Najważniejsze wzory fizyki półprzewodników

Równanie neutralności elektrycznej
Bilans koncentracji nośników
Koncentracja nośników samoistnych
Poziom Fermiego w półprzewodniku samoistnym
Koncentracja elektronów i dziur	Półprzewodnik zdegenerowany	; przy czym:
	Półprzewodnik niezdegenerowany	; lub w innej postaci: ;
Koncentracja nośników większościowych		lub w przybliżeniu dla ;
Gęstość prądu unoszenia		;
Gęstość prądu dyfuzji		;
Wzór Einsteina
Szybkość rekombinacji nośników mniejszościowych		;
Czas życia nośników		;
Szybkość rekombinacji powierzchniowej		;
Prawo ciągłości ładunku
Pole wbudowane w półprzewodniku niejednorodnym

W_i - poziom Fermiego w półprzewodniku samoistnym

v_th - prędkość cieplna nośników

N_t - koncentracja centrów generacyjno - rekombinacyjnych

N_st - gęstość stanów powierzchniowych liczona na 1m² powierzchni

N_c, N_v - efektywna gęstość stanów energetycznych, sprowadzona do dna pasma przewodnictwa, wierzchołka pasma walencyjnego

n_i - koncentracja elektronów samoistnych

θ_n, θ_p - przekrój skuteczny na wychwyt elektronów, dziur

G - szybkość generacji nośników

R - szybkość rekombinacji nośników

---