PAMI
Ć RAM
Podział ze względu na sposób dostępu
" FPM RAM - (ang. Fast Page Mode RAM)
" EDO RAM - (ang. Extended Data Output RAM)
" BEDO RAM - (ang. Burst EDO RAM)
Moduły pamięci w komputerach PC
Typ pamięci [typ Zastosowanie Rok
obudowy]
DIP PC, XT, AT 1981
SIPP 286, AT, 386
SIMM (30-pinowe) Niektóre 286, 386, 486 1994
SIMM (68-pinowe) PS/2, 486, Pentium
SDR SDRAM [DIMM] Niektóre Pentium, Pentium II, Pentium III i
Celeron
Rambus [RIMM] Pentium IV - po niecałym roku produkcji 1999
wycofane z powodu opłat licencyjnych oraz
mniejszej niż zamierzano wydajności
DDR [DIMM] Pentium IV, Athlon, Duron, Sempron 1999
DDR2 [DIMM] Pentium IV, Pentium D, Intel Core 2, Athlon 64 2003
AM2, Sempron AM2
DDR3 [DIMM] Intel Core 2, Intel Penryn, Athlon 64 AM3, 2007/2008
Sempron AM3
DIP (ang. Dual In-line Package), czasami nazywany
DIL - w elektronice rodzaj obudowy elementów
elektronicznych, głównie układów scalonych o
małej i średniej skali integracji.
SIPP (z ang. Single Inline Pin Package) jest drugą
generacją pamięci DRAM, 30 pinów wzdłuż obrzeża
i wyeliminował potrzebę, aby każdy chip DRAM był
montowany indywidualnie.
SIMM (Single Inline Memory Module) brak
wystających pinów, ukształtowanie płytki takie,
aby nie było można zainstalowad jej niewłaściwie.
Moduł SIMM EDORAM 72 piny - szerokośd szyny
danych 32 bity - w systemach Pentium (64 bity)
montowane parami.
Synchronous Dynamie Random Access Memory.
Pamięd dynamiczna (zwana czasem również
DIMM), która pojawiła się w roku 1996,
wyposażona w interfejs synchroniczny, dzięki
któremu wewnętrzne sygnały taktujące
generowane są na podstawie zegara szyny
pamięci, co pozwala na przyspieszenia transmisji
danych.
RIMM (ang. Rambus Inline Memory Module) 
jeden z rodzajów kości pamięci komputerowej, na
którym umieszczone są układy scalone z pamięcią
Rambus DRAM (RDRAM).
Najpopularniejsze typy RIMM to:
160-pinowe, stosowane SO-RIMM
184-pinowe, stosowane RIMM 16-bitowe
232-pinowa, stosowane RIMM 32-bitowe
326-pinowa, stosowane RIMM 64-bitowe
DDR1 SDRAM modyfikacja Synchronous DRAM
(SDRAM). W pamięci typu DDR SDRAM dane
przesyłane są w czasie trwania zarówno
rosnącego jak i opadającego zbocza zegara,
przez co uzyskana została dwa razy większa
przepustowośd niż w przypadku
konwencjonalnej SDRAM typu PC-100 i PC-133.
Układy zasilane są napięciem 2,5 V a nie 3,3 V
Stosowane są dwa rodzaje oznaczeo pamięci DDR SDRAM. Mniejszy (np. PC-200)
mówi o częstotliwości, z jaką działają kości. Natomiast większy (np. PC1600) mówi
o teoretycznej przepustowości jaką mogą osiągnąd. Szerokośd magistrali pamięci
wynosi 64 bity. Przepustowośd obliczana jest metodą np.:
PC-200 (PC-1600) - 64 bity * 2 * 100 MHz = 1600 MB/s
PC-266 (PC-2100) - 64 bity * 2 * 133 MHz = 2133 MB/s
PC-333 (PC-2700) - 64 bity * 2 * 166 MHz = 2700 MB/s
PC-400 (PC-3200) - 64 bity * 2 * 200 MHz = 3200 MB/s
DDR2 SDRAM - pamięci drugiej generacji.
PC-533 (PC2-4200)
PC-600 (PC2-4800)
PC-667 (PC2-5300)
Pamięd DDR3 wykonana jest w technologii 90 nm, która umożliwia zastosowanie
niższego napięcia (1,5 V w porównaniu z 1,8 V dla DDR2 i 2,5 V dla DDR).
Dzięki temu pamięd DDR3 charakteryzuje się zmniejszonym poborem mocy o około
40% w stosunku do pamięci DDR2 oraz większą przepustowością w porównaniu do
DDR2 i DDR. Pamięci DDR3 nie są kompatybilne wstecz, tzn. nie współpracują ze
starszymi chipsetami.
Pamięci ddr3 na rynku
FPM (Fast Page Mode)
ograniczenie czasu dostępu do pamięci w wyniku pobierania kilku bitów
następujących po sobie jednocześnie.
Konkretnie padło na 4 bity w obrębie wiersza, adres komórki (kolumna i
wiersz) jest podawany tylko w pierwszym cyklu, pozostałe 3 cykle to
operacje na kolejnych 3 komórkach. Rozwiązanie takie ma sens ponieważ
przetwarzany przez komputer kod jest zwykle skupiony w jednym wycinku
przestrzeni adresowej. Od momentu wprowadzenia tej pamięci pojawiły
się oznaczenia typu 5-3-3-3, jest to skrótowy sposób przedstawiania z jaką
prędkością działa RAM, każda cyfra oznacza ile cykli zegara jest potrzebne
na zaadresowanie któregoś bajtu. Pierwsza liczba jest większa, ponieważ
musi zostad uzgodniony adres bazowy, będący odniesieniem dla
następnych 3 bajtów.
EDO RAM (Extended Data Out RAM)
rozwiązanie nieco nowsze i nieco szybsze od poprzedniego.
Moduł EDO to właściwie zmodyfikowany FPM.
FPM przy odczycie 3 ostatnich bitów zachowywał się dośd nieefektywnie,
a mianowicie uzgadniał adres np 3 komórki dopiero po zakooczeniu
odczytu z 2, tymczasem można się tym spokojnie zająd już w czasie odczytu
komórki poprzedzającej i taką właśnie odkrywczą ideę wprowadzono w
EDO. Dzięki temu udało się zejśd z wartości 5-3-3-3 (typowej dla FPM)
do 5-2-2-2 (typowej dla EDO)
BEDO RAM (Burst EDO RAM)
zasadniczą zmianą w pamięciach tego typu w stosunku do EDO RAM jest
umieszczenie licznika adresów wewnątrz modułu, dzięki czemu kontroler
pamięci musi się odwoływad tylko do pierwszej komórki, pozostałe 3
załatwiają się samoczynnie (ich adresy zostają wygenerowane już w RAM-
ie).