EiE	TOMASZ BUCZEK WOJCIECH SIDZIŃSKI		Rok: 1			Zespół nr: 9
PRACOWNIA FIZYCZNA	Temat: TRANZYSTOR						Ćwiczenie nr:: 124
Data wyk: 8.05.2000	Data odbioru:	Data poprawki:		Data oddania:	Data zaliczenia:			OCENA:

Tranzystor bipolarny zwany także warstwowym, stanowi kombinację dwóch półprzewodnikowych złączy PN, wytworzonych w jednej płytce półprzewodnika. Procesy zachodzące w jednym złączu oddziałują na drugie, a nośnikami ładunku są elektrony i dziury ( bipolarny). W tego typu tranzystorze poszczególne obszary półprzewodnika stykające się z elektrodami nazywamy C-kolektor, E- emiter, B- baza. Najczęściej spotykane są tranzystory półprzewodnikowe.

W stanie równowagi przechodzenie elektronów z emitera i kolektora do bazy oraz dziur z bazy do obu pozostałych obszarów jest hamowane przez pole utworzone na złączach obszarów. Spolaryzowanie złącza emiterowego w kierunku przewodzenia tzn. przyłożenie do emitera napięcia ujemnego względem bazy powoduje obniżenie bariery emiterowej. Przez złącze emiter-baza płynie prąd dyfuzyjny podobnie jak w diodzie. Wskutek bowiem obniżenia bariery potencjału zostaje zwiększona liczba elektronów wprowadzanych do bazy i zmniejszona liczba dziur wprowadzanych do emitera. Nadmiarowe elektrony wprowadzone do wąskiej bazy poruszają się ruchem dyfuzyjnym w stronę kolektora, jeżeli ten obszar jest jednorodnie domieszkowany.

Ważnym parametrem tranzystora jest wzmocnienie prądowe decydujące o zastosowaniu tego elementu:

W ćwiczeniu badaliśmy charakterystykę wyjściową tranzystora tzn zależność prądu kolektorowego od napięcia kolektor - emiter.

Wyniki pomiarów:

Ib	Δ Ib	Uce	Δ Uce	Ic	Δ Ic
[μA]	[μA]	[V]	[V]	[mA]	[mA]
200	0,15	0,1	0,001	0,95	0,002
	0,15	0,2	0,001	2,46	0,003
	0,15	0,3	0,001	2,68	0,003
	0,15	0,5	0,001	2,7	0,003
	0,15	0,7	0,001	2,71	0,003
	0,15	1	0,001	2,71	0,003
	0,15	3	0,002	2,75	0,003
	0,15	5	0,003	2,8	0,003
	0,15	7	0,004	2,82	0,003
	0,15	10	0,006	2,88	0,003
300	0,2	0,1	0,001	1,9	0,003
	0,2	0,2	0,001	4,5	0,004
	0,2	0,3	0,001	5	0,004
	0,2	0,5	0,001	5,1	0,004
	0,2	0,7	0,001	5,2	0,004
	0,2	1	0,001	5,2	0,003
	0,2	3	0,002	5,2	0,004
	0,2	5	0,003	5,22	0,004
	0,2	7	0,004	5,28	0,004
	0,2	10	0,006	5,25	0,005
400	0,25	0,1	0,001	2,4	0,003
	0,25	0,2	0,001	6,8	0,005
	0,25	0,3	0,001	7,5	0,005
	0,25	0,5	0,001	7,6	0,005
	0,25	0,7	0,001	7,7	0,005
	0,25	1	0,001	7,8	0,005
	0,25	3	0,002	7,9	0,005
	0,25	5	0,003	7,9	0,005
	0,25	7	0,004	8	0,006
	0,25	10	0,006	8,1	0,006
500	0,3	0,1	0,001	3,5	0,003
	0,3	0,2	0,001	9,5	0,006
	0,3	0,3	0,001	10,5	0,007
	0,3	0,5	0,001	10,5	0,007
	0,3	0,7	0,001	10,6	0,007
	0,3	1	0,001	10,6	0,007
	0,3	3	0,002	10,6	0,007
	0,3	5	0,003	10,9	0,007
	0,3	7	0,004	11,1	0,007
600	0,35	10	0,006	11,3	0,007
	0,35	0,1	0,001	5	0,004
	0,35	0,2	0,001	12,5	0,008
	0,35	0,3	0,001	13	0,008
	0,35	0,5	0,001	13,2	0,008
	0,35	0,7	0,001	13,4	0,008
	0,35	1	0,001	13,5	0,008
	0,35	3	0,002	13,6	0,008
	0,35	5	0,003	13,8	0,008
	0,35	7	0,004	14	0,009
	0,35	10	0,006	14,1	0,009

Wnioski:

W ćwiczeniu badaliśmy typowy tranzystor bipolarny. Jego charakterystyki wyjściowe dla pięciu wartości prądu bazy zilustrowane są na wykresie. Błędy wpływające na charakterystyki badanego elementu powodowane są błędami wnoszonymi przez przyrządy pomiarowe. W naszym przypadku były to mierniki typu V540 dla którego błąd pomiaru wynosi:

Wartości błędów zaznaczone są na wykresach.

Na tego typu charakterystykach można wyróżnić kilka zakresów związanych z polaryzacją złącza emirer-baza. Najczęściej wykorzystuje się zakres aktywny , w którym to złącze pracuje w kierunku przewodzenia. Wtedy tranzystor posiada właściwości wzmacniające.

---