DAWID ŁAPCZYŃSKI
INFORMATYKA, II STOPIEŃ STUDIÓW STACJONARNYCH
Zadanie 1.1 Napięcie progowe diody.
Napięcie progowe diody U
TO
jest wartością powyżej której dioda spolaryzowana w kierunku
przewodzenia przewodzi prąd. Na wykresie wartość napięcia progowego odczytujemy w miejscu
przecięcia się stycznej do wykresu z osią OX układu współrzędnych.
Dioda D1N4002
Zakładam, że prąd przewodzenia diody w punkcie pracy wynosi 45 mA. Wyznaczam wartość
napięcia progowego U
(TO)
za pomocą metody stycznej.
Charakterystyka diody
. Fragment charakterystyki diody D1N4002, wyznaczenie napięcia progowego
Napięcie progowe U
(TO)
= 715.6 mV, dla diody D1N4002 w warunkach pokojowych.
Wyznaczenie wartości prądu przewodzenia I
F
dla napięcia U
F
=500 mV.
Zbliżając kursor do wartości 500 mV na wykresie, odczytuję z okienka Probe Cursor wartość
napięcia. Natrafiając na szukaną wartość odczytuje odpowiadające jej I
F
(obok).
Dla U
F
=500 mV, I
F
=241.658 μA.
Przeprowadzam podobne postępowanie dla diod D1N4148 oraz D1N914.
Zestawienie wyników
Dioda
D1N4002
D1N4148
D1N914
Napięcie progowe U
(TO)
[mV] 715.6
735.431
816.4
I(U
F
=500 mv) [μA] 241.658
110.223
1.1015
Spostrzeżenia i wnioski: Z trzech badanych diod, najmniejszą wartość napięcia progowego posiada
dioda D1N4002. Oznacza to, że przykładając nieduże napięcie (ok. 715 mV) dioda zaczyna
przewodzić prąd. Jednocześnie prąd ten (prąd przewodzenia) jest największy z odpowiadających
mu wartości prądów przewodzenia dla pozostałych diod. Rozbieżność poszczególnych wartości dla
danych diod jest duża, co daje spory wachlarz możliwości przy wyborze diody w zależności od
potrzeby.
Zadanie 1.2
Rezystancja diody.
Rezystancja statyczna diody (R) w dowolnym punkcie wykresu - to kąt nachylenia linii łączącej
początek układu współrzędnych z wybranym punktem na charakterystyce.
Wyznaczana jest wzorem R=
U
0
I
0
, a wyrażana w omach (Ω)
Wyznaczam rezystancje statyczną dla diody D1N4002.
Dla napięcia U
F
= 900 mV wartość prądu wynosi I
F
= 439.041 mA.
Rezystancja statyczna wynosi zatem R=
U
F
∗
10
−
3
I
F
∗
10
−
3
=
900
439.041
=
2.05 Ω
Podobne obliczenia wykonuję dla napięć 500 mV, oraz U
(TO)
. Obliczenia powtarzam dla diod
D1N4148 oraz D1N914.
Dioda
D1N4002
D1N4148
D1N914
U
F
[mV]
900
500
715.6
900
500
735.431
900
500
816.4
I
F
[mA]
439.041
0.241658
16.007
91.133
0.110223
12.463
2.3513
0.0011015
0.353740
R [Ω]
2.05
2069
44.7
9,87
4536,258
59.009
382.767 453.926[kΩ] 2307.91
Spostrzeżenia i wnioski: Wraz ze wzrostem napięcia, rośnie prąd przewodzenia diody, natomiast rezystancja
statyczna spada. Spadek ten jest znaczący - wartości spadają o jeden rząd jednostki ( dla diody D1N4002
spadek z 2 kΩ dla U
F
=500mV do 2Ω dla U
F
=900mV; dla diody D1N914 spadek z ok 450 kΩ to ok 400 Ω
odpowiednio)
Zadanie 2. Dioda spolaryzowana w kierunku wstecznym - wyznaczanie wartości przebicia napięcia
U
BR
oraz rezystancji statycznych.
Napięcie przebicia diody (U
BR
) jest to wartość napięcia, poniżej której następuje gwałtowny wzrost
prądu (obszar przebicia). Diody nie są przystosowane do pracy w tym obszarze i ulegają
zniszczeniu. Napięcie przebicia wyznacza się podobnie jak napięcie progowe, wyznaczając punkt
przecięcia stycznej do obszaru przebicia z osią OX).
Przyjmuje się wartość dopuszczalną (napięcie wsteczne U
RPM
) poniżej której nie wolno zejść. Jest to
0.8 część napięcia przebicia.
Napięcie przebicia wyznaczam podobnie jak napięcie progowe - metoda stycznej.
Napięcie dopuszczalne dla diody nie może przekroczyć 0.8 * U
BR
.
. Fragment charakterystyki diody D1N4002, wyznaczenie napięcia przebicia
Dioda
D1N4002
D1N4148
D1N914
U
BR
[V]
-100.048
-100,163
-100,225
U
RPM
[V]
-80,04
-80,13
-80,18
U
R
[V]
-100.048
-99
-100.163
-99
-100,225
-99
I
R
[A]
-0,606171
-14,57*10^-9
-0,029292
-11,82*10^-9
-0,239187
-0,51021*10^-9
R [Ω]
165,05
6,79 [GΩ]
3,419 [kΩ]
8,375 [GΩ]
419,023
194,038 [GΩ]
Spostrzeżenia i wnioski: Dla wszystkich badanych diod napięcie przebicia U
BR
znajduje się na
podobnym poziomie (ok. - 100V). Konsekwencją tego jest również podobna wartość napięcia
dopuszczalnego (ok. -80V). Różnice pojawiają sie natomiast w wartościach rezystancji statycznych
wyznaczonych dla napięć przebicia oraz napięć przykładowych (-99V). Dla tych pierwszych
rozrzut jest od 165 Ω do 3419 kΩ (ok. 30 razy więcej), natomiast przy napięciu -99 V wartości
rezystancji dla różnych diod są od ponad 6 GΩ do ok 200 GΩ. Warto także zauważyć, że dla
pojedyńczej diody, zmieniając napięcie o 1 V (podnosząc z ok. -100V do -99) rezystancja wzrasta
dla niektórych diod o prawie 2 rzędy jednostek (z 165 Ω do prawie 7 GΩ). Taki gigantyczny opór
wskazuje, że dioda w tym miejscu praktycznie nie przewodzi.
Zadanie 3. Dioda Zenera
Dioda Zenera - odmiana diody, której głównym przeznaczeniem jest blokowanie lub ograniczanie
napięć. Wykorzystuje ona własność złącza p-n, która w zastosowaniu dla zwykłych diod jest
szkodliwa - przekroczenie maksymalnego napięcia wstecznego, przy którym prąd bardzo szybko
wzrasta. Napięcie to w przypadku diod Zenera nazywane jest napięciem Zenera U
Z
.
Napięcie Zenera diody D1N750 - wyznaczane podobnie jak napięcie przebicia dla diod
konwekcjonalnych.
Wynosi ono U
Z
= -4.8177 V, przy czym wartość katalogowa napięcia Zenera diody D1N750 wynosi
- 4.7 V.
Dla U=5V, prąd I = 16.113 A
Fragment charakterystyki diody Zenera, wyznaczenie napięcia Zenera
Spostrzeżenia i wnioski: Wartość napięcia Zenera wyznaczona metodą stycznej, jest większa niż
wartość katalogowa o ok. 0.1 V. Może to być spowodowane przyjęciem w katalogu
bezpieczniejszej - mniejszej wartości. Spostrzec można także, że w przypadku diody Zenera,
napięcie Zenera będące odpowiednikiem napięcia przebicia dla zwykłych diod, jest o wiele niższe
(U
Z
=-4.7V, U
BR
=-100V).
3.1.1. Rezystancja dynamiczna diody Zenera - obliczana ze wzoru r
Z
=
ΔU
R
Δ I
R
Dla diody Zenera ważnym parametrem jest podawana dla konkretnej wartości prądu I
Z
i określonej
temperatury rezystancja dynamiczna diody.
U
R1
= -4.9421 V ; I
R1
= -431.707 mA
U
R2
= -4.9287 V ; I
R2
= -394.268 mA
r
Z
=
0,0134
37,439∗10
−
3
=
0,358 Ω
3.1.1a Charakterystyka zależności rezystancji dynamicznej od napięcia
Wartość rezystancji dynamicznej dla napięcia -4.75 V wynosi 1.1620 Ω.
Obliczenie temperaturowego współczynnika napięcia diody Zenera D1N750:
Za pomocą Toggle Cursor wyznaczam różnicę między charakterystykami dla skrajnych wartości
temperatury dla prądu I = -200mA. α
UZ
=22.963mV
Dla temperatur różniących się o 100
0
C wartość prądu równą ok 200mA uzyskujemy dla napięć
różniących się o ok. 23 mV