F2-72
PAMI
CI STAA
E EEPROM 1
Pamięci kasowalne elektrycznie!
Struktura tranzystora pamiętającego ze swobodną bramką
FLOTOX (Floating-Gate Tunnel Oxide) firmy INTEL
Specjalnie cienka warstwa tlenkowa (< 10 nm) umożliwia
dwukierunkowy przepływ elektronów
w procesie tunelowym Fowlera-Nordheima
" A
adowanie bramki swobodnej: UG > 0, UD = 0 UT H" 10 V
" Rozładowanie bramki swobodnej: UG = 0, UD > 0 UT < 0
Aby odciąć prąd drenu trzeba zastosować drugi tranzystor:
© J. Kalisz, WAT, 2005