cw13, spr13, Wydział Inżynierii Elektrycznej


Wydział Inżynierii Elektrycznej

i Komputerowej

Artur Karpisz

Zespół

1

0x08 graphic
Ocena ostateczna

Grupa

12

Badanie zależności oporu elektrycznego metali i półprzewodników od temperatury.

Nr ćwiczenia

13

Data

02.03.2001r.

1. OPRACOWANIE TEORETYCZNA

Metale należą do dobrych przewodników elektrycznych. Ich dobre przewodnictwo jest wynikiem dużej liczby elektronów swobodnych. Opór elektryczny (rezystancja) metali wzrasta z temperaturą, przy czym metale czyste wykazują większą zależność oporu od temperatury niż stopy. Szczególnie niską wrażliwość na zmianę temperatury wykazują stopy Cu, Ni i Mn (manganin ,konstantan).

Atomy w metalu tworzą sieć krystaliczną, która nie jest idealną ze względu na znajdujące się w niej domieszki, luki(węzły sieci nie zajęte przez atomy), a także termiczne drgania sieci.

W wyniku rozpraszania elektronów na domieszkach i fononach(„kwantach” drgań sieci krystalicznej) pojawia się opór elektryczny. W niskich temperaturach rozpraszanie na domieszkach i defektach sieci dominuje nad rozpraszaniem na fononach i składa się na tzw. oporność resztkowa metalu. W czystych metalach jest ona bardzo mała, natomiast osiąga duże wartości w stopach. Dlatego opór stopów jest najczęściej większy od oporu czystych metali i słabo zależy od temperatury(np. dla konstantanu). Wraz ze wzrostem temperatury zwiększają się cieplne drgania atomów w sieci, co powoduje zakłócenie ruchu elektronów ukierunkowanych przez zewnętrzne pole elektryczne. Pojawia się opór elektryczny rosnący wraz z temperatura. Dla niewielkich przedziałów temperatury (kilkadziesiąt stopni) zmiana oporu jest wprost proporcjonalna do przyrostu temperatury i do oporu początkowego R0:

ΔR=αR0Δt.

Współczynnik proporcjonalności α nosi nazwę współczynnika temperaturowego oporu elektrycznego. Wyrażamy go w K-1. Charakteryzuje on dany metal w określonym przedziale temperatur. Dla dużych przedziałów temperatur (rzędu kilkuset stopni) zależności oporu od temperatury nie da się już opisać funkcją liniową, tyko wyrażeniem:

R=R0(1+αt+βt2+γt3),

gdzie α,β,γ są stałymi charakteryzującymi dany materiał.

Zależność oporu od temperatury została wykorzystana w praktyce do pomiaru temperatury w tzw. termometrach oporowych, gdzie jako materiał termoelektryczny stosowana jest platyna i nikiel

Omawiając zależność oporu od temperatury należy wspomnieć, że duża grupa metali nieferromagnetycznych i ich stopów oraz niektóre związki półprzewodnikowe, wykazują zjawisko tzw. nadprzewodnictwa. Polega ono na gwałtownym spadku ich oporu elektrycznego (prawie do zera) poniżej pewnej wartości temperatury. Zjawisko to znalazło zastosowanie w elektromagnesach do uzyskiwania bardzo silnych pól magnetycznych.

W półprzewodnikach przewodnictwo elektryczne zmienia się wraz z temperaturą na skutek zmian ruchliwości nośników(elektronów i dziur) na skutek rozpraszania na defektach i drganiach sieci, jak i wzrostu elektronów i dziur. Zwykle drugi sposób dominuje i opór elektryczny maleje wykładniczo wraz z temperaturą. Wzbudzenie elektronów do pasma przewodnictwa i powstanie dziur w paśmie walencyjnym nie jest tylko skutkiem dostarczenia energii elektrycznej. Opór może też zależeć oprócz temperatury od oświetlenia lub przyłożonego napięcia. Wyróżniamy więc: termorezystory(termistory i pozystory), fotorezystory i warystory.

Opór warystora zmniejsza się wraz ze wzrostem przyłożonego napięcia. Po przekroczeniu pewnej wartości jego opór staje się znikomo mały. Własność ta jest wykorzystywana w elektroenergetyce do zabezpieczania sieci w czasie wyładowań atmosferycznych.

Termorezystory wykazują silną zależność oporu od temperatury. Ponieważ opór elementów półprzewodnikowych nie jest funkcja liniową więc współczynnik temperaturowy oporu elektrycznego definiuje się wzorem różniczkowym:

0x01 graphic

gdzie0x01 graphic
jest oporem w temperaturze t.

W praktyce stosuje się termorezystory o ujemnym współczynniku temperaturowym oporu, często są one nazywane termistorami, oraz o dodatnim współczynniku oporu nazywane pozystorami. Termistory wykonywane z półprzewodników będących tlenkami metali przejściowych (np. tlenku niklu NiO, tlenku miedzi CuO, dwutlenku tytanu 0x01 graphic
). Są one stosowane w obwodach żarzenia lamp elektronowych do zabezpieczania zimnych katod, kiedy ich opór jest mały, przed prądami udarowymi w chwili włączania. Ich współczynnik temperaturowy αt jest ujemny w całym zakresie temperatur.

Dla termistorów zależność oporu od temperatury bezwzględnej T opisana jest dość dobrze wzorem:

0x01 graphic

gdzie A i B są stałymi o wymiarach oporu i temperatury, T jest temperaturą w skali Kelwina.

Podstawiając powyższy wzór do zależności na współczynnik temperaturowy oporu otrzymamy:

0x01 graphic

czyli ostatecznie otrzymujemy:

0x01 graphic

Pozystory są elementami ceramicznymi, w których głównym składnikiem jest tytanian baru BaTiO3. stosuje się je w obwodach automatyki np. do zabezpieczania silników elektrycznych przed przegrzaniem. Nieznaczny dodatek jonów antymonu, bizmutu, itru, wolframu lub lantanu może spowodować obniżenie oporu właściwego BaTiO3 z 107÷1010Ω⋅m do 10-1÷10Ω⋅m, zmianę w pewnym zakresie temperatur znaku współczynnika αt z ujemnego na dodatni. Tak zmodyfikowany BaTiO3 jest wykorzystywany do wyrobu pozystorów.

0x08 graphic

0x08 graphic

2. Opracowanie wyników pomiarów