Tomasz Gierałtowski

Sprawozdanie

Laboratorium optoelektroniki

Temat Ćwiczenia: DETEKTORY OPTOELEKTRONICZNE

1. Charakterystyka zmian rezystancji fotorezystora od oświetlenia.

Rezystancja fotorezystora maleje ze wzrostem natężenia oświetlenia co potwierdza zasadę jego działania. Wzrost oświetlenia materiału półprzewodnikowego, z którego jest wykonany badany element powoduje wzrost liczby nośników prądu na skutek generacji par dziura-elektron, co w konsekwencji powoduje malenie rezystancji. Uzyskana przez nas charakterystyka nie jest liniowa co pokazuje, że zjawisko generacji par dziura-elektron nie jest zjawiskiem przebiegającym liniowo.

2. Charakterystyki U(I) fotodiody dla różnych wielkości oświetlenia.

3. Charakterystyka prądu foto-tranzystora Ic od oświetlenia.

Charakterystyka ta jest (prawie) liniowo zależna od natężenia oświetlenia .Widać tu wyraźnie, że wzrost natężenia oświetlenia powoduje wzrost prądu kolektora.

4. Charakterystyka rezystancji wejściowej R_we fotoogniwa od oświetlenia.

Rezystancję fotoogniwa można wyznaczyć przez pomiar napięcia na obciążeniu dla dwóch jego wartości rezystory o wartościach: R₁=1k i R₂=10k Podłączenie każdego z nich do ogniwa powoduje spadek napięcia odpowiednio U_R1 i U_R2. Pomiar tych wartości posłużył do wyznaczenia rezystancji wejściowej fotoogniwa ze wzoru:

(1)

Oświetlenie	1	2	3	4
Rwe[kΩ]	4,412	1,18	0,366	0,244

Rezystancja wewnętrzna fotoogniwa maleje wraz ze wzrostem oświetlenia.

5. Odpowiedzi impulsowe elementów optoelektronicznych.

Z obserwacji odpowiedzi impulsowej elementów optoelektronicznych zauważyliśmy, że najszybszym elementem jest fotodioda, następny jest fototranzystor, zaś najwolniejszy fotorezystor.

---