Politechnika Śląska Instytut Elektroniki |
Rok akademicki 2008/2009 semestr letni |
|
|
Laboratorium Elektroniki dla Informatyków (WSZ INF sem. 4) |
|
|
|
Generatory napięć niesinusoidalnych |
|
|
|
|
Sekcja: I |
Ćwiczenie wykonano: |
Skład sekcji: |
07 - 05 - 2009 Czwartek Godzina 19:30 |
Michał Kowal Damian Nalepka Paweł Student
Wykonanie: wspólne |
|
|
|
|
|
|
Zadanie 1. Przebadać trzy generatory napięć niesinusoidalnych, sprawdzić różne charakterystyki wejściowe i wyjściowe.
Złącza baza - emiter zabezpieczone są przed przebiciem układem diodowo - rezystorowym (napięcie przebicia złącza-baza emiter tranzystorów epiplarnych jest małe). Napięcie zasilania zablokowane jest pojemnością 100µF.
Wyjście (5V/1ms)
Ube i wyjście (5V/1ms)
Ze wzrostem rezystancji, częstotliwość maleje - wpływa to na ładowanie kondensatorów.
Wraz ze wzrostem pojemność rośnie okres a częstotliwość maleje bo zwiększa się czas ładowania.
Wejście i wyjście (2V/1ms)
Odwracające wejście i nieodwracające (2V/1ms)
Częstotliwość maleje przy zwiększaniu napięcia do jakiego ma się ładować kondensator. Zwiększanie podstawy czasu ładowania - częstotliwość maleje.
Wzmacniacz operacyjny (2V/1ms) nie potrafi tak szybko przełączać wejść - zbocze rosnące.
Wejście i wyjście (5V/0,2ms)
Wyjście i wejście odwracające z góry
Wejście odwracające
Zwiększenie rezystancji zmniejsza częstotliwość.
Zwiększanie pojemności kondensatorów powoduje zmniejszenie częstotliwości.
5