2011 Termin1

Grupa A
1. Narysuj 4-bitowy asynchroniczny licznik zliczający w tył. Jakie są konsekwencje stosowania licznika asynchronicznego?
2. Narysuj schemat układu dodającego dwie liczby 2-bitowe.
3. Wymień i przedstaw problemy dynamiczne przerzutników.
4. Narysuj schemat bramki typu OC. Jak można łączyć bramki typu OC?
5. Zaprojektuj przerzutnik RS wykorzystując przerzutnik D.
6. Wyprowadź wzór na czas narastania układu całkującego RC.
7. Narysuj schemat układu PISO oraz opisz zasadę działania.
8. Opisz podstawową komórkę pamięci EEPROM.
9. Opisz zależność pomiędzy rozdzielczością bitową przetwornika AC a stosunkiem sygnału do szumu.
10. Schemat i zasada działania przetwornika z podwójnym całkowaniem.

Grupa B
1. Wykaż korzystając z praw algebry Boole'a, że: xy' + z + (x' + y)z' = 1
2. Zaprojektuj przerzutnik JK wykorzystując przerzutnik T
3. Narysuj 4-bitowy asynchroniczny licznik zliczający w przód. Jakie są konsekwencje stosowania licznika asynchronicznego.
4. Narysuj schemat układu odejmującego dwie liczby 2-bitowe
5. Narysuj tabele prawdy dla 4-wej bramki xnor
6. Narysuj przebiegi napięciowe otrzymywane na początku, środku i końcu linii długiej nieobciążonej. Rg = 50, Z0 = 75, t <= 3tau
7. Narysuj schemat układu SIPO oraz opisz zasadę działania
8. Opisz podstawową komórkę pamięci SRAM
9. Co to jest błąd skalowania (gain error) przetwornika AC
10. Schemat i zasada działania przetwornika z kompensacją wagową.

Grupa C
1. Inwerter CMOS - schemat i charakterystyka przejściowa.
2. Co to jest automat Mealy'ego? Narysuj przykładowy graf, tablicę przejść i wyjść. Od czego zależą wyjścia?
3. Podaj i opisz parametry dynamiczne przerzutników.
4. Wykaż korzystając z praw algebry Boole'a, że: x'y+z'+(x+y')z=1. Wymień wykorzystane prawa.
5. Narysuj schemat 5-bitowego licznika zliczającego w tył na przerzutnikach JK.
6. Narysuj przebiegi napięciowe otrzymane na początku, środku i końcu linii długiej zwartej na końcu dla Rg=50[Ohm], Z0=75[Ohm], t <= 3tau
7. W jaki sposób zrealizować operację multipleksacji za pomocą buforów trójstanowych. Opisz zasadę działania i problemy.
8. Opisz podstawową komórkę pamięci DRAM.
9. Co to jest nieliniowość różniczkowa (ang. differencial non linearity) przetwornika AC.
10. Schemat i zasada działania przetwornika Pulse Width Modulation.