F2-66
PAMI
CI DYNAMICZNE RAM (MOS, CMOS)
" Komórka pamięci dynamicznej MOS jest bardzo mała:
1 tranzystor MOS + 1 mikrokondensator (30  50 fF)
" A
adunek istniejący w komórce w stanie naładowania (1)
wymaga odświeżania (co kilkanaście ms)
"  Miękkie błędy (soft errors) powodowane przez rozpad
czÄ…steczek Ä…
Schemat
Struktura
Dennarda
Struktura
Kosonocky ego
" Zamiast kondensatorów planarnych stosuje się kondensatory
wgłębne : mniejsza powierzchnia, duża odporność na
zakłócenia, duża odporność na  miękkie błędy
" W pamięciach D-RAM najtrudniejszy jest odczyt, gdyż
Cs /CB << 1 (CB  pojemność pasożytnicza linii bitu)
" Multipleksowanie czasowe adresu: dwie fazy RAS (Row
Address Strobe) i CAS (Column Address Strobe)
" Pamięci synchroniczne  SDR (Single Data Rate), DDR (Double
Data Rate), SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)
" Wykrywanie i usuwanie błędów: kod parzystości, kod
Hamminga  ECC (Error Checking and Correcting), np. dla 64
bitów danych trzeba dodać jeden bajt kontrolny 72 bity
© J. Kalisz, WAT, 2005