F2 65 Pamięci statyczne RAM 3

F2-65
PAMICI STATYCZNE RAM 3
Przykład: układ CY7C148 (1K x 4 = 4 Kb)
Główny parametr dynamiczny:
czas dostępu od wejść adresowych tAA (Access from Address)
W pamięciach statycznych czas cyklu tRC min, tWC min = tAA max
W dużych pamięciach scalonych, aby zwiększyć uzysk produkcyjny
stosuje siÄ™ dodatkowe (redundancyjne) wiersze lub/i kolumny,
wprowadzane do użytku w czasie testowania, jeśli zostaną wykryte
błędy w matrycy podstawowej.
© J. Kalisz, WAT, 2005

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
F2 38 Pamięci RAM
F2 37 Pamięci scalone
F2 67 Pamięci stałe
F2 66 Pamięci dynamiczne
6 Pamieci ROM RAM
F2 69 Pamięci stałe EPROM 1
F2 70 Pamięci stałe EPROM 2
F2 72 Pamięci stałe EEPROM 1
6 Pamieci ROM RAM 15 www
Rozdział 11 Pamięć CMOS RAM
F2 71 Pamięci stałe EPROM 3
Jak zwiekszyc wykorzystanie pamieci RAM
Pamięć Ram
Pamiec RAM
pamieci ram

więcej podobnych podstron