LABORATORIUM ELEKTRONIKI SPRAWOZDANIE
Ćwiczenie nr 1 POMIAR CHARAKTERYSTYK DIOD I TRANZYSTORÓW
Zespół II	Grupa 201	Rok akademicki 2006/2007
	Data wykonania ćwiczenia: 22.03.2007	Prowadzący ćwiczenie:

Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej diody prostownikowej

Kierunek przewodzenia		Kierunek zaporowy
U [V]	I [mA]	U [V]	I [mA]
0,35	0,01	1	0,001
0,52	0,5	2	0,002
0,55	1	3	0,003
0,58	2	4	0,004
0,6	3	5	0,005
0,62	4	6	0,006
0,63	5	7	0,007
0,64	6	8	0,008
0,64	7	9	0,009
0,65	8	10	0,01
0,65	9
0,66	10

Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej diody LED UV

LED UV
U [V]	I [mA]
2,75	0,01
3,1	0,5
3,16	1
3,23	2
3,27	3
3,3	4
3,33	5
3,35	6
3,37	7

Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej diody Zenera

Typ BZP68C6V8

Kierunek przewodzenia				Kierunek zaporowy
U [V]	I [mA]	Rst [Ω]	rd [Ω]	U [V]	I [mA]	Rst [Ω]	rd [Ω]
0,55	0,01	55000	180	4,44	0,1	44400	1575
0,64	0,5	1280	40	5,07	0,5	10140	500
0,66	1	660	20	5,32	1	5320	260
0,68	2	340	10	5,45	1,5	3633	160
0,69	3	230	10	5,53	2	2765	140
0,7	4	175	10	5,6	2,5	2240	80
0,71	5	142	0	5,64	3	1880	80
0,71	6	118	10	5,68	3,5	1623	60
0,72	7	103	0	5,71	4	1428	60
0,72	8	90	0	5,74	4,5	1276	60
0,72	9	80	0
0,72	10	72	0

Pomiar charakterystyk tranzystora bipolarnego n-p-n

BD 139

Pomiar charakterystyki wejściowej tranzystora bipolarnego

UBE [V]	IB [mA]
0,54	0,01
0,65	0,5
0,67	1
0,69	2
0,71	3
0,72	4
0,73	5
0,73	6
0,74	7
0,74	8
0,75	9
0,75	10

Pomiar charakterystyki wyjściowej tranzystora bipolarnego

IB = 0,05 [mA]
UCE [V]	IC [mA]
0,3	6,15
0,6	6,25
1	6,35
2	6,36
3	6,36
4	6,36
5	6,3
6	6,28
7	6,37
8	6,4

Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora bipolarnego

IB [mA]	IC [mA]
0,03	5
0,07	10
0,11	15
0,15	20
0,19	25
0,23	30
0,27	35
0,31	40

Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora unipolarnego MOSFET z kanałem typu n

Typ IRF450N

UGS [V[	ID [mA]	UDS [V]	RDS = UDS/ID
2	0,01	12,1	1210
3	53,7	0,08	0,001489758
3,2	54	0,02	0,00037037
3,4	54	0,01	0,000185185
3,6	54	0,008	0,000148148
3,8	54	0,006	0,000111111
4	54,1	0,005	9,24214E-05
4,2	54,1	0,004	7,39372E-05
4,5	54,1	0,004	7,39372E-05

Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora IGBT

Typ MGP20N60

UGE [V]	IK [mA]	UKE [V]
5	0,01	12
5,5	0,05	12
6	1,2	11,7
6,5	28,5	5,5
7	51	0,72
7,5	51	0,7

---