==========================================================
grupa A:
1. Jaka jest szerokość? pasma wzbronionego w T=300K dla Si oraz Ge
Si = 1.12, Ge = 0.67
2. delta x *delta p >= h (kreślone) Co oznacza ten wzór?
Zasada
nieoznaczoności Heisenberga. Chodzi o to ze w fizyce kwantowej są pary
wielkości fizycznych (tu położenie i pęd) których nie możemy zmierzyć z
dowolna dokładnością (bez względu na przyrządy pomiarowe) i iloczyn
niedokładności musi być większy niż stała - h kreslone, czyli stała
plancka h/2pi (chociaż jak dla mnie tu jest błąd bo wszędzie jest ze
hkreslone/2 powinno być)
3. Wykres rozkładu Fermiego i co to jest poziom Fermiego.
(img:432161973469670)
poziom
Fermiego to jest to Ef na wykresie. I chodzi o to ze w temperaturze 0K
poniżej poziomu Fermiego wszystkie stany są zajęte, a powyżej wszystkie
wolne
4. opisać wzór. nie pamiętam znaczków ale to jest przewodnictwo = ładunek * koncentracja *ruchliwość
5. Narysować schemat złącza p-n i zaznaczyć energie wzbroniona i potencjał wbudowany.
6.
Do wyboru. Wykres diody zenera zaporowy spolaryzowanej, oraz zaznaczyć
napięcie przebicia. Albo coś z fotodiod->narysować wykres IV
oświetlonej i nieoświetlonej, zaznaczyć prąd zwarcia (?)
dioda zenera kierunek zaporowy spolaryzowana:
(img:432160930136441)
7. Podać co najmniej 2 domieszki akceptorowe dla Si.
Czyli
patrzymy na układ okresowy pierwiastków. Si jest w IV grupie a skoro
maja być domieszki receptorowe to szukamy pierwiastków z III grupy czyli
np. Skand i Gal (chyba)
==========================================================
Grupa B:
1. Jakim typem komórki elementarnej jest Si i Ge(lub Ga)
regularna płasko centrowana
2. Co oznacza równanie deltaE*deltaTau=h kreślone.
Zasada nieoznaczoności dla równoczesnego pomiaru energii i czasu.
Nie można zmierzyć z jednakową dokładnością Energii i czasu
3. Jakie wiązania w Na i GaAs
Na- metaliczne
GaAs - kowalencyjne spolaryzowane
4.Wykres gęstości prądu od Energii
5. Opisać wzór na koncentracje elektronów w paśmie przewodnictwa
n0 =Nc f(Ec) - Nc e^-(EC-EF)/kT
Nc=2(2pim*kT/h^2)^3/2
6.W złączu P-N zaznaczyć kierunek przepływu nośników większościowych.
7. Do wyboru:
a) coś z tranzystorem polowym
b) wykres oporu od temperatury dla metalu i półprzewodnika
8. Wskazać domieszki akceptorowe dla pierwiastka z 4grupy funkcyjnej.
Al, Ga, In
==========================================================
Grupa C:
1. Podaj wartości przerw energetycznych dla GaAs oraz Ge.
GaAS - 1.43, Ge - 0.67
2. Równanie Schrödingera, opisać składniki.
(img:432164990136035)
3. Jakie wiązania? - Ge, ZnSe
-Ge – kowalencyjne
-ZnSe - kowalencyjne spolaryzowane
4. Narysować elektron w studni potencjału, zaznaczyć energie Fermiego i prace wyjścia
http://img7.imagebanana.com/img/2l7k3qsi/Wfenergiafermiego.png
5. Wzór na przewodność i opisać składniki
6. Narysuj schemat pasmowy diody Zenera
7. Wykres fotodiody oświetlonej i nieoświetlonej - zaznacz prąd zwarcia.
8. Podaj dwie domieszki akceptorowe arsenku galu.
Krzem,
==========================================================
Grupa D:
1.Jaki typ komórki elementarnej charakteryzuje GaAs oraz CdTe
regularna płasko centrowana
2.Co oznacza wzór E=[(pi^2*h^2)/2mL^2]n^2
Energia elektronu w studni potencjału(uwzględniając warunki brzegowe)
3.Podaj typ wiazania dla C(diamentu) oraz NaCl
C- kowalencyjne NaCl - jonowe
4.Narysuj strukturę pasmowa dla półprzewodnika, metalu , izolatora
5.Koncentracja
elektronów i dziur w stanie równowagi termodynamicznej wyraża się
wzorem ( i tu jakaś całka z f(E)N(E)dE ) co oznaczają poszczególne
wartości?
6.Na diagramie pasmowym złącza p-n bez polaryzacji zaznacz prąd nośników (mniejszych niszowych coś takiego)
8.Domieszki donorowe dla Si
As, N, P
==========================================================
Grupa E:
1. Model pasmowy półprzewodnika. typu p
2. Jaka jest domieszka donorowa dla GaAs
3. Podać przykłady na skośną i prostą przerwę wzbronioną
prosta - GaAs skośna - krzem
4. Opisać elementy wzoru na p0, jaką tam koncentrację dziur chyba
5. model pasmowy dla półprzewodnika typu n w polu elektrycznym skierowanym w prawo
==========================================================
Grupa F
1. oporność w metalu izolatorze, półprzewodniku
2. fale materii - wzór
3. NaCl - prawdopodobieństwo znalezienia elektronu
- Wydaje mi się, że maksimum gęstości chmury elektronowej przesuwa się w stronę bardziej
elektroujemnego
pierwiastka(czyli wychodzi w pobliżu Cl) ale nie jestem pewien czy w
jonowych też tak jest(na pewno w kowalencyjnych spolaryzowanych)
4. przerwa wzbroniona prosta - narysować
5. Opisz wzór mniej więcej taki: ni = sqrt(NcNv) * e ^ (Eg / 2kT)
6. jak płynie prad dyfuzyjny i unoszenia, w równowadze termicznej
7. I/U fotodioda i zaznaczyć prąd zwarcia lub dioda i przerwa wzbroniona
8. domieszki donorowe
==========================================================
Grupa G
1.Trzeba było napisać jakie wielkości fizyczne reprezentują s,l,m,n i jaki maja sens fizyczny
l- wartość momentu pędu,
m - rzut momentu pędu elektronu na kierunek przestrzeni
s- wartość rzutu własnego momentu pędu (spin)
n- wartość energii elektronu
2. Narysować model pasmowy półprzewodnika typu n i p
3.wykres fotodiody w zależności od odległości od światła.
lub zaznaczyć na wykresie I=f(V) potencjał wbudowany w diodzie dla dwóch różnych temperatur
Dwa
wykresy diod i po prostu pokazać że dla jednej temperatury jest jakiś
potencjał wbudowany(przecięcie aproksymacji wykresu z osią V) i dla
drugiej temperatury jest inny. Generalnie wraz z wzrostem temperatury
maleje.
4. Jakie są domieszki donorowe dla Germanu
Arsen, Bizmut
==========================================================
grupa H:
1. Kiedy następuje absorpcja fali w półprzewodniku z energia wzbroniona Eg.
-Zjawisko
absorpcji jest obserwowane w metalach/ półprzewodnikach wtedy, kiedy
energia fotonu jest większa/mniejsza od energii wzbronionej/pracy
wyjścia.
2. Jaki jest sens fizyczny kwadratu modułu funkcji falowej
-Kwadrat modułu funkcji falowej jest gęstością prawdopodobieństwa znalezienia cząstki w chwili t w pewnym punkcie przestrzeni
3. Gdzie jest największe prawdopodobieństwo znalezienia elektronu w (GaAs?)
W pobliżu bardziej elektroujemnego więc w pobliżu As
4. Narysować na wykresie Ek (dyspersje ?) dla półprzewodnika o skośnej przerwie wzbronionej
5. Wytłumaczyć wszystkie składniki wzoru na koncentracje dziur w półprzewodniku domieszkowanym
6. Narysować schemat złącza p-n w stanie równowagi termodynamicznej i zaznaczyć na nim kierunek pola elektrycznego
7. Do wyboru. Zaznaczyć na wykresie charakterystyki prądowo-napięciowej Vbi (potencjał wbudowany ?) albo coś z dioda Zenera
- Przebieg diody zenera z oscyloskopu http://www.if.pwr.wroc.pl/~popko/lab%20elektronika/3rob.doc
8. Przykłady domieszek akceptorowych dla Germanu.
