Elektryczne schematy zastępcze typu  hybryd Ą w układzie OB i OE
Je\
eli sygnał ma małą amplitudę i małą częstotliwość, to parametry
zespolone zastępuje się ich częściami rzeczywistymi.
gec
e
c
geb gmueb gcb
Ceb Ccb
b
rbb
b b
Schemat zastępczy typu  hybryd Ą tranzystora w układzie OB.
gb c
Cb c
rbb b
c
b
gb e gmub e gce
Cb e
e e
Schemat zastępczy typu  hybryd Ą tranzystora w układzie OE.
gmUeb i gmUb e - oddziaływanie napięcia wejściowego (występującego na złączu
emiterowym) na prąd płynący w obwodzie wyjściowym (przez złącze C-B).
gm - transkonduktancja, którą definiuje się jako stosunek przyrostu prądu
kolektora (prądu wyjściowego) do przyrostu napięcia na złączu emiterowym
(napięcia wejściowego) przy równym zeru (lub ustalonym) napięciu w obwodzie
wyjściowym.
gec - konduktancja sprzę\
enia zwrotnego, określana jako stosunek zmian prądu
wejściowego do zmian napięcia wyjściowego przy równym zeru (lub ustalonym)
napięciu wejściowym.
rbb -  rezystancja rozproszona bazy . Spadki napięć w poszczególnych
obszarach bazy, związane ze stosunkowo du\
ymi wartościami rezystywności
obszaru bazy są ró\
ne w ró\
nych jej obszarach. Wią\
e się to
z nierównomiernym rozpływem prądu w bazie.