PYTANIA WSTĘPU DO ELEKTRONIKI
Imię i Nazwisko..........................................................
Data Sprawdzianu.......................................................
Numer Indeksu............................................................
L.p.
|
Treść Pytania |
Możliwe odpowiedzi |
Odpowiedź |
1.
|
Czy w półprzewodnikach samoistnych gęstość dziur jest równa gęstości elektronów? |
T/N |
|
2.
|
Czy w półprzewodniku typu nośnikami większościowymi są dziury (p) czy elektrony (n)? |
p/n |
|
3.
|
Czy zjonizowane donory i akceptory mogą być nośnikami prądu w półprzewodnikach typu n i typu p? |
T/N |
|
4.
|
Czy przy polaryzacji normalnej tranzystora bipolarnego (jako elementu wzmacniającego) złącze emiterowe powinno być spolaryzowane w kierunku przewodzenia a kolektorowe w kierunku zaporowym? |
T/N |
|
5.
|
Czy w tranzystorze MOS wzbogaconym typy n kanał indukuje się w warstwie p czy n? |
p/n |
|
6.
|
Czy tyrystor klasyczny można wyłączyć za pomocą impulsu prądu bramki? |
T/N |
|
7.
|
Czy dioda tunelowa może mieć rezystancję dynamiczną (różniczkową/przyrostową) ujemną? |
T/N |
|
8.
|
Czy stabilizator napięcia z diodą Zenera jest zaliczany do stabilizatorów szeregowych czy równoległych? |
sz/r |
|
9.
|
Czy tyrystory klasyczne można wyłączyć impulsem prądu bramki przy dodatnim napięciu anodowym? |
T/N |
|
10.
|
Czy w inteligentnych modułach mocy IPM zabezpieczenia są na zewnątrz (z) czy wewnątrz (w) modułu? |
z/w |
|
11.
|
Czy tranzystory IGBT mogą działać |
DC/AC (DC+AC) |
|
12.
|
|
|
|
13.
|
|
|
|
14.
|
|
|
|
15.
|
|
|
|
16. |
|
|
|
17. |
|
|
|
18.
|
|
|
|
19. |
|
|
|