PAMI
Ć RAM
Katarzyna Baran
2010-05-31
Spis treści
Wiadomości ogólne ................................................................................................................................. 3
Typy pamięci RAM ................................................................................................................................... 3
DRAM................................................................................................................................................... 3
Odmiany pamięci DRAM ................................................................................................................. 4
SRAM ................................................................................................................................................... 5
SDR(ang. Single Data Rate) .................................................................................................................. 6
DDR(ang. Double Data Rate) ............................................................................................................... 6
DDR2 .................................................................................................................................................... 6
GDDR(ang. Graphics Double Data Rate).............................................................................................. 6
Moduły pamięci ................................................................................................................................... 6
Metody adresowania pamięci ................................................................................................................. 7
Stronicowanie ...................................................................................................................................... 8
Kontrola błędów ...................................................................................................................................... 8
Opóz
nienie(Timing) ................................................................................................................................. 9
Kompatybilnośd ....................................................................................................................................... 9
2
Wiadomości ogólne
Pamięd RAM ( ang. Random Access Memory  pamięd o swobodnym dostępie) jest to podstawowy
rodzaj pamięci cyfrowej. Jest ona stosowana głównie, jako pamięd operacyjna komputera. Jednak jej
nazwa może byd trochę myląca, gdyż ze względów historycznych oznacza ona tylko te rodzaje
pamięci, w których możliwy jest wielokrotny zapis, a wyklucza pamięci ROM(ang. Read Only Memory
 pamięd tylko do odczytu). Pełni ona rolę tymczasowego miejsca przechowywania danych aktualnie
przetwarzanych przez program oraz ciągu rozkazów, z których składa się ten program. Tymczasowy
charakter nośnika, jakim jest pamięd, wynika stąd, że zawartośd większości pamięci RAM jest tracona
zaraz po odłączeniu zasilania. Pojęcie pamięci RAM może odnosid się zarówno do fizycznych
układów, z jakich zbudowana jest pamięd systemowa jak i do logicznej struktury i mapowania
pamięci.
Współczesna pamięd RAM jest realizowana sprzętowo w postaci układów scalonych (bądz

fragmentów bardziej złożonych układów scalonych) występujących w różnych technologiach oraz w
postaci różnych modułów znajdujących główne zastosowanie w komputerach.
Typy pamięci RAM
Pamięd RAM możemy podzielid na dwa podstawowe typy:
·ð DRAM (ang. Dynamic Random Access Memory)  dynamiczna pamiÄ™d RAM;
·ð SRAM (ang. Static Random Access Memory)  statyczna pamiÄ™d RAM;
DRAM
DRAM pełni rolę pamięci operacyjnej w większości obecnie dostępnych komputerów. Pamięd ta
charakteryzuje się dynamicznym przechowywanie danych(dane zawarte w pamięci DRAM muszą byd
systematyczne odświeżane). Jest to zarazem główny problem tego typu pamięci. Komórki pamięci
DRAM są wykonane z niewielkich kondensatorów, które w celu oznaczenia bitu przechowują ładunek
elektryczny. A
adunek zgromadzony w tych kondensatorach cały czas zanika, dlatego też konieczne
jest ciągłe odświeżanie pamięci. Nawet chwilowa przerwa w zasilaniu lub dowolny inny czynnik
zakłócający cykle odświeżania może spowodowad zaniknięcie w komórkach pamięci DRAM ładunku,
co prowadzi do utraty danych. Jeśli taka sytuacja przydarzy się w trakcie pracy systemu, wtedy może
to spowodowad pojawienie się niebieskiego ekranu, ogólne błędy ochrony pamięci, uszkodzenie
plików i kilka innych objawów wskazujących na awarię.
Operacja odświeżania występuje w momencie, gdy systemowy kontroler pamięci chwilowo oddaje
kontrolę i udostępnia wszystkie wiersze układów pamięci zawierające dane(czyli co ok. 5 ms).
Operacja ta powoduje, że procesor musi przerwad wykonywanie innych zadao. Wynika to stąd, że
każdy cykl odświeżania zajmuje kilka cyklów pracy procesora. Aktualnie obciążenie związane z
odświeżaniem stanowi niewielką(ułamkową) częśd procenta całkowitego czasu pracy procesora.
Chociaż niektóre systemy dysponują możliwością zmiany parametru odświeżania, to jednak nie jest
to zalecane, gdyż wpływa to nie tylko na zwiększenie wydajności pracy komputera, ale może również
3
spowodowad, że w niektórych komórkach pamięci dojdzie do utraty ładunku, co spowoduje
pojawianie się błędów miękkich1. Dlatego też zalecane jest pozostawienie domyślnych parametrów
związanych z cyklem odświeżania.
Pamięd DRAM dla każdego bitu stosuje tylko jedną parę złożoną z tranzystora i kondensatora, co
powoduje, że w porównaniu z innymi typami pamięci, charakteryzuje się dużą gęstością pozwalającą
na uzyskanie większej pojemności dla pojedynczego układu. Tranzystor każdej komórki pamięci
DRAM przechowującej bit dokonuje odczytu ładunku przyległego kondensatora. Jeśli kondensator
jest naładowany to komórka ma wartośd 1, w przeciwnym wypadku wartośd 0.
Odmiany pamięci DRAM
SDRAM(ang. Synchronous DRAM)  typ pamięci synchronizowany z magistralą pamięci. Dostęp do
danych pamięci odbywa się przy użyciu wydajnego potoku, który korzysta z szybkiego taktowanego
interfejsu. Dzięki synchronizacji z częstotliwością płyty głównej, uniknięto większości opóz
nieo
charakterystycznych dla asynchronicznej pamięci DRAM. Funkcjonalnie SDRAM przypomina typową
DRAM, jednak znaczne udoskonalenia sprawiają, ze ten rodzaj pamięci oferuje bardzo wysoką
wydajnośd.
DDR SDRAM stanowi rozwinięcie układu SDRAM. Charakteryzuje się dwukrotnie większą ilością
przesyłanych danych.
RDRAM(ang. Rambus DRAM) jest właściwie magistralą pamięci łączącą układy i wyposażoną w
specjalizowane urządzenia komunikujące się ze sobą z bardzo dużą szybkością. Są to układy o
niewielkiej szerokości, z tego powodu są w stanie jednocześnie przesład tylko 16 bitów (ewentualnie
poszerzonych o 2 bity parzystości), ale za to z dużą szybkością. Pamięd ta jest przykładem przejścia z
architektury równoległej na szeregową.
FPM  DRAM(ang. Fast Page Mode DRAM) jest jedną z odmian pamięci DRAM. Charakteryzuje się
znacznie szybszym dostępem do pamięci, w porównaniu z klasycznymi modułami DRAM. Adres
strony wybierany jest tylko raz, o ile interesujące nas komórki pamięci znajdują się w ramach tej
samej strony pamięci. Za każdym razem wybierane są jedynie kolumny, co rezultacie znacznie skraca
czas operacji na pamięci.
EDO  DRAM(ang. Extended Data Out DRAM) budową przypomina bardzo pamięd FPM  DRAM.
Jedyną różnicą, w przypadku pamięci EDO  DRAM, jest odczytywanie informacji, które pozostają na
magistrali również wtedy, gdy sygnał CAS nie jest już aktywny. Taki mechanizm buforowania
procesora może w trakcie odczytu danych generowad nowy adres.
Burst  EDO  DRAM cechuje się jeszcze większa prędkością niż to było w przypadku EDO  DRAM.
Bardzo szybki dostęp do pamięci możliwy jest jedynie dzięki temu, że Burst  EDO  DRAM może
wyręczad procesor w procesie adresowania adresów kolumn, zarówno w czasie zapisu, jaki i odczytu
danych.
1
Błąd miękki(ang. Soft error) należy do błędów danych niewywołanych fizycznym uszkodzeniem układu
pamięci.
4
SRAM
Pamięd SRAM charakteryzuje się o wiele krótszym czasem dostępu niż większośd typów układów
DRAM. Jest to pamięd statyczna, co oznacza, że nie wymaga okresowego odświeżania, jak to jest w
przypadku pamięci DRAM. Dzięki jej architekturze nie tylko uniknięto odświeżania, ale również
uzyskano pamięd o wiele szybszą od modułów DRAM. Niestety układ SRAM ma mniejsza gęstośd niż
DRAM, co oznacza, że jej moduły są większe i przechowują mniejszą ilośd bitów. Duża liczba
tranzystorów i ich grupowanie wpływa na to, że w porównaniu z układami DRAM koszty wytwarzania
są znacznie wyższe.
Chociaż pamięd SRAM ze względu na wysoką cenę i ograniczenia związane z wielkością modułów nie
może byd użyta, jako pamięd systemowa, to jednak projektanci znalez
li dla niej inne zastosowanie,
dzięki czemu uzyskano znaczny wzrost wydajności komputerów. Opracowano pamięd podręczną
(ang. Cache memory) SRAM, która charakteryzuje się niewielką pojemnością, krótkim czasem
dostępu i znacznie korzystniejszą ceną.
Tego typu pamięd pracuje z częstotliwością bliską(lub nawet równą) częstotliwości procesora. W
architekturze systemowej kontroler pamięci podręcznej przewiduje zapotrzebowanie procesora na
dane, a następnie umieszcza je w szybkiej pamięci cache. Po wykonaniu operacji odczytu danych
zawartych w pamięci podręcznej pobierane są kolejne dane z wolniejszej pamięci operacyjnej. Jeśli
procesor odwoła się do określonego adresu pamięci, wtedy znajdujące się tam dane zamiast z
pamięci operacyjnej zostaną pobrane z pamięci podręcznej.
Efektywnośd pamięci cache wyraża się skutecznością trafieo. Współczynnik ten jest stosunkiem
trafieo danych w pamięci podręcznej do całkowitej liczby operacji odczytu pamięci RAM.
Trafienie(ang. hit) ma miejsce wtedy, gdy dane wymagane przez procesor zostały wcześniej pobrane
z pamięci RAM i umieszczone w pamięci podręcznej, dzięki czemu procesor może je pobrad
bezpośrednio z niej. Chybienie(ang. Cache miss) zachodzi w momencie, gdy kontroler nie przewidział
określonego adresu pamięci, spod którego zostały pobrane dane i w efekcie nie umieścił ich wcześnie
w pamięci podręcznej. Procesor zmuszony jest wtedy do odczytania danych z wolniejszej pamięci
operacyjnej, co wiąże się z dłuższym czasem trwania operacji. Procesor musi zmniejszyd częstotliwośd
swojej pracy, operacja ta jest realizowana poprzez wykonanie dodatkowych cykli zwanych cyklami
oczekiwania(ang. Wait states). W czasie tych cykli poza chłodzeniem się procesora nie jest
wykonywana żadna inna operacja.
W celu minimalizacji ilości operacji odczytu danych z pamięci operacyjnej wykonywanych przez
procesor zazwyczaj stosuje się dwa poziomy pamięci podręcznej Level1(L1) i Level2(L2).
·ð L1(ang. Internal cache  pamiÄ™d wewnÄ™trzna) jest bezpoÅ›rednio zintegrowana z procesorem i
stanowi częśd jego rdzenia, z tego powodu pracuje ona zawsze z częstotliwością rdzenia
procesora i jest najszybszą pamięcią w systemie;
·ð L2(ang. External cache  pamiÄ™d zewnÄ™trzna) zostaÅ‚a umieszczona poza
procesorem(początkowo oznaczało to, że znajdowała się na płycie głównej), we wszystkich
procesorach, które pojawiły się w sprzedaży po 1990 r. pamięd L2, podobnie jak pamięd L1
była integralną częścią rdzenia.
5
SDR(ang. Single Data Rate)
Jest to pamięd, w której dane są przesyłane tylko w czasie rosnącego zbocza sygnału zegarowego. W
pamięci tej na jeden takt przypada jeden transfer z komórki do bufora I/O o pełnej szerokości szyny
danych.
DDR(ang. Double Data Rate)
Pamięd, w której dane przesyłane są zarówno podczas rosnącego jak i opadającego zbocza sygnału
zegarowego. Składają się na nią komórki pamięci ułożone w kolumny i wiersze, bufor I/O oraz szyna
danych pomiędzy komórkami a buforem. Pamięci DDR pozwalają na dokonywanie dwóch transferów
w ciÄ…gu jednego taktu.
DDR2
Jest to rozszerzenie pamięci DDR. W pamięci tej dokonano modyfikacji w szerokości szyny
danych(zwiększono ją dwukrotnie) pomiędzy komórkami pamięci, a buforem, a także zwiększono
prędkośd samego bufora. Szybkośd pamięci ograniczana jest przede wszystkim przez szybkośd
komórek, dlatego w DDR2 tak naprawdę to komórki pracują dwukrotnie wolniej a nie bufor szybciej.
GDDR(ang. Graphics Double Data Rate)
Jest to przekształcona na potrzeby karty graficznej pamięd DDR(DDR2- w zależności od wersji GDDR).
Moduły pamięci
Początkowo pamięd w komputerach była instalowana w postaci pojedynczych układów. Z powodu ich
architektury często określano je mianem DIP(ang. Dual Inline Package). Poza czasochłonnością i
pracochłonnością, których wymagała instalacja układów DIP, związany z nimi był jeszcze jeden
problem, mianowicie odkształcenia gniazd pojawiające się z czasem na wskutek zmian temperatury w
czasie pracy komputera. Początkowe rozwiązanie problemu polegało na lutowaniu pamięci na
powierzchni płyty głównej lub karcie rozszerzającej. Niestety w przypadku uszkodzenia układu
pamięci konieczne było jego wylutowanie, a następnie przylutowanie nowego, co było kosztowne i
bardzo trudne. Rozwiązaniem problemu mógł byd układ, który był lutowany, ale jednocześnie
umożliwiał wymianę.
Współczesne płyty główne wyposażone są w złącza typu SIMM(ang. Single Inline Memory Modules).
Są to podłużne płytki, na których umieszczono  kostki pamięci, wyposażone w złącze krawędziowe.
Moduły te posiadają 72-stykowe złącze. Złącze SIMM ma 32-bitową szynę danych. Moduły te są
wykonywane w dwóch wersjach:
·ð Wersja S(ang. Single density) o pojedynczym upakowaniu;
·ð Wersja D(ang. Double density) o podwójnym upakowaniu;
Nowszym osiągnięciem przemysłu komputerowego jest moduł DIMM(ang. Dual Inline Memory
Modules). W zależności od rodzaju pamięci znajdującej się na module posiada on różną ilośd
wyprowadzeo. Moduł ten może byd nośnikiem dowolnego rodzaju pamięci.
Kolejnym osiągnięciem został SO-DIMM(ang. Small Outline DIMM). Są to specjalne moduły DIMM
przeznaczone do montażu w notebookach, komputerach zajmujących mało powierzchni, specjalnych
6
drukarkach biurowych oraz urządzeniach sieciowych. Moduły takie są gabarytowo mniejsze od wersji
DIMM.
Metody adresowania pamięci
Aby zorganizowad komórki pamięci w sprawnie funkcjonujący układ, należy je odpowiednio
zaadresowad.
Adresowanie jest to określenie i odwołanie się do z
ródła lub miejsca przeznaczenia danych za
pomocą adresu. Na ogół wiąże się ono z określaniem adresów argumentów operacji. Format
rozkazów(ang. Instruction format) określających operacje jest dobierany tak, aby mieścił informacje
dotyczące argumentów.
Istnieje wiele sposobów adresowania, zarówno w sensie określania adresu, jak i w sensie
odwoływania się za pomocą adresu. Sposoby adresowania związane z określeniem z
ródła lub miejsca
przeznaczenia danych nazywa siÄ™ trybami adresowania(ang. Addressing modes).
Podstawowe sposoby adresowania w procesach:
·ð Adresowanie bezpoÅ›rednie(ang. Direct addressing)  umieszczenie adresu bezpoÅ›rednio w
rozkazie, jest to rozwiązanie niezbyt ekonomiczne w przypadku programów działających na
danych skupionych w pewnym obszarze;
·ð Adresowanie rejestrowe bezpoÅ›rednie  argument znajduje siÄ™ w jednym z rejestrów
procesora, adres tego rejestru stanowi częśd rozkazu. Adresowanie to jest szybsze od
adresowania bezpośredniego, ale jest ograniczone do liczby rejestrów procesora;
·ð Adresowanie rejestrowe poÅ›rednie  rozkaz zawiera adres rejestru, w którym
przechowywany jest adres argumentu w pamięci, jest ono szybsze od adresowania
bezpośredniego, za to ograniczone liczbą bitów danego rejestru;
·ð Adresowanie poÅ›rednie(ang. Indirect addressing)  zawartoÅ›d komórki okreÅ›lonej przez
podstawową informację adresową jest traktowana również, jako adres. To adresowanie
może byd wielopoziomowe, tzn. adres A1 znajdujący się w komórce A0, wyznaczonej przez
informacje adresową, może byd adresem miejsca przechowywania następnego adresu
A2(oczywiście liczba rozumianych w ten sposób poziomów jest ograniczona);
·ð Adresowanie indeksowe(ang. Index addressing)  podobne do adresowania wzglÄ™dnego, ale
role licznika pełni rejestr indeksowy2.
·ð Adresowanie proste/natychmiastowe(ang. Immediate addressing)  w komórce nastÄ™pujÄ…cej
po komórce zawierającej rozkaz znajduje się sam argument;
·ð Adresowanie bezwzglÄ™dne(ang. Absolute addressing)  komórka nastÄ™pujÄ…ca po komórce
zawierającej rozkaz zawiera adres bezwzględny argumentu;
·ð Adresowanie wzglÄ™dne  adres argumentu jest suma informacji adresowej zawartej w
rozkazie oraz stanu licznika rozkazów;
Procesory z reguły umożliwiają stosowanie wielu różnych sposobów adresowania.
2
Rejestry indeksowe są rejestrami, których zawartośd może byd bardzo szybko dodana do przesunięcia, o
długości rozkazów zaadresowanej dowolnej komórki pamięci
7
Przeliczanie adresów logicznych na rzeczywiste nie jest takie proste i wyraz
ne i zależy m. in. od trybu
pracy procesora:
·ð Tryb rzeczywisty(ang. Real mode) - procesory 32-bitowe przeÅ‚Ä…cza w stan pracy procesora 16-
bitowego;
·ð Tryb chroniony(ang. Protected mode)  wprowadzony w celu ochrony poszczególnych zadao
pracujÄ…cych pod kontrolÄ… wielozadaniowego systemu operacyjnego;
·ð Tryb wirtualny procesora 8086(ang. Virtual 8086 mode)  kombinacja dwóch poprzednich
trybów; każdy z programów użytkowych widzi swój własny procesor 8086 pracujący w trybie
rzeczywistym, a elementy z trybu chronionego zapewniają odpowiednie prawa dostępu i
uniemożliwiają kolizję między zadaniami;
Stronicowanie
Stronicowanie jest to mechanizm umożliwiający dowolne mapowanie adresów logicznych na adresy
fizyczne. Adresy logiczne obejmują całą przestrzeo adresową procesora(4GB), niezależnie od tego, ile
w rzeczywistości w komputerze zainstalowano pamięci. Zadaniem systemu operacyjnego jest
odpowiednie mapowanie dresów logicznych na adresy pamięci fizycznej, co pozwala zwykłym
programom użytkowym przez cały czas działania odwoływad się do tych samych dresów logicznych.
Włączone stronicowanie dzieli całą pamięd na bloki o rozmiarach 4kB. Gdy program odwołuje się do
pamięci, podaje adres właściwej komórki pamięci, który jest 32-bitową liczbą składająca się z trzech
części:
1. Indeks w katalogu stron3(liczba 10-bitowa),
2. Indeks w tablicy stron4(liczba 10-bitowa),
3. Przesunięcie w obrębie strony(liczba 12-bitowa);
Każda pozycja w tablicy stron przechowuje pewne dodatkowe informacje dotyczące strony pamięci:
·ð Bit obecnoÅ›ci(ang. present)  mówi czy strona znajduje siÄ™ w pamiÄ™ci fizycznej
·ð Bit użycia(ang. accessed)  jest ustawiany przez procesor, gdy nastÄ…pi odwoÅ‚anie do danej
strony
·ð Bit modyfikacji(ang. modified)  jest ustawiany podczas zapisu danych
Kontrola błędów
W serwerach i komputerach o ważnym znaczeniu, gdzie na pierwszym miejscu stoi niezawodnośd i
stabilnośd, niedopuszczalna jest sytuacja, gdy podczas odczytu lub zapisu komórki pamięci RAM
nastąpi błąd. Dlatego też w tego typu maszynach stosuje się pamięd z kontrolą.
Początkowo był to system, dzięki któremu podczas przesyłania danych można było kontrolowad ich
stan. Jest on stosunkowo prosty i polega na stwierdzeniu czy liczba logicznych jedynek w przesyłanym
bloku danych jest parzysta, czy nieparzysta. Dodatkowy dziewiÄ…ty bit, jest przechowywany w
komórce pamięci. Jednak taki sposób sprawdzania błędów jest bardzo niedokładny, gdyż potrafi
wykryd tylko błędy o nieparzystej ilości.
3
Katalog stron zawiera wskaz
niki do tablic stron
4
Tablice stron przechowujÄ… adresy fizyczne stron
8
Wraz ze wzrostem pojemności pamięci i powiększeniu jej szyny do 63 bitów inżynierowie doszli do
wniosku, że system kontroli parzystości jest bardzo nieefektywny. Wymyślono wówczas system o
nazwie ECC(ang. Error Correction Code  kod korekcji błędu). Ma ona nie tylko możliwośd wykrycia
informowania o napotkanym błędzie, ale również, w określonych warunkach, jego naprawy.
ECC zmniejsza wydajnośd pamięci do ok. 3% w stosunku do modułów bez tej technologii i jest od nich
droższy. Wpływają na to opóz
nienia wynikające z konieczności obliczania sumy kontrolnej podczas
odczytu i zapisu komórek pamięci. Pamięci te mogą byd oczywiście używane w domowych
komputerach, jednak w tym wypadku obsługę ECC musi zapewnid chipset płyty głównej oraz jej BIOS.
Opóz
nienie(Timing)
Jest to czas, jaki upływa od zainicjowania np. odczytu komórki d uzyskania jej wartości. Mierzy się je
w cyklach zegarowych, jakimi jest taktowany bufor I/O pamięci i oznacza zamiennie t lub T. oczywiste
jest, że im mniejsze mają one wartości, tym lepiej, bo skraca to czas oczekiwania na wykonanie
zadania.
Podstawowymi timingami sÄ…:
·ð CL(CAS Latency; CAS  Column Access Strobe lub Column Adress Select)  czas, jaki
upływa od wydania przez procesor rozkazu aktywacji konkretnej kolumny, do momentu
wysłania danych do bufora w kontrolerze pamięci;
·ð RCD(RAS to CAS Dlay; RAS  Row Access Strobe; CAS  Column Access Strobe)  czas, jaki
upływa od zakooczenia wykonywania polecenia aktywacji konkretnej kolumny, do
rozpoczęcia wykonywania polecenia aktywacji konkretnego wiersza;
·ð RP(RAS Precharge)  czas, jaki upÅ‚ywa od wykonania polecenia zamkniÄ™cia dostÄ™pu do
wcześnie aktywowanego wiersza i rozpoczęcia wykonywania polecenia aktywacji
kolejnego;
·ð RAS(Row Active Time)  czas, jaki upÅ‚ywa od żądania wykonania polecenia aktywacji
wiersza aż do jego dezaktywacji;
·ð CR(Command Rate)  czas, jaki upÅ‚ywa pomiÄ™dzy adresowaniem dwóch niekoniecznie
różnych komórek pamięci.
Kompatybilność
Pomimo obecności standardów może okazad się, że dana pamięd nie do kooca poprawnie
współpracuje z naszą płytą główną. Dotyczy to przede wszystkim pamięci wyczynowych5, które
pracują z wyższymi taktowaniami niż t, określone w standardach. Również podczas produkcji pamięci
stosuje się drobne modyfikacje w budowie modułów DIMM tak, by uzyskad jak najwyższą wydajnośd,
a żeby nadal były one kompatybilne. Jednak nie w każdym przypadku tak jest. Producenci płyt
głównych testują moduły pamięci i modyfikują odpowiednio BIOS-y płyt głównych tak, aby
zagwarantowad poprawną współpracę pamięci. Można się przekonad, że wymiana BIOS-u na nowszy
często powoduje lepszą(czy też prawidłową) pracę pamięci. Dotyczy to przede wszystkim tych
najszybszych modeli.
5
Pamięci wyczynowe są to pamięci, których parametry zostały przez producenta podkręcone tak, by
przekraczały standardy wyznaczone przez JEDEC
9
y
ródła:
1.  Informatyka, nr 1/1981, str. 37-38
2.  Informatyka, nr 3/1981, str. 39
3. www.wikipedia.org.pl
4. http://nvision.pl/Wszystko-o-pamieciach-RAM--Articles-169-ndetails.html
5. http://komputery-pc.info/
6. http://www.au.poznan.pl/~jankar/AS-procesory_2.pdf
7. http://www.bryk.pl/teksty/liceum/pozosta%C5%82e/informatyka/15855-
miejsca_zastosowania_oraz_rola_w_komputerze_pami%C4%99ci_dram.html
10