Po zapoznaniu się ze stanowiskiem pracy naszym pierwszym zadaniem było zdjęcie charakterystyki wyjściowej tranzystora BUZ 73. Mierzyliśmy I_D oraz U_DS przy stałym U_GS by potem wykreślić charakterystykę I_D = f(U_DS). Pomiary przedstawiają tabele:

ID[mA](int)	10	40	80	100	120	150	180	200	220	250
ID[mA]	13	43	79	101	121	151	182	198	221	248
UDS [V]	0,0504	0,1735	0,3524	0,563	1,14	1,36	1,905	1,893	1,883	1,866

Dla U_GS = 3,9 [V]

ID[mA](int)	10	40	80	100	150	200	250	300	320	350
ID[mA]	10	41	82	128	146	206	254	299	323	349
UDS [V]	0,0382	0,1473	0,2866	0,459	0,524	0,766	0,995	1,286	1,588	3,63

Dla U_GS = 4,1 [V]

ID[mA](int)	10	40	80	100	150	200	250	300	350	400	420
ID[mA]	12	38	87	123	159	197	249	298	349	402	418
UDS [V]	0,0437	0,1293	0,2946	0,418	0,544	0,685	0,893	1,122	1,431	2,60	2,517

Dla U_GS = 4,2 [V]

ID[mA](int)	10	40	80	100	150	200	250	300	350	400	500	600
ID[mA]	11	41	88	106	146	196	254	296	351	403	503	591
UDS [V]	0,0368	0,1267	0,2684	0,3221	0,444	0,596	0,774	0,909	1,084	1,312	1,616	1,970

Dla U_GS = 5 [V]

Rodzina charakterystyk wyjściowych:

Następnie zdjęliśmy charakterystyki przejściowe I_D = f(U_GS) przy stałym U_DS. Pomiary przedstawiają tabele:

UGS [V](int)	1	2	3	3,5	3,8	4	4,2	4,5
UGS [V]	0,99	2,1	2,99	3,46	3,86	4,05	4,21	4,48
ID[mA]	0	0	0	0,008	0,094	0,137	0,155	0,161

Dla U_DS = 0,5[V]

UGS [V](int)	1	2	3	3,5	3,8	4	4,2	4,5
UGS [V]	1	2,1	3,03	3,58	3,89	3,96	4,21	4,49
ID[mA]	0	0	0	0,021	0,124	0,16	0,286	0,315

Dla U_DS = 1[V]

UGS [V](int)	1	2	3	3,5	3,8	4	4,2	4,5
UGS [V]	0,99	2,1	3,06	3,49	3,98	4,05	4,26	4,55
ID[mA]	0	0	0	0,011	0,173	0,233	0,31	0,466

Dla U_DS = 1,5[V]

Rodzina charakterystyk przejściowych:

WNIOSKI

 

Pierwszy wykres przedstawia zależność prądu drenu (I_D) od napięcia dren-źródło (U_DS), przy stałym napięciu bramka-źródło (U_GS). Cały obszar charakterystyki wyjściowej możemy podzielić na dwie części. W pierwszej wraz ze wzrostem prądu drenu obserwujemy niewielki wzrost napięcia. Jest to obszar nasycenia tranzystora. Druga część jest zakresem liniowym (nienasycenia). Tranzystor unipolarny zachowuje się jak rezystor półprzewodnikowy. Prąd I_D ze wzrostem napięcia U_DS wzrasta w przybliżeniu liniowo. 

Na drugim wykresie możemy zaobserwować wpływ napięcia bramka-źródło (U_DS)na prąd drenu (I_D) przy stałym napięciu dren-źródło (U_DS).  Do pewnego momentu wartości I_D są stałe natomiast od wartości około 3,5V zaczynają wzrastać.

Dzięki naniesieniu całej rodziny charakterystyk na jeden wykres można łatwo zaobserwować jak wzrost U_GS w pierwszym przypadku a U_DS w drugim wpływa na wygląd charakterystyk( wzrost napięć powoduje większy, szybszy wzrost prądu w tranzystorze).

Kształty naszych krzywych nieznacznie odbiegają kształtem od ideału.

---