Przyrządy półprzewodnikowe
polowe II
(unipolarne i unipolarno-
bipolarne, o sterowaniu
napięciowym), MAG
Porównanie tranzystorów polowych i
bipolarnych (1)
[1]
Tranzystor JFET (2)
zasada działania i ch-
ki
D
δ ~ ( U
R
/N
d
)
1/2
gdzie U
R
–
napięcie wsteczne na
złączu,
N
d
– koncentracja
domieszek w materiale n
(donorów). Napięcie
U
R
=U
GS
+ U
SD
y/L
[5, 10]
Tranzystor polowy złączowy
JFET (3) ch-ki wyjściowe
Ch-ki wyjściowe I
D
=f(U
DS
) przy U
GS
= -2V
do 0 co –0.4V dla T = 0, 50, 100deg.
Przybliżona zależność dla małych przyrostów
I
D
= g
m
U
GS
+ g
ds
U
DS.
Transkonduktancja g
m
= I
D
/ U
GS
przy U
DS
=const.
Konduktancja wyjściowa g
ds
= I
D
/U
DS.
przy U
GS
=const.
Tranzystor JFET (4) ch-ki
przejściowe
Ch-ki przejściowe I
D
=f(U
GS
) przy U
DS
=20V i T=0,50 100deg
(wykres dolny). Wykres górny przedstawia zależność
transkonduktancji g
m
.
Tranzystor JFET (5) ch-ki wyjściowe i I
G
Tranzystor 2N4393 jak poprzednio. Symulowane ch-ki
wyjściowe I
D
=f(U
DS
) przy U
GS
=-2V do 0 co -0.4V oraz T=
50deg (zielona) i 80deg (czerwona).Na wykresie górnym
pokazano ch-ki prądu bramki –I
G
przy tych samych
temperaturach.
Tranzystor JFET (6)
wzmacniacz AC
Wzmacniacz AC z tranzystorem
JFET. UV2=200mV. Przebiegi
czasowe i ch-ka
częstotliwościowa przenoszenia.
Tranzystor MOS (MOSFET) (7) z
kanałem poziomym normalnie wyłączony
odcięcie kanału (pinch-
off)
I
D
U
DS
U
GS
[6
]
MOSFET (8) normalnie wyłączony
(enhancement) z kanałami p i n oraz
charakterystyki
Podłoże n
D
S
G
n
+
n
+
Podłoże p
D
G
S
P
+
P
+
Kanał
n
Kanał p
+
[5]
MOSFET (9) normalnie załączony
(depletion) z kanałami p i n oraz
charakterystyki
Podłoże n
P
+
P
+
D
G
S
Kanał p
n
+
n
+
D
D
D
G
S
Kanał n
Podłoże p
D
[5]
MOSFET (10) struktura
wielokomórkowa mocy typu HEXFET f-
my Int.Rectifier
Struktura z kanałem typu n zawiera zintegrowaną odwrotnie
równoległą diodę p-n
[1]
[1]
MOSFET (11) komórka
HEXFET i schematy
zastępcze
[2]
D
S
G
C
DS
i
CDS
=
dt
)
U
d(C
DS
DS
MOSFET (12) Ch-ki UDS-ID i
UDS-I-T
Tranzystor HEXFET IRF150 Ch-ki
wyjściowe przy U
GS
=4,5,6,7,8V. Wrysowano
hiperbole mocy dla Pmax = 100W. Te same
ch-ki przy D
GS
= 6V i temperaturach 0, 60,
120deg.
MOSFET (13) Ch-ki przejściowe UGS-ID-T
Tranzystor MOSFET IRF150.Symulowane ch-ki przejściowe
I
D
=f(U
GS
) przy U
DS
=20Vi T= 0,60,120deg.
MOSFET (14) Ch-ki U-I-T
zintegrowanej diody
Parametr: temperatura T =
0,60,120deg
MOSFET (15) ch-ki ID-UD-
UDS oraz R
DS(on)
.
Ch-ki wyjściowe w układzie U
DS
=f(I
DS
) dla
U
GS
=5,10,15,20V. Wykres górny: stałoprądowa
rezystancja R
DS(on)
=f(I
D
) przy tych samych U
GS
.
R
DS(on)
=80.679mΩ przy I
D
= 74.044A jest to granica
stanu ON dla U
GS
= 10V. Przy U
DS
=15V i I
D
=100A
R
DS(ON)
= 33.742 mΩ
MOSFET POWER (16)
jako szybki łącznik
MOSFET (17) szybki łącznik z
forsowaniem sterowania
MOSFET (18) szybki
łącznik, obc.RL prąd
obc.nieciągły.
MOSFET (19) szybki łącznik ,
obc.RL,indukcyjność w
obwodzie zasilania, ciągły prąd
obciążenia ,stan ustalony.
MOSFET (20) szybki łącznik,
obc.RL – zwiększona
indukcyjność, stan
przejściowy (start).
IGBT (21) Porównanie struktur MOSFET
(HEXFET) i IGBT.
[2]
IGBT (22) struktura i pełny schemat
zastępczy.
[4]
IGBT (23) uproszczone schematy
i warunki „latch-up”
a)
b)
a) Przypadek normalnej pracy I
c
≈I
MOS
(1+β
pnp
)
b) Przypadek awaryjny gdy (α
pnp
+ α
npn
) →1 przy granicznie
dużym prądzie, temperaturze lub stromości napięcia.
Technologiczne środki zapobiegawcze:szeroka baza n i
warstwa buforowa n+ (zmniejszenie α
pnp
) , mała wartość r
b
′
(zmniejszenie α
npn
).
α
pnp
α
npn
β
pnp
C
C
E
E
G
G
I
C
I
MOS
r
b
′
IGBT (24) typowe ch-ki wyjściowe
[4]
IGBT (25) symulowane
ch-ki UC-IC-UG-T
Tranzystor IGBT IXGH40N60.
Charakterystyki wyjściowe dla U
G
=5, 15,
25V oraz T= 50, 100 i 150deg.
IGBT (26) ch-ki powiększone
Tranzystor IGBT IXGH40N60. Charakterystyki
wyjściowe dla U
G
=5, 15, 25V oraz T= 50, 100 i
150deg.
IGBT (27) łącznik z
obc.RL, z
indukcyjnością w
obwodzie zasilania i
tłumikiem RCD.
IGBT (28) łącznik z
obc.RL, z
indukcyjnością w
obwodzie zasilania
IGBT bez tłumika
Model cieplny przyrządu półprzewodnikowego
(29)
dla stanu ustalonego
P
R
TH/J-C/
R
TH/C-R/
R
TH/R-A/
Δ
ΔT
/J-C/
Δ
T
/C-R/
Δ
T
/R-A/
Prawo Ohma dla obwodu cieplnego:
ΔT =
P R
TH
ΔT
/J-A/
= P ∑ R
TH
Warunki stabilności cieplnej (30)
P
T
A
T
J
P
gen
P
od
arctgR
TH/J-A/
Pt
niestabilny
Pt stabilny
Granica
stabilności
P
T
A1
T
A2
T
J
Granica
stabilności
P
od
= (T
J
– T
A
)/R
TH/JA/
Warunek
stabilności :
T
d
dP
T
d
dP
gen
od
(3
1)
Literatura do cz.II
1. IR Hexfet Databook 1983
2. IR Hexfet and IGBT Seminar
3. J.Jaczewski, A.Opolski, J.Stolz Podstawy elektroniki i energoelektroniki,
WNT 1981
4. S.Januszewski, H.Świątek Nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe w
energoelektronice, WNT,1994
5. M.Kaźmierkowski, J.Matysik Podstawy elektroniki i energoelektroniki,
skrypt P.W. 1983
6. Z.Korzec Tranzystory polowe, WNT, 1973
7. A.Król, J.Moczko PSPICE Symulacja i optymalizacja układów
elektronicznych, NAKOM Poznań 1998
8. A.Napieralski, M.Napieralska Polowe pólprzewodnikowe przyrządy dużej
mocy, WNT,1995
9. W.Pawelski Sterowanie tranzystorów IGBT. Politechnika Łódzka,
Monografie, 2001
10. J.Wieland red. Zadania z elektroniki przemysłowej t.1, PWN 1991
11. Z.Zachara, K.Wojtuszkiewicz PSPICE Przykłady praktyczne, MIKOM 2000