacitance Diodes Coe:C22e: Ausgangskapazität in Emitterschaltung Common-Emitter Output Capacitance Coss:C22s: Ausgangskapazität in Source-Schaltung Common-Source Output Capacitance COUT: Äquivalente Parallel-Ausgangskapazität Parallel Equivalent Output Capacitance CP: Parallelkondensator - Transientenschutz-Kondensator Parallel Capacitor - Transient Protection Capacitor CR: Diodenkapazität in Sperrrichtung Diode Capacitance at Reverse Bias Crb:C12b: Rückwirkungskapazität in Basisschaltung Common-Base Reverse Transfer Capacitance - Feedback Capacitance Cre:C12e: Rückwirkungskapazität in Emitterschaltung Common-Emitter Reverse Transfer Capacitance - Feedback Capacitance Cres: Kapazität im Resonanzkreis Resonating Circuit Capacitance Crss:C12s: Rückwirkungskapazität in Source-Schaltung Common-Source Reverse Transfer Capacitance CT: Gesamtkapazität Total Capacitance CTR: Koppelfaktor (Stromübertragungsverhältnis) eines Optokopplers Current Transfer Ratio of a photocoupler CTV: Gesamtkapazität im Talspannungsminimum Total Valley-Point Capacitance CV: Kapazität im Talspannungsminimum Valley-Point Capacitance d: Abstand Distance DI: Lineare Reduktion des zulässigen Stromes bei erhöhter Temperatur Current Derating at Increased Temperature -di/dt: Stromsteilheit Current Slope diF/dt: Stromsteilheit in Durchlassrichtung Forward Current Slope DP: Lineare Reduktion der Verlustleistung bei erhöhter Temperatur Power Dissipation Derating at Increased Temperature DU: Lineare Reduktion der zulässigen Spannung bei erhöhter Temperatur Voltage Derating at Increased Temperature EM: Spitzenenergie Peak Energy EM (HF): HF-Spitzenenergie RF Peak Energy E (SB): Energie zum zweiten Durchbruch mit Basis-Emitter-Vorspannung in Sperrrichtung Second-Breakdown Energy with Base Reverse Biased E (SB)O: Energie zum zweiten Durchbruch bei offener Basis Second-Breakdown Energy with Base Open E (SB)R: Energie zum zweiten Durchbruch mit spezifiziertem Widerstand zwischen Basis und Emitter Second-Breakdown Energy - Specified Base-Emitter Resistance E (SB)X: Energie zum zweiten Durchbruch bei spezifiziertem Widerstand RBE zwischen Basis und Emitter und spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) Second-Breakdown Energy - Specified Base-Emitter Resistance RBE and Base Reverse Voltage UBE(OFF) eta: Kollektorwirkungsgrad = POUT / (Ucc x Ic) Collector Efficiency = POUT / (Ucc x Ic)       f: Arbeitsfrequenz Operating Frequency   f: Frequenzvariation - Bandbreite Frequency Variation - Bandwidth     fLO: Frequenzabweichung des Hauptoszillators, Mischoszillators Frequency Deviation of the Local Oscillator F: Rauschzahl Noise Factor - Noise Figure Facteur de bruit   Fc: Mischrauschzahl Conversion Noise Figure fhfb: Grenzfrequenz der Kurzschluss-Stromverstärkung in Basisschaltung Common-Base Small-Signal Short-Circuit Forward Current Transfer Ratio Cut-Off Frequency fhfe: Grenzfrequenz der Kurzschluss-Stromverstärkung in Emitterschaltung Common-Emitter Small-Signal Short-Circuit Forward Current Transfer Ratio Cut-Off Frequency FIF: Rauschzahl des ZF-Verstärkers Noise Figure of the IF Amplifier fIF: Zwischenfrequenz Intermediate Frequency fm: Modulationsfrequenz Modulation Frequency fmax: Obere Grenzfrequenz - Maximal nutzbare Arbeitsfrequenz Cut-Off Frequency - Maximum Usable Operating Frequency fmax: Schwingrenzfrequenz Maximum Oscillating Frequency Fréquence d'oscillation maximale fP: Pulsfolgefrequenz Pulse Frequency fr: Serienresonanzfrequenz Series-Resonant Frequency fRF: Radiofrequenz Radio Frequency fT: Transitfrequenz Transition Frequency - Current-Gain-Bandwidth Product Fréquence de transition   fy21s:fyfs: Grenzfrequenz für Abfall der Vorwärtssteilheit in Source-Schaltung auf 70 % des Wertes bei 1 kHz (-3 dB) Common-Source Forward Transfer Admittance Cut-Off Frequency to 70 % of the value at 1 kHz (-3 dB) Gc: Mischverstärkung Conversion Gain gfb:g21b: Vorwärtssteilheit, Übertragungsleitwert vorwärts, in Basisschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21b = g21b + j x b21b) Small-Signal Common-Base Short-Circuit Forward Transconductance (Real Component of Forward Transfer Admittance y21b = g21b + j x b21b) gfe:g21e: Vorwärtssteilheit, Übertragungsleitwert vorwärts, in Emitterschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21e = g21e + j x b21e) Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Forward Transconductance (Real Component of Forward Transfer Admittance y21e = g21e + j x b21e) gFE: Gleichstrom-Steilheit in Emitterschaltung Common-Emitter DC Transconductance gfs: Vorwärts-Steilheit in Source-Schaltung - Übertragungssteilheit Common-Source Forward Transconductance GFS: Statische Vorwärts-Steilheit in Source-Schaltung - Übertragungssteilheit Static Common-Source Forward Transconductance gG: Generator-Ausgangsleitwert Generator Output Conductance gib:g11b: Kurzschluss-Eingangsleitwert in Basisschaltung (Realteil der Eingangsadmittanz y11b = g11b + j x b11b) Small-Signal Common-Base Input Conductance (Real Component of Input Admittance y11b = g11b + j x b11b) 1/gib:1/g11b: Eingangswiderstand in Basisschaltung (Realteil), Ausgang kurzgeschlossen Small-Signal Common-Base Input Resistance (Real Component) gie:g11e: Kurzschluss-Eingangsleitwert in Emitterschaltung (Realteil der Eingangsadmittanz y11e = g11e + j x b11e) Small-Signal Common-Emitter Input Conductance (Real Component of Input Admittance y11e = g11e + j x b11e) 1/gie:1/g11e: Eingangswiderstand in Emitterschaltung (Realteil), Ausgang kurzgeschlossen Small-Signal Common-Emitter Input Resistance (Real Component) gis:g11s: Kurzschluss-Eingangsleitwert in Source-Schaltung Common-Source Input Conductance giss: Kurzschluss-Eingangsleitwert in Source-Schaltung Common-Source Input Conductance GK: Gegenkopplung Negative Feedback gL: Lastleitwert Load Conductance gm: Innerer Leitwert Mutual Conductance gob:g22b: Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Basisschaltung (Realteil der Ausgangsadmittanz y22b = g22b + j x b22b) Small-Signal Common-Base Output Conductance (Real Component of Output Admittance y22b = g22b + j x b22b) 1/gob:1/g22b: Ausgangswiderstand in Basisschaltung (Realteil) Small-Signal Common-Base Output Resistance (Real Component) goe:g22e: Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Emitterschaltung (Realteil der Ausgangsadmittanz y22e = g22e + j x b22e) Small-Signal Common-Emitter Output Conductance (Real Component of Output Admittance y22e = g22e + j x b22e) 1/goe:1/g22e: Ausgangswiderstand in Emitterschaltung (Realteil) Small-Signal Common-Emitter Output Resistance (Real Component) gos:g22s: Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Source-Schaltung Common-Source Output Conductance goss: Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Source-Schaltung Common-Source Output Conductance Gp: Kleinsignal-Leistungsverstärkung Small-Signal Insertion Power Gain GP: Grosssignal-Leistungsverstärkung Large-Signal Insertion Power Gain GPb: Leistungsverstärkung in Basisschaltung Common-Base Power Gain GPb: Änderung der Leistungsverstärkung in Basisschaltung Change of Common-Base Power Gain GPb (OPT): Optimal erzielbare Leistungsverstärkung in Basisschaltung, GPb (OPT) = |y21b|² / ( 4 x g11b x g22b ) Obtainable Common-Base Power Gain, GPb (OPT) = |y21b|² / ( 4 x g11b x g22b ) GPe: Leistungsverstärkung in Emitterschaltung Common-Emitter Power Gain GPe (OPT): Erzielbare Leistungsverstärkung in Emitterschaltung, GPe (OPT) = |y21e|² / ( 4 x g11e x g22e ) Obtainable Common-Emitter Power Gain, GPe (OPT) = |y21e|² / ( 4 x g11e x g22e ) GPE: Grosssignal-Leistungsverstärkung in Emitterschaltung Large-Signal Common-Emitter Insertion Power Gain GPg: Kleinsignal-Leistungsverstärkung in Gate-Schaltung Small-Signal Common-Gate Insertion Power Gain GPn: Leistung-Störabstand - Brumm- und Rauschpegel unterhalb der Ausgangsleistung Signal-to-Noise Power Ratio - Hum and Noise Level below Output Power GPrb: Leistungsverstärkung rückwärts in Basisschaltung Common-Base Reverse Power Gain grb:g12b: Rückwärtssteilheit, Übertragungsleitwert rückwärts, in Basisschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz rückwärts y12b = g12b + j x b12b) Small-Signal Common-Base Short-Circuit Reverse Transfer Conductance (Real Component of Reverse Transfer Admittance y12b = g12b + j x b12b) 1/grb:1/g12b: Rückwirkungswiderstand in Basisschaltung (Realteil) Small-Signal Common-Base Reverse Transfer Resistance (Real Component) gre:g12e: Rückwärtssteilheit, Übertragungsleitwert rückwärts, in Emitterschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz rückwärts y12e = g12e + j x b12e) Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Reverse Transfer Conductance (Real Component of Reverse Transfer Admittance y12e = g12e + j x b12e) 1/gre:1/g12e: Rückwirkungswiderstand in Emitterschaltung (Realteil) Small-Signal Common-Emitter Reverse Transfer Resistance (Real Component) grs: Rückwärts-Steilheit in Source-Schaltung Common-Source Reverse Transfer Conductance Gu: Änderung der Spannungsverstärkung - Frequenzgang Change of Voltage Gain - Frequency Response hfb:h21b: Kurzschluss-Stromverstärkung in Basisschaltung Small-Signal Common-Base Short-Circuit Forward-Current Transfer Ratio hfe:h21e: Kurzschluss-Stromverstärkung in Emitterschaltung Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Forward-Current Transfer Ratio     hFE: Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung Common-Emitter DC Current Gain hFE2/hFE1: Gleichstromverstärkungs-Verhältnis in Emitterschaltung bei verschiedenen Arbeitspunkten Common-Emitter DC Current Gain Ratio at Different Bias Conditions hib:h11b: Kurzschluss-Eingangswiderstand in Basisschaltung Small-Signal Common-Base Short-Circuit Input Impedance hie:h11e: Kurzschluss-Eingangswiderstand in Emitterschaltung Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Input Impedance Re(hie):Re(h11e): Eingangswiderstand - Realteil der Kurzschluss-Eingangsimpedanz in Emitterschaltung Input Resistance - Real Part of Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Input Impedance hob:h22b: Leerlauf-Ausgangsleitwert in Basisschaltung Small-Signal Common-Base Open-Circuit Output Admittance hoe:h22e: Leerlauf-Ausgangsleitwert in Emitterschaltung Small-Signal Common-Emitter Open-Circuit Output Admittance hrb:h12b: Leerlauf-Spannungsrückwirkung in Basisschaltung Small-Signal Common-Base Open-Circuit Reverse-Voltage Transfer Ratio |hrb|:|h12b|: Betrag der Leerlauf-Spannungsrückwirkung in Basisschaltung Magnitude of Small-Signal Common-Base Open-Circuit Reverse-Voltage Transfer Ratio |hrb|/:|h12b|/: Kollektor-Rückwirkungs-Zeitkonstante (in Basisschaltung) Common-Base Collector Reverse Transfer Time Constant hre:h12e: Leerlauf-Spannungsrückwirkung in Emitterschaltung Small-Signal Common-Emitter Open-Circuit Reverse-Voltage Transfer Ratio I2: Sekundärer Strom - Treiberstrom Secondary Current - Driver Current IB: Basisstrom Base Current Courant de base   IBB: Eingangsfehlstrom, äquivalenter Driftstrom |IB1-IB2| wenn UBE1=UBE2 (beim Differenzverstärker) Input Offset Current, Equivalent Drift Current (Differential Amplifier) IBB/T: Temperaturkoeffizient des Eingangsfehlstroms, äquivalenten Driftstromes (beim Differenzverstärker) Input Offset Current, Equivalent Drift Current Temperature Coefficient (Differential Amplifier) IBEV: Basis-Sperrstrom bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) Base-Cutoff Current - Specified Base Reverse-Bias Voltage UBE(OFF) IBF: Basisstrom in Durchlassrichtung Base Forward Current IBFM: Scheitelwert des Basisstroms in Durchlassrichtung Peak Base Forward Current IBM: Scheitelwert des Basisstroms Peak Base Current Courant de base crête IB(OFF): Basis-Ausräumstrom - Ausschalt-Basisstrom - Basisstrom im gesperrten Zustand Switch-Off Base Current - Off-State Base Current IB(ON): Einschalt-Basisstrom - Basisstrom im leitenden Zustand Switch-On Base Current - On-State Base Current IBR: Basisstrom in Sperrrichtung Base Reverse Current IBRM: Scheitelwert des Basisstroms in Sperrrichtung Peak Base Reverse Current I(BR)RM: Scheitelwert des Durchbruchstroms in Sperrrichtung Peak Reverse Breakdown Current Ic: Kollektorstrom Collector Current Courant de collecteur   IC1: Kollektorstrom im ersten Arbeitspunkt Collector Current at First Bias Condition IC1/IC2: Verhältnis der Kollektorströme (beim Differenzverstärker) Collector Current Ratio (Differential Amplifier) IC2: Kollektorstrom im zweiten Arbeitspunkt Collector Current at Second Bias Condition IC (AGC): Kollektorstrom bei Regelung Collector Current with AGC ICAV: Kollektorstrom-Mittelwert Average Collector Current ICBO: Kollektor-Reststrom bei offenem Emitter (IE=0) Collector-Cutoff Current at Open Emitter (IE=0)     ICBV: Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) Collector-Cutoff Current - Specified Base Reverse-Bias Voltage UBE(OFF) Icc: Kollektor-Betriebsstrom Collector Supply Current ICEO: Kollektor-Reststrom bei offener Basis (IB=0) Collector Cutoff Current with Base Open (IB=0) ICER: Kollektor-Reststrom bei spezifiziertem Widerstand zwischen Basis und Emitter Collector-Cutoff Current - Specified Base-Emitter Resistance ICERM: Scheitelwert des Kollektor-Reststroms bei spezifiziertem Widerstand zwischen Basis und Emitter Peak Collector-Cutoff Current - Specified Base-Emitter Resistance ICES: Kollektor-Reststrom bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0) Collector Cutoff Current - Base Shorted to Emitter (UBE=0) ICEV: Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) Collector-Cutoff Current - Specified Base Reverse-Bias Voltage UBE(OFF) ICEX: Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter Collector-Cutoff Cutoff Current - Specified Base-Emitter Circuit ICEXM: Scheitelwert des Kollektor-Reststroms bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter Peak Collector-Cutoff Cutoff Current - Specified Base-Emitter Circuit ICM: Kollektorspitzenstrom - Scheitelwert des Kollektorstroms Peak Collector Current Courant de collecteur crête     IC (SB): Kollektorstrom bei zweitem Durchbruch mit Basis-Emitter-Vorspannung in Durchlassrichtung und nichtperiodischem Impuls von tP = 1.0 s Dauer Second-Breakdown Collector Current with Base Forward Biased and Nonrepetitive Pulse of tP = 1.0 s Duration ICSM: Kollektorspitzenstrom (Stossstrom) Nonrepetitive Peak Collector Current, Surge Current Icz: Kollektorstrom im Durchbruchsgebiet Collector Current at Avalanche Condition ID: Drain-Strom Drain Current ID (OFF): Drain-Sperrstrom Drain Cutoff Current ID (ON): Drain-Durchlassstrom im leitenden Zustand On-State Drain Current IDM: Drain-Spitzenstrom (gepulst) - Scheitelwert des Drain-Stroms Peak Collector Current (pulsed) IDSS: Drain-Sättigungsstrom - Drain-Reststrom - Gate mit Source verbunden (UGS=0) Drain Saturation Current - Drain Cutoff Current - Gate Shorted to Source (UGS=0) IDSV: Drain-Reststrom bei spezifizierter Gate-Source-Spannung UGS (OFF) Drain Cutoff Current - Specified Gate-Source Voltage UGS (OFF) IE: Emitterrstrom Emitter Current   IEAV: Emitterstrom-Mittelwert Average Emitter Current IEBO: Emitter-Reststrom bei offenem Kollektor (IC=0) Emitter-Cutoff Current with Collector Open (IC=0)     IEBV: Emitter-Reststrom bei spezifizierter Kollektorspannung UcE Emitter-Cutoff Current - Specified Collector Voltage UcE IEE: Gemeinsamer Emitterstrom (beim Differenzverstärker) Common Emitter Current (Differential Amplifier) IEM: Scheitelwert des Emitterrstroms Peak Emitter Current IER: Emitterstrom in Sperrrichtung Emitter Reverse Current IERM: Scheitelwert des Emitterstroms in Sperrrichtung Peak Emitter Reverse Current IF: Durchlassstrom Forward Current IF/T: Temperaturkoeffizient des Durchlassstroms Forward Current Temperature Coefficient IFAV: Mittelwert des Durchlassstroms - Richtstrom bei Gleichrichter mit R-Last Average Forward Current - Rectified Current at Resistive Load IFM: Scheitelwert des Durchlassstroms - Spitzenstrom in Durchlassrichtung Peak Forward Current IFRM: Periodischer Spitzenstrom in Durchlassrichtung Repetitive Peak Forward Current - Recurrent Peak Forward Current IF(RMS): Effektiver Durchlassstrom RMS Forward Current IFSM: Stossstrom für t<1s in Durchlassrichtung - Scheitelwert einer sinusförmigen Stromhalbwelle bei 50Hz-Betrieb Nonrepetitive Peak Forward Current, Surge Current at t<1s IG: Gate-Strom Gate Current IGSS: Gate-Sperrstrom - Gate-Source-Leckstrom - Drain mit Source verbunden (UDS=0) Gate Reverse Current - Gate-Source Leakage Current - Drain Shorted to Source (UDS=0) Ii~: Eingangswechselstrom AC Input Current IK=: Gleichgerichteter Ausgangsstrom Half-Wave Rectified Output Current IMD: Intermodulationsverzerrungen Intermodulation Distortion Io: Richtstrom - Arithmetischer Mittelwert des Durchlassstromes bei Gleichrichtung sinusförmiger Wechselspannungen Average Forward Current by a rectified sine-wave voltage IP: Höckerstrom Peak-Point Current IR: Sperrstrom Reverse Current IR: Dynamische Änderung des Sperrstroms (durch Wechselstromkomponente) Dynamic Change of Reverse Current (by AC Component) IRM: Scheitelwert des Sperrstroms - Spitzen-Sperrstroms (gepulst) Peak Reverse Current (pulsed) irr: Messstrom nach Sperrverzögerungszeit Reverse Recovery Time Measuring Current IRRM: Periodischer Spitzenstrom in Sperrrichtung - Rückstromspitze Repetitive Peak Reverse Current IV: Talstrom Valley-Point Current Iz: Zener-Strom Zener Current IZM: Scheitelwert des Zener-Stroms Peak Zener Current IZSM: Durchbruch-Stossstrom bei Zenerdioden, Überlastungsstromstoss für t<1s Nonrepetitive Peak Zener Current, Surge Current at t<1s k: Klirrfaktor Total Harmonic Distortions Distorsion totale     L: Induktivität Inductance LB: Induktivität im Basiskreis Base-Circuit Inductance Lc: Induktivität im Kollektorkreis Collector-Circuit Inductance LD: Innere Drain-Induktivität Internal Drain Inductance Ls: Serieninduktivität Series Inductance LS: Innere Source-Induktivität Internal Source Inductance m: Modulationsfaktor Modulation Factor MAX Maximalwert Maximal Rating MIN Minimalwert Minimal Rating NOM Nominalwert Nominal Rating Pc: Kollektorverlustleistung Collector Power Dissipation PIN: Eingangsleistung - Treiberleistung Power Input - Driving Power Pin(RF): Hochfrequenz-Eingangsleistung Radio-Frequency Power Input PM: Impuls-Spitzenleistung Pulsed Peak Power Pob: Ausgangsleistung in Basisschaltung Power Output in Common-Base Circuit Pol. Polarität: N = N-Kanal-Typ, N-S = N-Kanal-Typ mit symmetrischer Geometrie (Source und Drain sind vertauschbar), P = P-Kanal-Typ, P-S = P-Kanal-Typ mit symmetrischer Geometrie Polarity: N = N-Channel Type, N-S = N-Channel Type with Symmetrical Geometry (Source and Drain Can Be Interchanged), P = P-Channel Type, P-S = P-Channel Type with Symmetrical Geometry POUT: Ausgangsleistung Power Output PRRM: Periodische Spitzen-Sperrverlustleistung Repetitive Peak Reverse Power Dissipation PRSM: Scheitelwert der Verlustleistung durch kurzzeitige Transienten in Sperrrichtung Nonrepetitive Peak Reverse Power Dissipation by Transients PT: Gesamtverlustleistung Total Power Dissipation Q: Güte Figure of Merit Qg: Gate-Gesamtladung (Gate-Source + Gate-Drain) Total Gate Charge (Gate-Source + Gate-Drain) Qgd: Gate-Drain-Ladung (Miller-Ladung) Gate-Drain ('Miller') Charge Qgs: Gate-Source-Ladung Gate-Source Charge Qrr: Sperrverzögerungsladung Reverse Recovery Charge Qs: Sperrverzugsladung - Gespeicherte Ladung Stored Charge Qsb: Gespeicherte Basis-Ladung Stored Base Charge R: Widerstand Resistance R1: Erster (oberer) Spannungsteilerwiderstand - Eingangswiderstand (Upper) Voltage-Divider Resistor No.1 - Input Resistor R2: Zweiter (unterer) Spannungsteilerwiderstand - Ausgangswiderstand (Lower) Voltage-Divider Resistor No.2 - Output Resistor RA: (Effektiver) Widerstand in der Anodenleitung Effective Anode-Supply Impedance per Anode RB: Widerstand im Basiskreis - Basis-Vorwiderstand Base Circuit Resistance - Base Series Resistance RBB: Widerstand im Basiskreis Base Circuit Resistance rbb': Basisbahnwiderstand Base Spreading Resistance rbb'•Cb'c: Rückwirkungszeitkonstante - Produkt aus Basisbahnwiderstand und Kollektor-Kapazität Reverse Transfer Time Constant - Product of Base Spreading Resistance with Collector Capacitance         rbb'•Cc: Kollektor-Zeitkonstante - Produkt aus Basisbahnwiderstand und Kollektor-Kapazität Collector Time Constant - Product of Base Spreading Resistance with Collector Capacitance RBE: Basis-Emitter-Widerstand Base-to-Emitter Resistance Rc: Kollektorwiderstand  Collector Resistance RCL: Kollektor-Lastwiderstand - Lastimpedanz Collector Load Resistance - Impedance RCCL: Lastwiderstand zwischen beiden Kollektoren - Lastimpedanz einer Gegentakt-Schaltung Collector-to-Collector Load Resistance - Impedance of Push-Pull Circuit Rd: Dämpfungswiderstand Damping Resistance RD: Drain-Widerstand Drain Resistance RDS (ON): Statischer Drain-Source-Durchlasswiderstand Static Drain-Source On-State Resistance RDS (ON)/T: Temperaturkoeffizient des statischen Drain-Source-Durchlasswiderstands Change in Static Drain-Source On-State Resistance with Temperature (Temperature Coefficient) RE: Emitterwiderstand Emitter Resistance REE: Gemeinsamer Emitterwiderstand (beim Differenzverstärker) Common Emitter Resistance (Differential Amplifier) rf: Differentieller Widerstand in Durchlassrichtung Differential Forward Resistance RF: Statischer Durchlasswiderstand Static Forward Resistance RG: Generator-Innenwiderstand Generator Internal Resistance RGS: Gate-Source-Widerstand Gate-Source Resistance RGSS: Gate-Source-Eingangswiderstand - Drain mit Source verbunden (UDS=0) Gate-Source Input Resistance - Drain Shorted to Source (UDS=0) RIN: Äquivalenter Parallel-Eingangswiderstand Parallel Equivalent Input Resistance RIN(B): Basis-Eingangswiderstand - Impedanz Base Input Resistance - Impedance RIN(BB): Basis-zu-Basis-Eingangswiderstand - Impedanz einer Gegentakt-Schaltung Base-to-Base Input Resistance - Impedance of Push-Pull Circuit RL: Lastwiderstand Load Resistance rr: Differentieller Widerstand in Sperrrichtung Differential Reverse Resistance RR: Statischer Sperrwiderstand Static Reverse Resistance rs: Dynamischer Serienwiderstand Dynamic Series Resistance Rs: Serienwiderstand Series Resistance RS: Source-Widerstand Source Resistance rs•CT: Zeitkonstante Produkt aus Kapazität und Serienwiderstand bei Kapazitätsdioden Time Constant Product of Capacitance with Series Resistance of Variable-Capacitance Diodes RthCA: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung (kann den thermischen Widerstand eines Kühlblechs enthalten) Thermal Resistance - Case to Ambient (may include the thermal resistance of a heat sink) RthCIS: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Kühlkörper mit Isolation durch Glimmerscheibe Thermal Resistance - Case to Heat Sink with Insulation by Mica Washer RthCS: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Kühlkörper Thermal Resistance - Case to Heat Sink RthJA: Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung Thermal Resistance - Junction to Ambient RthJC: Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse Thermal Resistance - Junction to Case RthJM: Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Montagefläche Thermal Resistance - Junction to Mounting Base RthMS: Wärmewiderstand zwischen Montagefläche und Kühlkörper Thermal Resistance - Mounting Base to Heat Sink RthJS: Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Kühlblech oder Befestigungsstellen Thermal Resistance - Junction to Heat Sink or Junction to Mounting Points rz: Dynamischer Zener-Widerstand Dynamic Zener Resistance s: Eingangsanpassung Input Matching s: Sättigungsfaktor, Übersteuerung bei Schalttransistoren s = hFE x IB / Ic Saturation Factor, Overdriving Switching Transistors s = hFE x IB / Ic s: Welligkeitsfaktor, Stehwellenverhältnis Voltage Standing-Wave Ratio (VSWR) sfb:s21b: Vorwärts-Übertragungsfaktor in Basisschaltung Common-Base Forward Transmission Coefficient sfe:s21e: Vorwärts-Übertragungsfaktor in Emitterschaltung Common-Emitter Forward Transmission Coefficient sib:s11b: Eingangs-Reflexionsfaktor in Basisschaltung Common-Base Input Reflection Coefficient sie:s11e: Eingangs-Reflexionsfaktor in Emitterschaltung Common-Emitter Input Reflection Coefficient sob:s22b: Ausgangs-Reflexionsfaktor in Basisschaltung Common-Base Output Reflection Coefficient soe:s22e: Ausgangs-Reflexionsfaktor in Emitterschaltung Common-Emitter Output Reflection Coefficient srb:s12b: Rückwärts-Übertragungsfaktor in Basisschaltung Common-Base Reverse Transmission Coefficient sre:s12e: Rückwärts-Übertragungsfaktor in Emitterschaltung Common-Emitter Reverse Transmission Coefficient S/N: Störabstand Signal-to-Noise Ratio t: Zeitdauer Time - Duration TA: Umgebungstemperatur Ambient Temperature     tAV: Integrationszeit Averaging Time Tc: Gehäusetemperatur Case Temperature   td: Verzögerungszeit Delay Time td (OFF): Ausschalt-Verzögerungszeit Turn-Off Delay Time td (ON): Einschalt-Verzögerungszeit Turn-On Delay Time tf: Abfallzeit Fall Time tfr: Vorwärtserholzeit - Durchlassverzögerungszeit Forward Recovery Time TJ: Sperrschichttemperatur bei Bipolartransistoren - Kanaltemperatur bei (unipolaren) Feldeffekt-Transistoren Junction Temperature of Bipolar Transistors - Channel Temperature of (Unipolar) Field-Effect Transistors TL: Drahttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuseboden (bzw. für 10 Sekunden 1,6 mm vom Gehäuseboden entfernt) Lead Temperature for soldering purposes at distance d from case or from seating plane for t seconds maximum (resp. 1/16 inch from seating plane for 10 seconds) TL: Drahttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuse (bzw. für 10 Sekunden 5 mm vom Gehäuse entfernt) Lead Temperature for soldering purposes at distance d from case or from seating plane for t seconds maximum (resp. 3/16 inch from case for 10 seconds) TL: Drahttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuse mit Wärmeableiter zwischen Lötstelle und Gehäuse Lead Temperature for soldering purposes at distance d from case for t seconds maximum, with heat-sink applied between case and point of soldering TL: Löttemperatur für maximal 10 Sekunden, bei mindestens 5 mm Abstand vom Gehäuse mit Wärmeableiter zwischen Lötstelle und Gehäuse Soldering Temperature at a minimum distance of 3/16 inch from case for 10 seconds maximum, with heat-sink applied between case and point of soldering                    tm: Lebensdauer der Minoritäts-Ladungsträger Minority Carrier Lifetime TM: Montageflächentemperatur Mounting-Base Temperature Tn/To: Rauschtemperatur-Verhältnis Output Noise Temperature Ratio tOFF: Ausschaltzeit = Speicherzeit + Abfallzeit Turn-Off Time = Storage Time + Fall Time tON: Einschaltzeit = Verzögerungszeit + Anstiegzeit Turn-On Time = Delay Time + Rise Time tP: Pulsdauer - Pulsbreite Pulse Duration - Pulse Width TP: Stifttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuseboden (bzw. für 10 Sekunden 0,8 mm vom Gehäuseboden entfernt) Pin Temperature for soldering purposes at distance d from case or from seating plane for t seconds maximum (resp. 1/32 inch from seating plane for 10 seconds) tPS: Pulsdauer - Pulsbreite eines Stossstroms oder einer Stossspannung Pulse Duration - Pulse Width of a Current or Voltage Surge tP/T: Tastverhältnis Duty Cycle tq: Rekombinationsszeit - Mittlere Ladungsträger-Lebensdauer Recombination Time - Average Carrier Life-Time tr: Anstiegsszeit Rise Time trr: Sperrverzögerungszeit Reverse Recovery Time ts: Speicherzeit Storage Time Ts: Kühlkörpertemperatur, Temperatur der Befestigungsstellen Heat-Sink Temperature, Temperature of Mounting Points TSTG: Lagerungstemperatur Storage Temperature tT: Übergangszeit - Gesamt-Schaltzeit = Verzögerungszeit + Anstiegzeit + Abfallzeit Transition Time - Total Switching Time = Delay Time + Rise Time + Fall Time TYP: Mittlerer Wert - Typischer Wert Typical Value UA~: Anodenwechselspannung AC Anode Supply Voltage UAK: Spannung zwischen Anode und Katode Anode-to-Cathode Voltage Ub: Betriebsspannung, Speisespannung (bezogen auf Masse) DC Supply Voltage (referenced to ground) Tension d'alimentation       UBB: Basis-Betriebsspannung Base Supply Voltage UBB: Eingangsfehlspannung, äquivalente Driftspannung |UBE1-UBE2| wenn IC1=IC2 (beim Differenzverstärker) Input Offset Voltage, Equivalent Drift Voltage (Differential Amplifier) UBB/T: Temperaturkoeffizient der Eingangsfehlspannung, äquivalenten Driftspannung (beim Differenzverstärker) Input Offset Voltage, Equivalent Drift Voltage Temperature Coefficient (Differential Amplifier) UBE: Basis-Emitter-Vorspannung Base-Emitter Bias Voltage UBE: Differenz der Basis-Emitter-Spannungen (beim Differenzverstärker) Difference of Base-to-Emitter Voltages (Differential Amplifier) UBE/T: Temperaturkoeffizient der Basis-Emitter-Spannung Base-Emitter Voltage Temperature Coefficient UBE(OFF): Basis-Emitter-Sperrspannung Base-to-Emitter Off-State Voltage UBE(ON): Basis-Emitter-Durchlass-Spannung Base-to-Emitter On-State Voltage UBES: Basis-Emitter-Restspannung bei kurzgeschlossener Kollektor-Basis-Strecke (UCB=0) Base-to-Emitter On-State Voltage - Collector Shorted to Base (UCB=0) UBE(SAT): Basis-Emitter-Restspannung in Sättigung Base-to-Emitter Saturation Voltage     U(BR)CBO: Kollektor-Basis-Durchbruchspannung bei offenem Emitter (IE=0) Collector-to-Base Breakdown Voltage at Open Emitter (IE=0) U(BR)CEO: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei offener Basis (IB=0) Collector-to-Emitter Breakdown Voltage at Open Base (IB=0) U(BR)CER: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter Collector-Emitter Breakdown Voltage - Specified Base-Emitter Resistance U(BR)CES: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0) Collector-Emitter Breakdown Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0) U(BR)CEV: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) Collector-to-Emitter Breakdown Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF) U(BR)CEX: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter Collector-to-Emitter Breakdown Voltage - Specified Base-Emitter Circuit U (BR) DGO: Drain-Gate-Durchbruchspannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0) Drain-Gate Breakdown Voltage at Open Source (Is=0) U (BR) DSS: Drain-Source-Durchbruchspannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0) Drain-Source Breakdown Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0) U (BR) DSV: Drain-Source-Durchbruchspannung bei spezifizierter Gate-Source-Spannung UGS (OFF) Drain-Source Breakdown Voltage - Specified Gate-Source Voltage UGS (OFF) U(BR)EBO: Emitter-Basis-Durchbruchspannung bei offenem Kollektor (Ic=0) Emitter-to-Base Breakdown Voltage at Open Collector (Ic=0) U(BR)GSS: Gate-Source-Durchbruchspannung bei kurzgeschlossener Drain-Sorce-Strecke (UDs=0) Gate-Source Breakdown Voltage - Drain Shorted to Source (UDs=0) U(BR)KA: Durchbruchspannung zwischen Katode und Anode Cathode-to-Anode Reverse Breakdown Voltage U(BR)KAM: Scheitelwert der Durchbruchspannung zwischen Katode und Anode Peak Cathode-to-Anode Reverse Breakdown Voltage UCB: Kollektor-Basis-Spannung Collector-to-Base Voltage UCBM: Scheitelwert der Kollektor-Basis-Spannung Peak Collector-to-Base Voltage UCBO: Kollektor-Basis-Sperrspannung bei offenem Emitter (IE=0) Collector-to-Base Cutoff Voltage at Open Emitter (IE=0) UCBOM: Scheitelwert der Kollektor-Basis-Sperrspannung bei offenem Emitter (IE=0) Peak Collector-to-Base Cutoff Voltage at Open Emitter (IE=0) UCB(PT): Sperrschicht-Berührungsspannung Punch-Through Voltage UCBV: Kollektor-Basis-Sperrspannung mit spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) Collector-to-Base Cutoff Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF) UCC: Kollektor-Betriebsspannung  Collector Supply Voltage UCE: Kollektor-Emitter-Spannung Collector-to-Emitter Voltage UCEM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Spannung Peak Collector-to-Emitter Voltage UCEO: Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei offener Basis (IB=0) Collector-to-Emitter Cutoff Voltage at Open Base (IB=0) UCER: Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter Collector-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Resistance UCERM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter Peak Collector-Emitter Blocking Voltage - Specified Base-Emitter Resistance UCES: Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0) Collector-Emitter Cutoff Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0) UCESM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0) Peak Collector-Emitter Cutoff Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0) UCESSM: Spitzenwert (Spannungsstoss bei Überschlägen) der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0) Nonrepetitive Peak Collector-Emitter Cutoff Voltage (Surge Voltage) - Base Shorted to Emitter (UBE=0) UCE(SAT): Kollektor-Emitter-Restspannung Collector-Emitter Saturation Voltage     UCE(SHF): Hochfrequenz-Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Kollektor-Emitter-Restspannung, bei der die Kleinsignal-Verstärkung entlang der Lastgeraden auf 80% des Maximalwertes abgesunken ist High-Frequency Collector-Emitter Saturation Voltage UCEV: Kollektor-Emitter-Sperrspannung mit spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF) UCEVM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung mit spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) Peak Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF) UCEX: Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Circuit UCEXM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter Peak Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Circuit UCL: Kollektor-Klemmspannung bei induktiver Last Collector Clamping Voltage at Inductive Load UDD: Drain-Versorgungsspannung Drain Supply Voltage UDG: Drain-Gate-Spannung Drain-Gate Voltage UDGO: Drain-Gate-Spannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0) Drain-Gate Voltage at Open Source (Is=0) UDGR: Drain-Gate-Spannung bei einem Widerstand RGS zwischen Gate und Source Drain-Gate Voltage - Specified Gate-Source Resistance RGS UDGS: Drain-Gate-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0) Drain-Gate Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0) UDS: Drain-Source-Spannung Drain-Source Voltage UDSM: Drain-Source-Spitzenspannung, nichtperiodisch Nonrepetitive Drain-Source Peak Voltage UDSS: Drain-Source-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0) Drain-Source Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0) UDSV: Drain-Source-Spannung bei spezifizierter Gate-Source-Spannung UGS (OFF) Drain-Source Voltage - Specified Gate-Source Voltage UGS (OFF) UEB: Emitter-Basis-Spannung DC Emitter-to-Base Voltage UEB~: Emitter-Basis-Wechselspannung AC Emitter-to-Base Voltage UEBFUEB(FL): Emitter-Basis-Flussspannung, Emitter-Leerlaufspannung bei offenem Emitter (IE=0) Emitter-to-Base Floating Potential at Open Emitter (IE=0) UEBM: Scheitelwert der Emitter-Basis-Spannung Peak Emitter-to-Base Voltage UEBO: Emitter-Basis-Sperrspannung bei offenem Kollektor (Ic=0) Emitter-to-Base Cutoff Voltage at Open Collector (Ic=0) UEBOM: Scheitelwert der Emitter-Basis-Sperrspannung bei offenem Kollektor (Ic=0) Peak Emitter-to-Base Cutoff Voltage at Open Collector (Ic=0) UEE: Emitter-Betriebsspannung Emitter Supply Voltage UF: Durchlassspannung Forward Voltage UF/T: Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung Forward Voltage Temperature Coefficient UFM: Scheitelwert der Durchlassspannung (beim Einschalten) Peak Forward Voltage UFM(fr): Scheitelwert der Durchlassspannung durch Leitverzögerung Peak Forward Recovery Voltage UFP: Durchlassspannung bei Durchlassstrom gleich dem maximalen Höckerstrom Forward Voltage at which the Forward Current is equal to the maximum Peak-Point Current ufr: Durchlassspannung nach Leitverzögerung Forward Recovery Voltage UGS: Gate-Source-Spannung Gate-Source Voltage UGSO: Gate-Source-Sperrspannung bei offenem Drain (ID=0) Gate-to-Source Cutoff Voltage at Open Drain (ID=0) UGS (ON): Gate-Source-Einschaltspannung Gate-Source Turn-On Voltage UGS (OFF): Gate-Source-Sperrspannung, Gate-Source-Abschnürspannung Gate-Source Cutoff Voltage, Gate-Source Pinch-Off Voltage UGS (PK): Gate-Source-Spitzenspannung - nicht periodisch Peak Gate-Source Voltage - non repetetive UGSS: Gate-Source-Spannung bei kurzgeschlossener Drain-Source-Strecke (UDs=0) Gate-Source Voltage - Drain Shorted to Source (UDs=0) UGS (TH): Gate-Schwellenspannung Gate Threshold Voltage UGS (TH)/T: Temperaturkoeffizient der Gate-Schwellenspannung Change in Gate Threshold Voltage with Temperature (Temperature Coefficient) UHF: Hochfrequenzspannung High-Frequency Voltage Ui~: Eingangswechselspannung - Eingangspegel AC Input Voltage - Input Level UiM~: Scheitelwert der Eingangswechselspannung Peak AC Input Voltage Uin~: Eingangswechselspannung - Eingangspegel AC Input Voltage - Input Level UIN (ON): Eingangsspannung für leitenden Schaltzustand Input Voltage Level for On-State Switch Un~:Rausch- oder Störspannung Noise Voltage Uo: Leerlaufspannung eines beleuchteten Fotoelements
Richtspannung - Mittelwert der Ausgangsspannung bei Gleichrichtung sinusförmiger Wechselspannungen Open Circuit Voltage of an illuminated photovoltaic cell
Average Output Voltage by a rectified sine-wave voltage Uo~: Ausgangswechselspannung - Ausgangspegel AC Output Voltage - Output Level Uo/UiM~: Richtwirkungsgrad Rectifying Efficiency Uosc~: Oszillatorwechselspannung AC Oscillator Voltage - Oscillator Injection Voltage Tension d'oscillation   UP: Höckerspannung Peak-Point Voltage UR: Sperrspannung Reverse Voltage URAV: Mittlere Sperrspannung Average Reverse Voltage URM: Spitzensperrspannung - Scheitelwert der Sperrspannung Peak Reverse Voltage URRM: Periodische Spitzensperrspannung Repetitive Peak Reverse Voltage URSM: Stossspannung in Sperrrichtung für t<1s Nonrepetitive Peak Reverse Voltage at t<1s URWM: Periodische Scheitelsperrspannung unter Betriebsbedinungen (ohne Transienten) Repetitive Working Peak Reverse Voltage (excluding all transient voltages) USG: Source-Gate-Spannung Source-Gate Voltage USGO: Source-Gate-Spannung bei offenem Drain-Anschluss (ID=0) Source-Gate Voltage at Open Drain (ID=0) UTC: Spannung zwischen Anschlussdrähten und Gehäuse Terminal-to-Case Voltage UV: Talspannung Valley-Point Voltage Uz: Zener-Spannung - Durchbruchspannung Zener Breakdown Voltage Uz: Toleranz der Zener-Spannung Zener Voltage Tolerance Uz/T: Temperaturkoeffizient der Zener-Spannung Zener Voltage Temperature Coefficient w: Nettogewicht - Masse Net Weight - Mass Poids net - masse       y11e:yie: Kurzschluss-Eingangsadmittanz in Emitterschaltung Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Input Admittance |y12b|:|yrb|: Betrag der Rückwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y12b = |y12b| x exp(j x 12b) Magnitude of Common-Base Reverse Transfer Admittance, where y12b = |y12b| x exp(j x 12b) y12e:yre: Rückwärtssteilheit, Übertragungsadmittanz rückwärts, in Emitterschaltung Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Reverse Transfer Admittance |y12e|:|yre|: Betrag der Rückwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y12e = |y12e| x exp(j x 12e) Magnitude of Common-Emitter Reverse Transfer Admittance, where y12e = |y12e| x exp(j x 12e) |y21b|:|yfb|: Betrag der Vorwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y21b = |y21b| x exp(j x 21b) Magnitude of Common-Base Forward Transfer Admittance, where y21b = |y21b| x exp(j x 21b) y21e:yfe: Vorwärtssteilheit, Übertragungsadmittanz vorwärts, in Emitterschaltung Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Forward Transfer Admittance |y21e|:|yfe|: Betrag der Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y21e = |y21e| x exp(j x 21e) Magnitude of Common-Emitter Forward Transfer Admittance, where y21e = |y21e| x exp(j x 21e) |y21s|:|yfs|: Betrag der Vorwärtssteilheit in Source-Schaltung, wobei y21s = |y21s| x exp(j x 21s) Magnitude of Common-Source Forward Transfer Admittance, where y21s = |y21s| x exp(j x 21s) y22e:yoe: Kurzschluss-Ausgangsadmittanz in Emitterschaltung Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Output Addmittance y22s:yos: Kurzschluss-Ausgangsadmittanz in Source-Schaltung Small-Signal Common-Source Short-Circuit Output Addmittance |y22s|:|yos|: Ausgangsleitwert, Betrag der Kurzschluss-Ausgangsadmittanz in Source-Schaltung, wobei y22s = |y22s| x exp(j x 22s) Output Conductance, Magnitude of Common-Source Short-Circuit Output Addmittance, where y22s = |y22s| x exp(j x 22s) YG: Generator-(Eingangs)admittanz Generator (Input) Admittance YL: Last-(Ausgangs)admittanz Load (Output) Admittance Z0: Eigenimpedanz der Übertragungsleitung Characteristic Impedance of the Transmission Line ZG: Generator-Ausgangsimpedanz Generator Output Impedance zi: Eingangsimpedanz Incident (Input) Impedance ZIF: Zwischenfrequenz-Impedanz Intermediate-Frequency Impedanz ZIN: Eingangsimpedanz Input Impedance     Zn1: Impedanz der Transformatorwicklung n1 Transformer Winding n1 Impedance Zn2: Impedanz der Transformatorwicklung n2 Transformer Winding n2 Impedance Zn3: Impedanz der Transformatorwicklung n3 Transformer Winding n3 Impedance ZOUT: Ausgangsimpedanz Output Impedance     |zrb|:|z12b|: Betrag der Rückwirkungsimpedanz in Basisschaltung Magnitude of Common-Base Reverse Transfer Impedance : Wellenlänge Wave Length H: Bereich der spektralen Empfindlichkeit (50%) - Spektraler Halbwertsbereich Half-Sensitivity Spectral Response P: Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit - Wellenlänge der maximalen Emission Wave Length of Maximum Sensitivity - Peak Wavelength 12b:rb: Phasenwinkel der Rückwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y12b = |y12b| x exp(j x 12b) Phase Angle of Common-Base Reverse Transfer Admittance, where y12b = |y12b| x exp(j x 12b) 12e:re: Phasenwinkel der Rückwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y12e = |y12e| x exp(j x 12e) Phase Angle of Common-Emitter Reverse Transfer Admittance, where y12e = |y12e| x exp(j x 12e) 21b:fb: Phasenwinkel der Vorwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y21b = |y21b| x exp(j x 21b) Phase Angle of Common-Base Forward Transfer Admittance, where y21b = |y21b| x exp(j x 21b) 21e:fe: Phasenwinkel der Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y21e = |y21e| x exp(j x 21e) Phase Angle of Common-Emitter Forward Transfer Admittance, where y21e = |y21e| x exp(j x 21e) e: Strahlungsfluss - Strahlungsleistung Radiant Flux - Radiant Power  I2dt:  Grenzlastintegral Load Limit Integral Copyright © 2009Franz Hamberger, Berlin, Germany