Żmudziński Tomasz
WETI AiR
Gdańsk 13.12.1997
Ćwiczenie 54.
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych.
Dane stanowiska.
8(nm) |
N()8) |
R [kS] |
I[mA] |
400 |
0,0066 |
3300 |
0,13 |
420 |
0,0235 |
6988 |
0,15 |
440 |
0,0609 |
3930 |
0,09 |
460 |
0,2700 |
1700 |
0,03 |
480 |
0,2290 |
883 |
0,02 |
500 |
0,3700 |
386 |
0,05 |
520 |
0,5460 |
128 |
0,09 |
540 |
0,7830 |
99 |
0,16 |
560 |
1,1200 |
72 |
0,24 |
580 |
1,5080 |
55 |
0,35 |
600 |
1,9200 |
45 |
0,47 |
620 |
2,3740 |
40 |
0,65 |
640 |
2,9120 |
36 |
0,88 |
660 |
3,6600 |
36 |
1,17 |
680 |
4,4200 |
37 |
1,53 |
700 |
5,3500 |
41 |
0,92 |
720 |
6,3200 |
51 |
2,42 |
740 |
7,3500 |
68 |
2,90 |
760 |
8,5200 |
93 |
3,58 |
780 |
9,8600 |
134 |
4,22 |
800 |
11,1000 |
194 |
4,90 |
820 |
12,5500 |
273 |
5,62 |
840 |
13,8300 |
400 |
6,52 |
860 |
15,1500 |
567 |
7,39 |
880 |
16,6500 |
760 |
8,25 |
900 |
18,0100 |
1305 |
9,09 |
t [s] |
U [mv] |
0,000 |
300 |
0,004 |
175 |
0,008 |
110 |
0,012 |
80 |
0,016 |
65 |
0,02 |
50 |
0,024 |
40 |
0,028 |
35 |
0,032 |
35 |
0,033 |
35 |
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych.
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych polega na wyznaczeniu ich czułości widmowych oraz czasu życia nadmiarowych nośników ładunku. W celu uproszczenia opisu przebiegu ćwiczenia podzielę go na dwie części.
1.Badanie czułości półprzewodnikowych przyrządów fotoelektrycznych.
Sygnałem S przyrządu fotoelektrycznego nazywa się wartość natężenia prądu lub napięcia pojawiającego się na jego wyjściu pod wpływem padającego promieniowania. Wielkość sygnału zależy od zakresu Λ długości fal padającego promieniowania, gęstości widmowej strumienia promieniowania ϕ(λ) oraz czułości widmowej fotodetektora C(λ):
.
Gęstość widmowa strumienia promieniowania ϕ(λ) związana jest z wielkością całkowitego strumienia φ(Λ) poprzez zależność:
.
Czułość widmowa fotodetektora C(λ) jest równa wartości sygnału pojawiającego się pod wpływem jednostkowego strumienia promieniowania monochromatycznego o długości fali λ.To zjawisko pozwala wyrazić czułość widmową wzorem:
gdzie: S(Δλ)- sygnał generowany pod wpływem danego strumienia promieniowania
φ(Δλ)- strumień promieniowania padający na fotodetektor.
Względną czułość widmową Cw(λ) wyraża się wzorem:
gdzie: Cmax - maksymalna czułość widmowa
C(λ) - czułość widmowa.
Do wyznaczenia czułości widmowej fotorezystora użyję poniższego układu:
Sygnał S(Δλ) wytwarzany przez fotorezystor obliczę z zależności:
gdzie: R(Δλ) - rezystancja fotorezystora oświetlonego światłem o zakresie długości fal Δλ.
Rc - rezystancja fotorezystora nieoświetlonego. Do wyznaczenia czułości widmowej fotodiody użyję układu:
Sygnał S(Δλ) wytwarzany przez fotodiodę obliczę z zależności:
gdzie: I(Δλ)- natężenie prądu wytworzonego przez fotodiodę oświetloną światłem o długości Δλ.
Ic - natężenie prądu wytworzonego przez fotodiodę nieoświetloną.
2.Wyznaczanie czasu życia nadmiarowych nośników ładunku.
Nośniki ładunku, których koncentracja odpowiada równowadze termicznej, nazywają się równowagowymi. Podczas wzbudzania półprzewodnika światłem powstają dodatkowe nośniki ładunku, zwane nośnikami nadmiarowymi. Podczas oświetlania w czasie Δt półprzewodnika światłem o niedużym natężeniu promieniowania Ee, to liczba powstałych w jednostce objętości nośników nadmiarowych (elektronów Δn i dziur Δp) będzie proporcjonalna do Ee, wyraża się ona wzorem:
gdzie: k - współczynnik pochłaniania światła
η - średnia liczba par elektron-dziura powstała przy pochłonięciu jednego kwantu światła,
h - stała Plancka
ν - częstotliwość fali światła.
Średni czas życia nośników nadmiarowych τ jest to średni czas, jaki upływa od momentu generacji nośników ładunku do ich rekombinacji.
Natężenie fotoprądu powstałego w wyniku powstania nadmiarowych nośników ładunku wyraża się zależnością:
gdzie: G - przewodność półprzewodnika
U - wartość przyłożonego napięcia.
Do wyznaczenia średniego czasu życia nośników nadmiarowych użyję układu:
Po uwzględnieniu zależności występujących w układzie natężenie fotoprądu mogę wyrazić wzorem:
gdzie: U(t) - napięcie mierzone oscylatorem
R - rezystancja opornika.
Przykładowe obliczenia :
Pomiar czułości widmowej fotorezystora:
-sygnał obliczam ze wzoru:
-ponieważ rezystancja fotorezystora nieoświetlonego była zbyt duża, aby zmierzyć ją
przy użyciu przyrządów dostępnych w laboratorium powyższy wzór redukuję do
postaci:
Otrzymujemy więc:
.
Czułość widmową obliczam ze wzoru :
Pomiar czułości widmowej fotodiody:
-sygnał obliczam ze wzoru : .
-mierzę Ic= -0,01 mA.
Otrzymuję więc:
Czułości widmowe odpowiednio wynoszą :
Otrzymane wyniki zestawiam w tabeli:
|
S ()8) |
|
CW |
|
8 |
Fotorezystor |
Fotodioda |
Fotorezystor |
Fotodioda |
400 |
0,30*10-6 |
0,00014 |
1,0000 |
1,0000 |
420 |
0,14*10-6 |
0,00016 |
0,1326 |
0,3210 |
440 |
0,25*10-6 |
0,00010 |
0,0910 |
0,0774 |
460 |
0,58*10-6 |
0,00004 |
0,0475 |
0,0070 |
480 |
1,13*10-6 |
0,00003 |
0,1077 |
0,0062 |
500 |
2,59*10-6 |
0,00006 |
0,1524 |
0,0076 |
520 |
7,81*10-6 |
0,00010 |
0,3116 |
0,0086 |
540 |
10,10*10-6 |
0,00017 |
0,2810 |
0,0102 |
560 |
13,90*10-6 |
0,00025 |
0,2701 |
0,0105 |
580 |
18,20*10-6 |
0,00036 |
0,2626 |
0,0113 |
600 |
22,20*10-6 |
0,00048 |
0,2521 |
0,0118 |
620 |
25,00*10-6 |
0,00066 |
0,2294 |
0,0131 |
640 |
2,78*10-6 |
0,00089 |
0,2078 |
0,0144 |
660 |
2,79*10-6 |
0,00118 |
0,1662 |
0,0152 |
680 |
2,70*10-6 |
0,00154 |
0,1332 |
0,0164 |
700 |
2,44*10-6 |
0,00093 |
0,0993 |
0,0082 |
720 |
1,96*10-6 |
0,00243 |
0,0676 |
0,0181 |
740 |
1,47*10-6 |
0,00291 |
0,0436 |
0,0187 |
760 |
10,80*10-6 |
0,00359 |
0,0275 |
0,0199 |
780 |
7,46*10-6 |
0,00423 |
0,0165 |
0,0202 |
800 |
5,15*10-6 |
0,00491 |
0,0101 |
0,0209 |
820 |
3,66*10-6 |
0,00563 |
0,0064 |
0,0211 |
840 |
2,50*10-6 |
0,00653 |
0,0039 |
0,0222 |
860 |
1,76*10-6 |
0,00740 |
0,0025 |
0,0230 |
880 |
1,32*10-6 |
0,00826 |
0,0017 |
0,0234 |
900 |
0,76*10-6 |
0,00910 |
0,0009 |
0,0238 |
Wyliczone dane przedstawiam na wykresie:
3.Pomiar średniego czasu życia nośników nadmiarowych:
Obliczam korzystając ze wzoru : .
Korzystam z metody najmniejszych kwadratów, przy czym przyjmuję :
x = t
y =
a=
b=.
Po obliczeniach otrzymuję:
a= 66,284 [s-1]
b= 1,835
r= 0,953,
Wyliczając otrzymuję:
Otrzymane wyniki przedstawiam na wykresie :
Obliczam błąd korzystając ze wzoru : ,
gdzie (n- liczba pomiarów).
Po obliczeniach otrzymuję : .
Ostatecznie: J= 0,015087"0,001083 [s].
Badam okres obrotu modulatora. Wynosi on : T = 0,156 [s].
Obliczam częstotliwość obrotów tarczy modulatora korzystając ze wzoru : f = T-1.
F=6,41 [Hz].
Bibliografia :
1).Praca zbiorowa:” I laboratorium z fizyki” .Wyd.PG. Gdańsk 1997
2).R.Resnick „Fizyka” PWN Warszawa 1996