Elektronika cyfrowa - Tranzystory FET






  Wstecz  
Strona główna


Tranzystory FET: kanał N


Oznaczenie
Parametry graniczne (tamb=25�C)
Parametry charakterystyczne (ta=25�C)
Obudowa(kliknij po rysunek)


Ugdmax
Udsmax
Igmax
Ptotmax
tjmax
Idss przy
Ugs przy
Ugsoff przy
C12ss przy



V
V
mA
mW
�C
minmA
maxmA
UgsV
UdsV
minV
maxV
UdsV
IduA
minV
maxV
UdsV
IdnA
max(typ)pF
UdsV
UgsV
fpMHz


BF245ABF245BBF245CBFR30BFR31
-30-30-30-25-25
3030302525
10101055
360360360200200
150150150150150
261241
6,51525105
00000
1515151010
-0,4-1,6-3,2
-2,2-3,8-7,5-4-2
1515151010
2002002005050
-0,5-0,5-0,5
-8-8-8-5-2,5
1515151010
1010100,50,5
(1,1)(1,1)(1,1)1,51,5
2020201010
-1-1-111
11111

CE35 (TO92)
CE35 (TO92)
CE35 (TO92)
CE46
CE46