F2-71
PAMI
CI STAA
E EPROM 3
Przykład budowy pamięci EPROM M27C64A
Pojemność: 213x8 = 64 Kb = 8KB
" Sygnał sterujący CE (Chip Enable): moc strat w stanie
aktywnym (przy CE = L) wynosi 100 mW, a w stanie
spoczynkowym (CE = H) zaledwie 0.5 mW
" Sygnał sterujący buforami trójstanowymi OE (Output
Enable)  wyjścia są odblokowane przy OE = L
" Sygnał sterujący PGM (Program)
" Charakterystyczny czas dostępu od wejść adresowych tAA
(Access from Address)
" Właściwość pamięci EPROM: wytrzymałość na wielokrotne
programowanie i kasowanie. Maksymalna liczba cykli
programowania/kasowania: typowo 100 - 1000
© J. Kalisz, WAT, 2005