Kolokwium z篸a艅 Struktury i W艂asno艣ci Materia艂贸w

Kolokwium z Bada艅 Struktury i W艂asno艣ci Materia艂贸w

1.Badanie w艂asno艣ci mechanicznych

Statyczne pr贸by rozci膮gania

Statyczn膮 pr贸b臋 rozci膮gania przeprowadza si臋 na maszynach wytrzyma艂o艣ciowych zwanych zrywarkami. Obecnie zrywarki budowane s膮 jako maszyny uniwersalne, pozwalaj膮ce na wykonanie poza rozci膮ganiem: pr贸b 艣ciskania, zginania, 艣cinania oraz szeregu innych pr贸b.

Podstawowe wielko艣ci wyznaczane podczas badania:

- Wytrzyma艂o艣膰 na rozci膮ganie Rm (napr臋偶enie normalne w pr贸bce), jest jedn膮 z wielko艣ci opisuj膮cych w艂asno艣ci mechaniczne materia艂贸w. Jest to najwi臋kszy stosunek si艂y rozci膮gaj膮cej Fm do pola powierzchni przekroju pocz膮tkowego pr贸bki:

- Granica plastyczno艣ci Re jest to napr臋偶enie po osi膮gni臋ciu, kt贸rego wyst臋puje wyra藕ny wzrost wyd艂u偶enia rozci膮ganej pr贸bki bez wzrostu lub nawet spadku obci膮偶enia:

Rozr贸偶nia si臋 g贸rn膮 granic臋 plastyczno艣ci ReH i doln膮 granic臋 plastyczno艣ci ReL. Umown膮 granic臋 plastyczno艣ci wyznaczamy w przypadku, kiedy nie wyst臋puj膮 wyra藕ne cechy granicy plastyczno艣ci (napr臋偶enie graniczne przy przyro艣cie nieproporcjonalnym Rp)

- Umown膮 granic臋 spr臋偶ysto艣ci Rp0,05 nazywamy napr臋偶enie wywo艂uj膮ce w pr贸bce wyd艂u偶enie trwa艂e r贸wne 0,05% d艂ugo艣ci pomiarowej (oblicza si臋 je analogicznie jak napr臋偶enie Rp0.02)

- Wzgl臋dne przew臋偶enie Z okre艣lane jest jako iloraz zmniejszania powierzchni przekroju poprzecznego pr贸bki w miejscu rozerwania do powierzchni jej pierwotnego przekroju, wyra偶onej w procentach:

- Wzgl臋dne wyd艂u偶enie r贸wnomierne jest niezale偶ne od d艂ugo艣ci pomiarowej pr贸bki i wp艂ywu wyd艂u偶enia w pobli偶u miejsca rozerwania pr贸bki. Dla pr贸bek okr膮g艂ych wyd艂u偶enie r贸wnomierne okre艣la si臋 ze wzoru przybli偶onego:

dr -艣rednica w po艂owie d艂u偶szej cz臋艣ci pr贸bki po zerwaniu

d0-pocz膮tkowa 艣rednica pr贸bki

Materia艂y ci膮gliwe

Metale wykazuj膮ce du偶膮 zdolno艣膰 do odkszta艂ce艅 trwa艂ych w jednoosiowym stanie napr臋偶e艅 okre艣la si臋 je jako plastyczne. W grupie tej mo偶na wyszczeg贸lni膰 metale wykazuj膮ce wyra藕n膮 granic臋 plastyczno艣ci i nie wykazuj膮ce tej granicy.

Materia艂y kruche

Metale i ich stopy ulegaj膮ce zniszczeniu przy ma艂ych odkszta艂ceniach trwa艂ych podczas statycznej pr贸by rozci膮gania okre艣la si臋 jako kruche.

Pr贸by udarowe na m艂ocie typu Charpy鈥檈go

Nowoczesne maszyny w czasie pracy cz臋sto s膮 nara偶one na obci膮偶enia dynamiczne. Istnieje, wi臋c konieczno艣膰 badania w艂a艣ciwo艣ci charakteryzuj膮cych zachowanie si臋 materia艂u w przypadku wyst膮pienia nag艂ych zmian obci膮偶e艅. W tym celu stosuje si臋 pr贸by dynamiczne, w kt贸rych dzia艂anie si艂y trwa bardzo kr贸tko, a nag艂y wzrost obci膮偶enia powoduje du偶e szybko艣ci odkszta艂cenia. Na og贸艂 udarno艣膰 obni偶a si臋 wraz ze spadkiem temperatury. Ka偶da stal charakteryzuje si臋 tzw. temperatur膮 krytyczn膮, poni偶ej kt贸rej warto艣膰 udarno艣ci gwa艂townie spada.

Pr贸bki do bada艅

Zastosowanie karbu do pr贸by na udarno艣膰 ma na celu zlokalizowanie p臋kni臋cia i stworzenie warunk贸w do powstania kruchego p臋kni臋cia w materia艂ach ci膮gliwych. Kruchym p臋kni臋ciem materia艂u nazywane jest takie, przy kt贸rym nie dostrzega si臋 objaw贸w odkszta艂cenia materia艂u (np. zw臋偶enia przekroju przy p臋kni臋ciu). Prze艂om w pr贸bie udarno艣ciowej jest na og贸艂 b艂yszcz膮cy, ziarnisty a nie matowy oraz w艂贸knisty jak przy pr贸bie na rozci膮ganie. Warto艣ci udarowe uzyskane na pr贸bkach r贸偶nego kszta艂tu nie s膮 ze sob膮 por贸wnywalne. W polskich normach zalecane do bada艅 s膮 pr贸bki o przekroju prostok膮tnym i wymiarach 55x10x10 mm z karbem w kszta艂cie litery U, o wysoko艣ci w miejscu karbu h=8 mm, h=7 mm oraz h=5 mm oraz pr贸bki z karbem w kszta艂cie litery V, o wysoko艣ci w miejscu karbu h=8 mm.

M艂ot wahad艂owy typu Charpy

Pr贸b臋 udarno艣ci przeprowadza si臋 przy u偶yciu m艂ot贸w wahad艂owych. Pr贸b臋 nale偶y przeprowadzi膰 tak, aby uderzenie m艂ota by艂o 艣rodkowe oraz o艣 karbu le偶a艂a w p艂aszczy藕nie ruchu m艂ota i karb by艂 po stronie przeciwnej do uderzenia. Do pr贸by udarno艣ci s艂u偶y m艂ot wahad艂owy typu Charpy.

Pocz膮tkowa energia uderzenia m艂ota powinna wynosi膰: 300, 150, 100, 50, 10 lub 5 J. Nale偶y j膮 dobiera膰 w ten spos贸b, aby warto艣膰 energii zu偶ytej na z艂amanie pr贸bki wynosi艂a powy偶ej 10% warto艣ci energii pocz膮tkowej m艂ota. M艂oty udarno艣ciowe zaopatrzone s膮 zwykle w skal臋, na kt贸rej mo偶na bezpo艣rednio odczyta膰 energi臋.

Miar膮 udarno艣ci zgodnie z jest stosunek energii zu偶ytej na z艂amanie pr贸bki za pomoc膮 jednorazowego uderzenia do przekroju poprzecznego pr贸bki w miejscu karbu:

K - praca uderzenia [J],

S0 - powierzchnia pocz膮tkowa przekroju w miejscu karbu [cm2]

Pomiar twardo艣ci

Twardo艣膰 jest miar膮 oporu, jaki wykazuje cia艂o przeciw lokalnym odkszta艂ceniom trwa艂ym, powsta艂ym na powierzchni badanego materia艂u wskutek wciskania we艅 drugiego twardszego cia艂a, zwanego wg艂臋bnikiem lub penetratorem.

Metody badania twardo艣ci dzielimy na dwie grupy: statyczne i dynamiczne.

Pomiar twardo艣ci metod膮 Rockwella

Zasada pomiaru twardo艣ci metod膮 Rockwella polega na dwustopniowym wciskaniu w badany materia艂 sto偶ka diamentowego lub kulki stalowej, o okre艣lonych wymiarach, a nast臋pnie zmierzeniu trwa艂ego przyrostu g艂臋boko艣ci odcisku. Przyrost g艂臋boko艣ci jest podstaw膮 do okre艣lenia twardo艣ci.

Pomiar twardo艣ci metod膮 Brinella

Polega na wgniataniu pod obci膮偶eniem F, stalowej kulki hartowanej o 艣rednicy D w badany materia艂, w czasie t. 艢rednica odcisku kuli d, jako 艣rednica dw贸ch pomiar贸w w kierunkach wzajemnie prostopad艂ych, s艂u偶y do obliczenia pola powierzchni odcisku. Twardo艣膰 HB oblicza si臋 jako iloraz si艂y obci膮偶aj膮cej i pola powierzchni powsta艂ego odcisku (czaszy kulistej).

Pomiar twardo艣ci metod膮 Vickersa

Metoda polega na wciskaniu w pr贸bk臋, diamentowego wg艂臋bnika w kszta艂cie ostros艂upa o podstawie kwadratu. Po odj臋ciu obci膮偶enia mierzy si臋 d艂ugo艣ci przek膮tnych i czworok膮tnego odcisku. Twardo艣膰 Vickersa wyra偶a si臋 stosunkiem si艂y F do powierzchni pobocznicy odcisku.

Ostatecznie twardo艣膰 Vickersa mo偶na obliczy膰 ze wzoru:

Gdzie:

2.Preparatyka do cel贸w mikroskopii 艣wietnel i skaningowej

Pr贸bki nale偶y tak pobra膰, aby mie膰 pe艂ny obraz struktury w ca艂ym badanym przedmiocie, dlatego te偶 wa偶ny jest dob贸r 艣ciernicy do ci臋cia.

Przy pobieraniu pr贸bek nale偶y unika膰 wszelkich wp艂yw贸w cieplnych, lokalnego odkszta艂cenia i innych czynnik贸w, kt贸re mog膮 wp艂yn膮膰 na zmian臋 struktury badanego materia艂u i doprowadzi膰 do mylnych wniosk贸w.

Pr贸bki oprawia si臋 aby:

- zabezpieczy膰 kraw臋dzie pr贸bki przed destrukcyjnym dzia艂aniem materia艂贸w 艣ciernych podczas szlifowania,

- uzyska膰 pr贸bk臋 o wymiarach i kszta艂cie umo偶liwiaj膮cym jej zamocowanie w uchwycie preparatyki automatycznej,

- uzyska膰 pr贸bk臋 w dogodnej formie, kt贸ra u艂atwia preparatyk臋 r臋czn膮.

Sposoby oprawiania pr贸bek:

- uchwyty mechaniczne - klamry, zaciski, itp.,

- galwanizowanie - np. niklem,

- zalewanie tworzywami o niskiej temperaturze topnienia,

- inkludowanie w tworzywach sztucznych, kt贸re zapewnia zabezpieczenie pr贸bek podczas procesu preparatyki.

Inkludowanie mo偶na wykonywa膰:

- na gor膮co - pr贸bk臋 umieszcza si臋 w prasce do inkludowania, dodaje 偶ywic臋, a nast臋pnie poddaje si臋 dzia艂aniu temperatury i wysokiego ci艣nienia. Stosuje si臋 偶ywice zar贸wno termoplastyczne, jak i termoutwardzalne. Dla du偶ej liczby pr贸bek, rezultatem b臋d膮 oprawy o wysokiej jako艣ci, jednakowej wielko艣ci, kszta艂cie i kr贸tkim czasie inkludowania.

- na zimno - pr贸bk臋 umieszcza si臋 w foremce, uwa偶nie odmierza si臋 obj臋to艣ciowo lub wagowo prawid艂owe ilo艣ci dw贸ch lub trzech sk艂adnik贸w, a po ich dok艂adnym wymieszaniu pr贸bk臋 zalewa si臋 powsta艂膮 substancj膮. Wykorzystuje si臋 偶ywice: epoksydowe, akrylowe oraz poliestrowe. Metoda ta jest dobra dla pr贸bek w du偶ych seriach, jak i pojedynczych pr贸bek.

Lappowanie jest procesem zast臋puj膮cym szlifowanie. Proces ten wykorzystuje te same 艣rodki 艣cieraj膮ce lecz inne pod艂o偶e. Jako pod艂o偶e stosuje si臋 tarcze szklane lub metaliczne.

W odr贸偶nieniu od procesu szlifowania ziarna 艣rodka 艣cieraj膮cego musz膮 mie膰 mo偶liwo艣膰 swobodnego toczenia si臋 pomi臋dzy powierzchni膮 a pod艂o偶em w kierunku r贸wnoleg艂ym do tych powierzchni.

Lappowanie jest szczeg贸lnie polecane do powierzchni kruchych, 艂atwo p臋kaj膮cych oraz 艂amliwych. Mo偶na wykonywa膰 je r贸wnie偶 metod膮 r臋czn膮, p贸艂-automatyczn膮 jak i automatyczn膮.

Szlifowanie jest kolejnym etapem preparatyki wyst臋puj膮cym bezpo艣rednio po przeci臋ciu lub po etapie oprawiania 鈥 inkludowania.

Proces szlifowania polega na usuwaniu materia艂u pr贸bki w wyniku dzia艂ania na jej powierzchni臋 艣rodka 艣cieraj膮cego zwi膮zanego w spos贸b trwa艂y z powierzchni膮 szlifiersk膮. W przypadku papier贸w 艣ciernych s膮 to ziarna SiC lub Al2O3.

Szlifowanie mo偶na podzieli膰 na dwa procesy:

- szlifowanie wst臋pne (plane grinding) 鈥 tzw. szlifowanie na p艂asko, zapewnia, 偶e powierzchnie wszystkich pr贸bek s膮 podobne bez wzgl臋du na ich pocz膮tkowy stan i wcze艣niejsz膮 obr贸bk臋,

- szlifowanie dok艂adne (fine grinding) 鈥 uzyskuje si臋 powierzchni臋 o tak znikomej deformacji, 偶e mo偶e by膰 ona usuni臋ta podczas polerowania.

Polerowanie jest etapem nast臋puj膮cym po etapie szlifowania b膮d藕 docierania i dzieli si臋 na dwie podgrupy:

- polerowanie wst臋pne,

- polerowanie ko艅cowe.

Polerowanie umo偶liwia swobodny ruch ziaren 艣rodka 艣cierajacego co zapewnia odpowiednie pod艂o偶e.

Trawienie - przez obserwacj臋 pod mikroskopem wypolerowanej powierzchni pr贸bki mo偶emy jedynie okre艣li膰 wtr膮cenia niemetaliczne, kt贸re nie odbijaj膮 prostopadle 艣wiat艂a padaj膮cego na t膮 powierzchni臋.

Wytrawienie powierzchni pr贸bki umo偶liwia okre艣lenie sk艂adnik贸w struktury, bowiem trawi膮 si臋 one r贸偶nie, jedne mocniej, inne s艂abiej. Miejsca s艂abo wytrawione b臋d膮 w okularze mikroskopu wyst臋powa艂y jako jasne, a silnie wytrawione jako ciemne. Szczeg贸lnie silnie trawi膮 si臋 granice ziaren.

Czas trawienia wynosi od kilku sekund do kilku minut, a w szczeg贸lnych przypadkach mo偶e dochodzi膰 do jednej godziny.

Do trawienia zg艂ad贸w metalograficznych u偶ywa si臋 rozcie艅czonych kwas贸w, zasad i wielu roztwor贸w soli.

Przechowywanie - zg艂ady metalograficzne, w szczeg贸lno艣ci nie wytrawione mo偶na przez pewien czas przechowywa膰, pod warunkiem umieszczenia ich w eksykatorze.

Eksykator jest szklanym naczyniem, zamkni臋tym szczelnie dopasowana, przeszlifowan膮 pokryw膮. Brzegi naczynia natomiast smaruje si臋 wazelin膮 techniczn膮. Dla ochrony przed wilgoci膮 na dnie eksykatora nale偶y umie艣ci膰 zgranulowan膮 substancj臋 higroskopijn膮, np. 偶el krzemionkowy (zmiana barwy tej substancji sygnalizuje konieczno艣膰 jej wymiany). Zg艂ady nale偶y umie艣ci膰 w eksykatorze na perforowanym mostku ceramicznym lub metalowym nad substancj膮 higroskopijn膮.

WYST臉POWANIE WAD PO PROCESIE

Rysy s膮 to bruzdy powsta艂e na powierzchni pr贸bki wy偶艂obione przez wierzcho艂ki cz膮steczek 艣cierniwa.

Je艣li na powierzchni wyst臋puj膮 rysy nale偶y sprawdzi膰 czy:

- tarcza jest brudna lub zu偶yta,

- dozowanie 艣cierniwa jest poprawne,

- dozowanie p艂ynu ch艂odz膮co-smaruj膮cego jest poprawne,

- u偶yto nowego sukna polerskiego,

- pr贸bki s膮 porowate lub jest szczelina mi臋dzy pr贸bk膮 a 偶ywic膮

- oprawy.

P臋kni臋cia pojawiaj膮 si臋 w materia艂ach kruchych i w materia艂ach wielofazowych. Energia u偶ywana do procesu skrawania pr贸bki jest wi臋ksza od mo偶liwej energii do zaabsorbowania przez pr贸bk臋. Powstaj膮ca nadwy偶ka energii powoduje postawanie p臋kni臋膰.

Je艣li na powierzchni wyst臋puj膮 p臋kni臋cia nale偶y sprawdzi膰 czy:

- p臋kni臋cie jest wype艂nione 偶ywic膮,

- p臋kni臋cie dochodzi do powierzchni pr贸bki.

Zanieczyszczenie mo偶e wyst膮pi膰 we wszystkich rodzajach materia艂贸w. Podczas polerowania na powierzchni pr贸bki mo偶liwe jest osadzanie si臋 cz膮stek brudu lub cz膮stek materia艂贸w innych pr贸bek, obrabianych wcze艣niej. Analiza makroskopowa mo偶e pokaza膰 obecno艣膰 "wtr膮ce艅" lub element贸w struktury, kt贸re faktycznie nie powinny wyst臋powa膰. Tarcze polerskie natomiast nale偶y zawsze przechowywa膰 w py艂oszczelnej szafce, aby unikn膮膰 wprowadzenia na nie obcych cz膮stek.

Je艣li wyst臋puje w膮tpliwo艣膰 co do obecno艣ci jakiej艣 fazy lub wtr膮cenia w materiale badanej pr贸bki, nale偶y wyczy艣ci膰 lub zmieni膰 sukno polerskie na nowe i powt贸rzy膰 proces od etapu szlifowania.

Metody preparatyki

Metalogram to wykres opracowany p na kt贸rym uwidocznione s膮 materia艂y zgodnie z ich fizycznymi w艂a艣ciwo艣ciami: twardo艣ci膮 i ci膮gliwo艣ci膮.

3.Badania metalograficzne i analiza stereologiczna

Podzia艂 mikroskop贸w 艣wietlnych:

- Mikroskopy proste

- Mikroskopy odwr贸cone

- mikroskopy proste, kt贸rych obiektywy osadzone s膮 nad pr贸bk膮 znajduj膮c膮 si臋 na stoliku roboczym. Tak osadzone obserwuje si臋 pr贸bki prostopad艂o艣cienne lub nie prostopad艂o艣cienne przy u偶yciu prasy r臋cznej, b膮d藕 zatopione w 偶ywicy, a tak偶e preparaty na szkie艂kach podstawowych.

- mikroskopy odwr贸cone, kt贸rych jako g贸rn膮 cz臋艣ci膮 robocz膮 jest stolik, a uchwyt rewolwerowy z obiektywami mie艣ci si臋 pod stolikiem.

Budowa miksorkopu 艣wietlnego:

1)聽 Podstawa

2)聽 Rama

3)聽 Urz膮dzenie o艣wietlaj膮ce

4)聽 Kondensor

5)聽 Stolik przedmiotowy

6)聽 Uchwyt rewolwerowy

7)聽 Obiektywy

8)聽 Tubus

9) Okulary

Aberracja komatyczna to w optyce jedna z aberracji optycznych, czyli wad uk艂ad贸w optycznych. Polega na tym, 偶e wi膮zka promieni 艣wietlnych wychodz膮ca z punktu po艂o偶onego poza osi膮 optyczn膮 tworzy po przej艣ciu przez uk艂ad plamk臋 w kszta艂cie przecinka lub komety. Stopie艅 zniekszta艂cenia jest tym wi臋kszy im dalej od osi optycznej uk艂adu znajduje si臋 藕r贸d艂o 艣wiat艂a. Obiektyw lub uk艂ad optyczny wolny od komy nazywa aplanatem.

Zaburzenie to mo偶e by膰 wywo艂ane niedok艂adno艣ci膮 wykonania uk艂adu optycznego lub by膰 w spos贸b 艣cis艂y zwi膮zane z jego konstrukcj膮. Dla przyk艂adu koma jest typowym zniekszta艂ceniem dla zwierciad艂a parabolicznego.

Abberacja sferyczna

Wynika z promieni 艣wietlnych, kt贸re podczas wychodzenia z punktu przedmiotowego le偶膮cego na osi optycznej i przechodz膮cej przez jej r贸偶ne sfery, skupiaj膮 si臋 w r贸偶nych punktach na osi optycznej . Abberacje sferyczn膮 dzieli si臋 na pod艂u偶n膮 i poprzeczn膮. Istnieje mo偶liwo艣膰 sytuacji gdy pojedyncza mo偶e tworzy膰 ma艂膮 b膮d藕 znikoma abberacje sferyczn膮.

Abberacja chromatyczna

Wyst臋puje jako wada odwzorowania optycznego o 艣wietle bia艂ym. Spowodowane to jest wsp贸艂czynnikiem za艂amania dla 艣wiat艂a dla szk艂a i innych materia艂贸w, z kt贸rych wykonuje si臋 elementy optyczne i jest r贸偶ny dla r贸偶nej d艂ugo艣ci fali 艣wietlnej 位. Abberacja ta wyst臋puje w pozaosiowym i przyosiowym obszarze soczewki.

Abberacja astygmatyczna

Zauwa偶y膰 j膮 mo偶na tam gdzie wi膮zka promieni 艣wietlnych, kt贸ra wychodzi z punktu le偶膮cego poza osi膮 optyczn膮 soczewki nie jest skupiona w jednym punkcie, lecz wzd艂u偶 dw贸ch prostopad艂ych i rozsuni臋tych od siebie odcink贸w. Odleg艂o艣膰 mi臋dzy tymi odcinkami to r贸偶nica astygmatycznej, kt贸ra jest miar膮 wielko艣ci astygmatyzmu.

Dystorsja

Powstaje na skutek innego powi臋kszenia poprzecznego soczewki w obszarze przyosiowym ni偶 w obszarze brzegowym Je艣li powierzchnie poprzeczne soczewki w obszarze przybrzegowym s膮 wi臋ksze ni偶 w obszarze pozaosiowym to m贸wi si臋 o dystorsji dodatniej (poduszkowatej), je艣li jest odwrotnie to dystorsja jest ujemna (beczu艂kowata)

Obserwacja w polu jasnym

Jest jedn膮 z podstawowych technik obserwacji, kt贸rej zasada dzia艂ania polega na obserwacji 艣wiat艂a odbitego od powierzchni badanej pr贸bki. Obraz tworzony przez soczewk臋 okularu jest ciemny dla szczeg贸艂贸w pr贸bki nachylonych do osi optycznej mikroskopu poniewa偶 promienie 艣wietlne odbite od nich nie trafiaj膮 do obiektywu, natomiast obraz jest jasny dla szczeg贸艂贸w prostopad艂ych do osi optycznej mikroskopu .

Obserwacja w polu ciemnym

Jest obserwacj膮 odwrotn膮 ni偶 w polu jasnym. Szczeg贸艂y widoczne w polu jasnym s膮 ciemne, a ciemne s膮 jasne czyli kontrast jest zupe艂nie odwrotny. W polu ciemnym promienie 艣wiat艂a w pierwszej kolejno艣ci przechodz膮 przez pier艣cieniow膮 przys艂on臋 poczym odbijaj膮 si臋 od p艂askiego zwierciad艂a pier艣cieniowego gdzie nie przechodz膮c przez soczewk臋 obiektywu promienie padaj膮 na wkl臋s艂e zwierciad艂o, a przez nie na powierzchnie pr贸bki.

Obserwacja w 艣wietle uko艣nym

Technika ta umo偶liwia wykrywanie r贸偶nic wysoko艣ci szczeg贸艂贸w na pr贸bce. Obserwowany obraz znajduje si臋 w polu jasnym lecz o艣wietlenie pr贸bki wywo艂uje cienie, kt贸re ukazuj膮 wysoko艣膰 szczeg贸艂贸w pr贸bki. Efekt obserwacji w 艣wietle uko艣nym mo偶na osi膮gn膮膰 przez zastosowanie przys艂ony kondensora, kt贸ra przepuszcza tylko promienie padaj膮ce uko艣nie na powierzchnie pr贸bki b膮d藕 te偶 przez ma艂e przesuni臋cie przys艂ony kondensora o艣wietlacza wzgl臋dem jego osi.

Kontrast fazowy

Technika ta jest stosowana wtedy, gdy poszczeg贸lne elementy nie r贸偶ni膮 si臋 w艂a艣ciwo艣ciami absorpcyjnymi lecz grubo艣ci膮 lub wsp贸艂czynnikiem za艂amania 艣wiat艂a. Odbywa si臋 dla pr贸bek obserwowanych w polu jasnym, g艂adkich lub jednolitych. Kontrast fazowy pokazuje wtedy rysy.

Metoda interferencyjno r贸偶niczkowa G. Nomarskiego

Metoda ta polega na nak艂adaniu si臋 dw贸ch wi膮zek 艣wietlnych dzi臋ki kontrastowi interferencyjno r贸偶niczkowemu G. Nomarskiego. Technika ta jest stosowana do bada艅 proces贸w wydzielania i przemian fazowych przede wszystkim do bada艅 morfologii r贸偶nych faz. Obraz interferencyjno r贸偶niczkowy w przeciwie艅stwie do fazowego jest pozbawiony szkodliwych otoczek i charakteryzuje si臋 du偶膮 plastyczno艣ci膮 i bardzo ma艂膮 g艂臋bi膮 obrazu.

4.Rendgenowska jako艣ciowa i ilo艣ciowa analiza fazowa

Najwa偶niejsz膮 cech膮 promieni rentgenowskich jest to, 偶e s膮 one przenikliwe i mog膮 one przechodzi膰 przez cia艂o ludzkie, drzewo czy kawa艂ki metalu.

Je偶eli jaki艣 przedmiot zostanie napromieniowany z jednej strony a po drugiej jego stronie umie艣cimy np. b艂on臋 fotograficzn膮 to otrzymamy obraz cienia tego przedmiotu, z tak膮 w艂asno艣ci膮, 偶e promienie rentgenowskie przechodz膮 lepiej przez obszary o mniejszej g臋sto艣ci a ni偶eli g臋sto艣ci wi臋kszej. Dzi臋ki temu bardzo 艂atwo jest wykry膰 z艂amanie ko艣ci czy p臋kni臋cie w metalowym bloku.

Promieniowanie rentgenowskie jest promieniowaniem elektromagnetycznym takim samym jak 艣wiat艂o widzialne ale o kr贸tszej fali. Zakres d艂ugo艣ci fal to 0,0001-500 脜.

脜 jest jednostk膮 stosowan膮 w radiografii nazywan膮 angsterm i wynosi 10-. Dla por贸wnania 艣wiat艂o widzialne to fala o d艂ugo艣ci 6000 脜.

Promienie rentgenowskie powstaj膮 w lamach rentgenowskich w procesie uderzania rozp臋dzonych elektron贸w o nieruchom膮 anod臋. Widmo promieniowania sk艂ada si臋 z widma ci膮g艂ego, kt贸re jest zbiorem fal o r贸偶nej d艂ugo艣ci i z widma charakterystycznego, kt贸re powstaje podczas wybicia z pow艂ok atomu pierwiastka anody. Jest to zjawisko przeskoku elektronu z wy偶szego poziomu energetycznego na ni偶szy i emitowania przy tym promieniowania rentgenowskiego.

殴R脫D艁A PROMIENIOWANIA RTG

殴r贸d艂em promieniowania jest aparat rentgenowski, w kt贸rego sk艂ad wchodz膮:

- Lampa rentgenowska

- Generator wysokiego napi臋cia

- Urz膮dzenia steruj膮ce i zabezpieczaj膮ce

Lampa rentgenowska

Lampa sk艂ada si臋 ze szklanej rury, w kt贸rej panuje pr贸偶nia rz臋du 0,1mPa. Po obu ko艅cach rury wtopione s膮 elektrody, anoda i katoda. Katoda jest 藕r贸d艂em elektron贸w ma posta膰 sprali drutu wolframowego, kt贸ra jest rozgrzewana do temperatury nawet 2300掳C.

Przeciwleg艂膮 elektrod膮 jest anoda w postaci miedzianego bloku, w kt贸rym umieszczona jest w艂a艣ciwa metaliczna anoda. Ca艂y blok ch艂odzony jest przez wod臋.

Zasada powstawania promieniowania jest bardzo prosta, mianowicie katoda zasilana pr膮dem nagrzewa si臋 i w drodze termoemisji emituje ku anodzie przyspieszone elektrony, kt贸re uderzaj膮 w powierzchnie anody z du偶膮 energi膮 powoduj膮c powstawanie promieni rentgenowski. Promienie emitowane w ognisku anody rozchodz膮 si臋 we wszystkich kierunkach. Aby ukierunkowa膰 promieniowanie stosuje si臋 specjalne okienka w obudowie, przez kt贸re wydobywaj膮 si臋 one pod k膮tem 3掳 do 6掳 wzgl臋dem anody.

Ilo艣膰 elektron贸w emitowanych przez katod臋 zale偶y od przy艂o偶onego wysokiego napi臋cia, czyli od stopnia nagrzania w艂贸kna wolframowego. Dlatego w ma艂ym przedziale mo偶na regulowa膰 nat臋偶enie promieniowania rentgenowskiego. Aby by艂o mo偶liwe dok艂adne regulowanie tego napi臋cia stosuje si臋 osobny obw贸d pr膮dowy dla katody niezale偶ny od obwodu dla ca艂ej lampy. Charakter widma zale偶y natomiast od materia艂u anody i przy艂o偶onego napi臋cia.

Generator wysokiego napi臋cia

Do zasilania lampy rentgenowskiej potrzebne jest wysokie napi臋cie. Najcz臋艣ciej jest napi臋cie kt贸re otrzymuje si臋 przez transformacj臋 pr膮du zmiennego a nast臋pnie wyprostowanie go przy pomocy uk艂ad贸w prostowniczych zbudowanych z lamp prostowniczych, diod p贸艂przewodnikowych i kondensator贸w.

Rozr贸偶niamy:

- Aparaty p贸艂okresowe

- Aparaty okresowe

Aparaty p贸艂okresowe

Uzwojenia transformatora s膮 po艂膮czone z anod膮 i katod膮, a ca艂a lampa jest prostownikiem pr膮du. Poniewa偶 napi臋cie zostaje wzbudzone, je偶eli na katodzie pojawi si臋 napi臋cie ujemne lampa wykorzystuje tylko po艂ow臋 okresu pr膮du zmiennego.

Aparaty okresowe

W aparatach tych umieszcza si臋 elementy prostownicze oraz kondensatory. Dzi臋ki takiemu rozwi膮zaniu otrzymuje si臋 wyg艂adzon膮 charakterystyk臋 napi臋ciow膮 i w rezultacie sta艂膮 warto艣膰 okresu pr膮du w okre艣lonych granicach.

Urz膮dzenia steruj膮ce i zabezpieczaj膮ce

Systemy steruj膮ce powinny umo偶liwia膰 jak najdok艂adniejsze jak i po偶膮dane parametry pracy, natomiast uk艂ady zabezpieczaj膮ce powinny chroni膰 aparatur臋 przed uszkodzeniem.

Takimi uk艂adami s膮:

- wy艂膮cznik ci艣nieniowy lub przep艂ywowy. Stosuje si臋 je do zabezpieczenia systemu ch艂odzenia w razie braku odpowiedniego przep艂ywu wody,

- sygna艂y optyczne i akustyczne. Uruchamiaj膮 si臋 w razie jakie艣 awarii lub otwarcia okna lampy,

- inne urz膮dzenia.

DETEKCJA PROMIENIOWANIA RENTGENOWSKIEGO

Rozr贸偶niamy trzy metody detekcji promieniowania rentgenowskiego:

- Detekcja gazowa

- Detektory fluorescencyjne

- Liczniki czu艂e na pozycj臋

Detekcja gazowa

Podstaw膮 detekcji gazowej jest zjawisko jonizacji gaz贸w przy zetkni臋ciu z promieniami rentgenowskimi. Rezultatem takiego procesu jest wyodr臋bnienie elektron贸w i jon贸w dodatnich, dzi臋ki temu mo偶emy policzy膰 ilo艣膰 jon贸w, a liczb臋 t膮 mo偶emy potraktowa膰 jako wska藕nik energii, jak膮 poch艂ania o艣rodek gazowy od fotonu. Urz膮dzeniami stosowanymi w detekcji gazowej s膮 detektory, w kt贸rych panuje spolaryzowane pole elektryczne potrzebne do rozdzielenia i odprowadzenia jon贸w dodatnich a tak偶e elektron贸w.

Podstawowym elementem budowy takiego urz膮dzenia jest metalowy cylinder pe艂ni膮cy rol臋 katody. Jedna strona korpusu jest zamkni臋ta okienkiem wej艣ciowym dla promieni rentgenowskich, natomiast druga strona jest szczelnie zaizolowana, wychodzi z niej jedynie drut, kt贸ry jest anod膮.

W 艣rodku detektora znajduje si臋 gaz, a przy艂o偶enie napi臋cia miedzy katod臋 a anod臋 powoduje oddzielenie jon贸w dodatnich od elektron贸w.

Podczas ca艂ego procesu mo偶na zauwa偶y膰, 偶e elektrony poruszaj膮 si臋 zdecydowanie szybciej ni偶 jony dodatnie i to one przemieszczaj膮 si臋 ku anodzie powoduj膮c jonizacj臋, gdy zderzaj膮 si臋 z cz膮stkami gazu.

Efekt ten nazywa si臋 wzmocnieniem gazowym, jest to powi臋kszenie efektu jonizacji i zale偶y od napi臋cia jakie podamy na licznik.

Detektory fluorescencyjne

Zauwa偶ono 偶e gdy na pewne substancje takie jak: siarczki cynku i kadmu aktywowane sodem, miedzi膮 manganem; krzemiany cynku, kadmu, berylu; molibdeaniany i wolframiany wapnia, boru, cynku i kadmu; poddane zostan膮 promieniowaniu rentgenowskiemu, to ujawnia si臋 ich fluorescencj臋. To zjawisko zosta艂o u偶yte do wykrywania promieni rentgenowskich.

Liczniki czu艂e na pozycj臋

Liczniki czu艂e na pozycje w dzia艂aniu przypominaj膮 liczniki gazowe z t膮 r贸偶nic膮, 偶e pozwalaj膮 one okre艣li膰 miejsce padania fotonu promieniowania rentgenowskiego.

Budowa nie odbiega od klasycznych licznik贸w proporcjonalnych. Liczniki s膮 nieznacznie wi臋ksze i posiadaj膮 berylowe okienko wzd艂u偶 korpusu. Wewn膮trz znajduje si臋 anoda w postaci drutu lub zespo艂u kilku r贸wnoleg艂ych drut贸w. Katoda jest ustawiona r贸wnolegle wzgl臋dem anody, a czasami jest ni膮 obudowa.

DYFRAKCJA PROMIENI RENTGENOWSKICH

Zjawisko, w kt贸rym, elektron atomu materii po zderzeniu z fotonem promieniowania staje si臋 samodzielnym 藕r贸d艂em promieniowania i posiada tak膮 sam膮 d艂ugo艣膰 fali nazywa si臋 koherentnym promieniowaniem rozproszonym i jest podstaw膮 rentgenowskiej analizy strukturalnej.

Wiemy, 偶e cia艂a krystaliczne maj膮 uporz膮dkowany uk艂ad atom贸w, dzi臋ki temu samodzielnych 藕r贸de艂 promieniowania jest bardzo du偶o i promieniowanie to rozchodzi si臋 we wszystkich kierunkach.

殴r贸d艂a te interferuj膮 ze sob膮 i fale ulegaj膮 os艂abieniu lub wygaszeniu, ale tak偶e wzmocnieniu, gdy ich fale s膮 r贸wne w fazie. Innymi s艂owy r贸偶nica ich dr贸g r贸wna jest ca艂kowitej wielokrotno艣ci d艂ugo艣ci fali. Po przej艣ciu wi膮zki promieni rentgenowskich przez atomy materii tworz膮 wi膮zki, odchylone od pierwotnych zwane wi膮zkami promieni ugi臋tych, a ca艂e opisane zjawisko nazywamy dyfrakcj膮 lub zjawiskiem ugi臋cia.

Podstawowymi prawami opisuj膮cymi dyfrakcj臋 promieni rentgenowskich s膮 r贸wnania Bragga i Lauego.

Teoria Lauego

Aby pozna膰 teorie Lauego dotycz膮c膮 dyfrakcji promieni rentgenowskich na sieciach tr贸jwymiarowych nale偶y zacz膮膰 od hipotetycznych rozwa偶a艅 przy jednowymiarowej sieci atomowej na kt贸r膮 pada wi膮zka promieniowania.

Wiemy, 偶e tylko w jednym przypadku fale zostan膮 wzmocnione, gdy r贸偶nica dr贸g fal rozproszonych przez dwa s膮siednie w臋z艂y stanowi ca艂kowit膮 i tak膮 sam膮 liczb臋 d艂ugo艣ci fal, jest to mo偶liwe przy 艣ci艣le okre艣lonym k膮cie 伪. Zachodzi, wi臋c r贸wnanie:

AB-CD= H位

聽Po przekszta艂ceniach otrzymujemy r贸wnanie Lauego: 聽

t1(cos伪- cos伪0) = H位

gdzie: t1- okres identyczno艣ci wzd艂u偶 prostej atomowej, 伪- k膮t mi臋dzy promieniem padaj膮cym a prost膮 atomow膮 , H- sta艂a 0,+/-1..., 伪0- k膮t padania promieni rentgenowskich.

R贸wnanie Bragga

Wiemy, 偶e gdy promienie 艣wietlne padaj膮 na p艂ask膮 powierzchnie zawsze odbijaj膮 si臋 od niej, a k膮t padania jest r贸wny k膮towi odbicia. Z promieniowaniem rentgenowskim jest inaczej, zjawisko odbicia wyst臋puje tylko przy okre艣lonych k膮tach padania. Wi膮zka promieni rentgenowskich pada pod k膮tem 胃 nazywany k膮tem odb艂ysku, natomiast k膮t pomi臋dzy wi膮zk膮 pierwotn膮 promieni a promieniem odbitym wynosi 2胃 i nazywa si臋 k膮tem ugi臋cia. Promieniowanie rentgenowskie przenika materie, tak wi臋c nie odbija si臋 tylko od powierzchni ale od niesko艅czenie wielkiej ilo艣ci p艂aszczyzn.

Wzmocnieniu ulegn膮 tylko te fale, kt贸re padaj膮 na p艂aszczyzn臋 A pod k膮tem 胃, natomiast fale odbite od kolejnych p艂aszczyzn ulegaj膮 interferencyjnemu wzmocnieniu tylko wtedy, gdy r贸偶nica ich dr贸g 螖S b臋dzie r贸wna ca艂kowitej wielokrotno艣ci d艂ugo艣ci fali n位.

Ostatecznie otrzymujemy r贸wnanie Bragga:

n位 = 2dhklsin胃

gdzie n = 1, 2, 3, 4, ..., rz膮d odbicia. Wskazuje liczb臋 d艂ugo艣ci fal mieszcz膮cych si臋 w r贸偶nicy dr贸g dw贸ch interferuj膮cych promieni

BADANIA WYKORZYSTUJ膭CE DYFRAKCJE PROMIENI RENTGENOWSKICH

Najwa偶niejsze badania wykorzystuj膮ce dyfrakcje promieni rentgenowskich to:

-rentgenowska jako艣ciowa analiza fazowa

- Precyzyjny pomiar sta艂ych sieciowych

- Pomiar tekstur

RENTGENOWSKA JAKO艢CIOWA ANALIZA FAZOWA

Analiz臋 fazow膮 stosuje si臋 do scharakteryzowania materia艂u w celu zdecydowaniu o jego przydatno艣ci lub okre艣leniu sposobu jego dalszej obr贸bki.

Dzi臋ki analizie fazowej mo偶emy okre艣li膰 sk艂ad mieszaniny, wykry膰 substancje krystaliczne z niewielkiej ilo艣ci substancji, kt贸ra nie podlega niszczeniu podczas badania.

Ka偶d膮 struktur臋 krystaliczn膮 da si臋 scharakteryzowa膰 podaj膮c odleg艂o艣ci mi臋dzyp艂aszczyznowe oraz odpowiadaj膮ce nim wzgl臋dne nat臋偶enia linii dyfrakcyjnych. Zasada jako艣ciowej analizy fazowej jest nast臋puj膮ca - po przeprowadzeniu pomiar贸w, otrzymane wykresy dyfraktometryczne badanej pr贸bki por贸wnuje si臋 z danymi wzorcowymi podanymi w kartach JCPDS.

PRECYZYJNY POMIAR STA艁YCH SIECIOWYCH

Precyzyjny pomiar sta艂ych sieciowych stosuje si臋 do:

- Pomiar贸w wsp贸艂czynnik贸w rozszerzalno艣ci cieplnej,

- Pomiar贸w napr臋偶e艅 wewn臋trznych.

POMIAR TEKSTUR

Znane s膮 dwa rodzaje tekstur:

- krystality s膮 u艂o偶one okre艣lonymi kierunkami (uvw) r贸wnolegle do wyr贸偶nionego kierunku w materiale, natomiast mog膮 przyjmowa膰 dowolne po艂o偶enia wok贸艂 tego kierunku. Taki rodzaj tekstury nazywa si臋 tekstur膮 w艂贸knist膮

- krystality s膮 u艂o偶one okre艣lonymi p艂aszczyznami r贸wnolegle do wyr贸偶nionej p艂aszczyzny w materiale {hkl}, a okre艣lony kierunek <uvw>, le偶膮cy w tej p艂aszczy藕nie, jest r贸wnoleg艂y do wyr贸偶nionego kierunku w materiale. Taki rodzaj tekstury nazywa si臋 tekstur膮 walcowania.

Do rozpoznawania typu tekstury materia艂u, czyli kierunk贸w i p艂aszczyzn s艂u偶膮 metody dyfrakcji rentgenowskiej.

Technika odbiciowa jest jedn膮 z metod wyznaczania tekstury.

Rentgenowska analiza jako艣ciowa

Ka偶da faza wchodz膮ca w sk艂ad okre艣lonej substancji posiada sw贸j charakterystyczny rozk艂ad linii interferencyjnych na rentgenogramie, na podstawie kt贸rych mo偶e by膰 zidentyfikowana Analiz臋 t臋 mo偶na przeprowadzi膰 dwoma sposobami. Je偶eli sk艂ad fazowy substancji Jest nieznany, w贸wczas ocenia si臋 rozmieszczenie i intensywno艣膰 linii na rentgenogramach badanej substancji, a nast臋pnie identyfikuje si臋 linie przez por贸wnanie odleg艂o艣ci i intensywno艣ci do艣wiadczalnych ze wzorcami. W przypadku gdy mo偶na przewidzie膰 sk艂ad fazowy substancji, w贸wczas por贸wnuje si臋 intensywno艣膰 i odleg艂o艣ci mi臋dzy p艂aszczyznowe do艣wiadczalne ze wzorcowymi dla przewidywanych sk艂adnik贸w fazowych. Czu艂o艣膰 tej metody okre艣la si臋 minimaln膮 ilo艣ci膮 fazy w mieszaninie, daj膮cej dostateczn膮 ilo艣膰 linii dyfrakcyjnych do jej zidentyfikowania

Rentgenowska analiza ilo艣ciowa oparta Jest na zale偶no艣ci pomi臋dzy nat臋偶eniem promieniowania a ilo艣ci膮 fazy, wyst臋puj膮cej w badanej substancji. Maksymalna intensywno艣膰 linii zale偶y nie tylko od ilo艣ci okre艣lanej fazy, lecz tak偶e od wielko艣ci ziarna lub blok贸w, zniekszta艂ce艅 sieciowych, teksturowania W analizie ilo艣ciowej bierze si臋 pod uwag臋 maksymaln膮 intensywno艣膰 odpowiednich linii dyfrakcyjnych lub intensywno艣膰 ca艂kowit膮, kt贸ra jest miar膮 ca艂ej energii promieniowania ugi臋tego na danych p艂aszczyznach. Wyznacza j膮 pole ograniczone konturem linii i t艂a dyfrakcyjnego.

Precyzyjne wyznaczenie sta艂ych sieciowych sprowadza si臋 do doboru odpowiedniego promieniowania i metody, kt贸re pozwol膮 na uzyskanie na rentgenogramie linii dyfrakcyjnych badanej substancji o du偶ych k膮tach 飦 i ich odpowiedniej wyrazisto艣ci. Nast臋pnie wykonuje si臋 rejestracj臋 linii w kamerze lub na dyfraktometrze, po czym dok艂adnie wyznacza si臋 k膮ty 庐 dla poszczeg贸lnych linii i wylicza' si臋 dla u偶ytego promieniowania o d艂ugo艣ci fali & sta艂e sieciowe. Dla sieci regulowanej zale偶no艣膰 taka przyjmuje posta膰:

Struktur臋 krystaliczn膮 badanej substancji okre艣la si臋 na podstawie dyfraktogramu. Typ i sta艂e sieci wyznacza si臋 z po艂o偶enia linii dyfrakcyjnych, natomiast rozmieszczenie atom贸w wewn膮trz sieci w oparciu o pomiar wzgl臋dnych nat臋偶e艅 poszczeg贸lnych linii.

Okre艣lenie nieznanej struktury kryszta艂u badanej substancji polega na ustaleniu typu sieci krystalicznej. Nast臋pnie oblicza si臋 liczb臋 atom贸w przypadaj膮cych na kom贸rk臋 elementarn膮 w oparciu o jej wymiary, sk艂ad chemiczny i zmierzon膮 g臋sto艣膰. W ostatnim najtrudniejszym etapie, wymagaj膮cym specjalnych kamer i program贸w do analizy komputerowej, ustala si臋 po艂o偶enie atom贸w w obr臋bie kom贸rki. Najcz臋艣ciej w badaniach metaloznawczych wymagane Jest ustalenie typu sieci i wyznaczenie wska藕nik贸w p艂aszczyzn dla odpowiednich linii zarejestrowanych na dyfraktogramie. Po zarejestrowaniu linii dyfrakcyjnych badanej pr贸bki oznacza si臋 kolejne linie od k膮t贸w 飦 najmniejszych do najwi臋kszych, a nast臋pnie metodami analitycznymi lub graficznymi wska藕nikuje si臋 dyfraktogramy.

Tekstura to uprzywilejowana orientacja kryszta艂u. Do powstania tekstury w metalach i stopach przyczyni膰 si臋 mo偶e uprzywilejowane zarodkowanie lub wzrost kryszta艂贸w, lub obydwa czynniki mog膮 wyst膮pi膰 艂膮cznie. Tekstura mo偶e powsta膰 w r贸偶nych etapach wytwarzania 1 z tego te偶 wzgl臋du mo偶na wyr贸偶ni膰 tekstury: krystalizacji (powstaj膮ce podczas krzepni臋cia metali i stop贸w lub te偶 elektrolitycznego osadzania metalu 1 napylania w pr贸偶ni), deformacji (powstaj膮ce podczas odkszta艂cania plastycznego) 1 przemian (zdrowienia, rekrystalizacji, normalnego i nadmiernego rozrostu ziarn, przemian fazowych) Najprostszym do okre艣lenia rodzajem tekstury Jest tekstura w艂贸knista. Polega ona na uprzywilejowanej orientacji odpowiedniego kierunku ka偶dego ziarna wzd艂u偶 osi drutu i przypadkowej orientacji ziaren wok贸艂 tego w艂a艣nie wsp贸lnego kierunku. Rentgenogram drutu teksturowanego nie posiada ci膮g艂ych pier艣cieni interferencyjnych, lecz symetrycznie rozmieszczone Intensywne plamy w formie 艂uk贸w o r贸偶nej d艂ugo艣ci.

Filtry stosowane s膮 w celu usuni臋cie sk艂adowej K promieniowania lampy rentgenowskiej oraz cz臋艣ciowej absorbcji promieniowania fluorescencyjnego. Uzyskuje si臋 przez to zmniejszenie t艂a na rentgenografie oraz zwi臋kszenie czytelno艣ci wskutek ograniczenia liczby refleks贸w, pochodz膮cych jedynie od promieniowania K

Monochromatory s艂u偶膮 do ograniczenia d艂ugo艣ci fali promieniowania rentgenowskiego, stosowanego do bada艅 strukturalnych, Wydzielenie poszczeg贸lnych fal z emitowanej wi膮zki wymaga stosowania kryszta艂贸w - monochromator贸w, kt贸re musz膮 by膰 ustawione na drodze promieniowania. Je偶eli wi膮zka promieni rentgenowskich, zawieraj膮ca kilka d艂ugo艣ci fal, pada na kryszta艂, to nast臋puje odbicie zgodnie z r贸wnaniem Bragga.

5.Skaningowa mikroskopia elektronowa

KONTRAST OBRAZU W MIKROSKOPIE SKANINGOWYM

W mikroskopach skaningowych do tworzenia obrazu stosuje si臋 elektrony oraz promieniowanie elektromagnetyczne. Do badania powierzchni pr贸bki stosuje si臋 obrazy elektron贸w wt贸rnych i wstecznie rozproszonych. Elektrony posiadaj膮 r贸偶n膮 energi臋, wiec, aby je wychwyci膰 stosuje si臋 r贸偶ne typy detektor贸w i to powoduje r贸偶nic臋 w kontra艣cie obrazu pr贸bki. Kontrast obrazu mo偶e by膰 kontrolowany w procesie detekcji i przetwarzania sygna艂贸w.

- Kontrast spowodowany zr贸偶nicowan膮 topografi膮 powierzchni pr贸bki

- Kontrast materia艂owy

- Kontrast napi臋ciowy

- Kontrast magnetyczny

POWI臉KSZENIE

Powi臋kszenie w mikroskopie skaningowym to stosunek wymiaru boku ekranu do boku obszaru omiatanego na pr贸bce przez wi膮zk臋 elektron贸w .

ROZDZIELCZO艢膯

Zdolno艣膰 rozdzielcza mikroskopu zale偶y przede wszystkim od 艣rednicy wi膮zki: im mniejsza 艣rednica wi膮zki, tym wi臋ksz膮 uzyskuje si臋 rozdzielczo艣膰 obrazu. Na og贸艂 jednak, powi臋kszenia uzyskiwane za pomoc膮 mikroskopu skaningowego nie przekraczaj膮 jednak kilkudziesi臋ciu tysi臋cy razy. S膮 znacznie mniejsze ni偶 w przypadku mikroskop贸w prze艣wietleniowych.

UK艁AD PR脫呕NIOWY

Zadaniem uk艂adu pr贸偶niowego jest stworzenie warunk贸w umo偶liwiaj膮cych elektronom przebycie mo偶liwie d艂ugiej drogi swobodnej bez zderze艅 z cz膮steczkami gaz贸w oraz izolacj臋 pr贸偶niow膮, zapobiegaj膮c膮 wy艂adowaniom mi臋dzy katod膮 a anod膮

Pompa rotacyjna

Pompa rotacyjna s艂u偶y do pompowania gaz贸w o ci艣nieniu w zakresie od 0.01 do 105 Pa.

Pompa dyfuzyjna

Pompa dyfuzyjna to urz膮dzenie, w kt贸rym pompowanie odbywa si臋 poprzez ukierunkowany przekaz p臋du od cz膮stek par cieczy pompuj膮cej do cz膮stek pompowanego o艣rodka. Olej jest podgrzewany do momentu osi膮gni臋cia intensywnego parowania. Pary oleju s膮 nast臋pnie kierowane ku do艂owi pompy przez zesp贸艂 dysz, a jego cz膮steczki poruszaj膮 si臋 z pr臋dko艣ci膮 nadd藕wi臋kow膮.

Pompy Jonowe
Pompy jonowe znajduj膮 zastosowanie do wytwarzania bardzo wysokiej pr贸偶ni

Cechy charakterystyczne dla pompy jonowej:

- czysto艣膰 pracy,

- zdolno艣膰 do pompowani r贸偶nego rodzaju gaz贸w,

- brak wibracji,

- szeroki zakres nominalnej szybko艣ci pompowania - od 2 do 500 l/s,

- minimalnie ci艣nienie pracy 1 x10-3 mbar,

- ca艂kowite ci艣nienie ko艅cowe - poni偶ej 10-11

Skaningowa mikroskopia elektronowa

Mikroskop skaningowy sk艂ada si臋 z:

- dzia艂a elektronowego, gdzie wytwarzana jest wi膮zka elektron贸w,

-聽kolumny, w kt贸rej nast臋puje przyspieszanie i ogniskowanie wi膮zki elektron贸w,

-聽komory pr贸bki, gdzie ma miejsce interakcja elektron贸w wi膮zki z pr贸bk膮,

-聽zestawu detektor贸w odbieraj膮cych r贸偶ne sygna艂y emitowane przez pr贸bk臋

- systemu przetwarzania sygna艂贸w na obraz.

Budowa i dzia艂anie mikroskopu skaningowego

W mikroskopie elektronowym skaningowym wi膮zka elektron贸w skupiona na powierzchni badanej pr贸bki w聽plamk臋 o聽bardzo ma艂ej 艣rednicy, omiata wybrany prostok膮tny obszar powierzchni ruchem skanuj膮cym, linia po linii. Wi膮zka elektron贸w, kt贸ra wytworzona jest w聽dziale elektronowym, jest przyspieszana w聽polu elektrycznym o聽potencjale 0,1鈥30 kV oraz聽skupiana przez soczewki elektromagnetyczne. Cewki odchylaj膮ce nadaj膮 jej ruch skanuj膮cy. Elektrony wi膮zki, kt贸re wnikaj膮 w聽pr贸bk臋 na niewielk膮 g艂臋boko艣膰, cz臋艣ciowo z聽powrotem z聽niej wychodz膮, ulegaj膮c tzw. wstecznemu rozproszeniu. Wi臋kszo艣膰 z聽nich jednak pozostaje w聽pr贸bce, trac膮c energi臋 w聽r贸偶nego rodzaju oddzia艂ywaniach. Towarzyszy temu emisja elektron贸w wt贸rnych, elektron贸w Augera, promieni rentgenowskich, 艣wiat艂a i聽innych.

R贸偶nego rodzaju promieniowanie, po zastosowaniu odpowiedniego detektora, mo偶na wykorzysta膰 do tworzenia obrazu pr贸bki ogl膮danego na ekranie monitora. Najcz臋艣ciej wykorzystuje si臋 emisj臋 elektron贸w wt贸rnych, kt贸rych powstaje najwi臋cej. Na przyk艂ad emitowane przez pr贸bk臋 elektrony wt贸rne lub wstecznie rozproszone zostaj膮 wychwycone przez detektor, natomiast聽sygna艂 wychodz膮cy z聽detektora, po wzmocnieniu, steruje jasno艣ci膮 wi膮zki elektron贸w poruszaj膮cej si臋 po ekranie monitora obrazowego synchronicznie z聽ruchem wi膮zki skanuj膮cej pr贸bk臋. Obraz jest zatem tworzony czysto elektronicznie, bez udzia艂u soczewek, i聽jest pewnego rodzaju map膮 intensywno艣ci emisji elektron贸w wt贸rnych lub rozproszonych.

R贸偶nice w聽ilo艣ci emitowanych elektron贸w, zwi膮zane z聽lokalnymi r贸偶nicami k膮ta padania na nier贸wno艣ci powierzchni lub ze zr贸偶nicowanym sk艂adem chemicznym, powoduj膮 powstanie kontrast贸w w聽obrazie. Zwykle u偶ywa si臋 r贸偶nych detektor贸w dla elektron贸w wt贸rnych, o ma艂ej energii, i聽dla elektron贸w wstecznie rozproszonych, o energii zbli偶onej do energii elektron贸w bombarduj膮cych pr贸bk臋. Zastosowanie do tworzenia obrazu detektora promieniowania rentgenowskiego, sprz臋偶onego z聽analizatorem energii tego promieniowania umo偶liwia dokonywanie analiz chemicznych wybranych obszar贸w, jak聽i r贸wnie偶 uzyskanie mapy sk艂adu chemicznego powierzchni pr贸bki.

Detektory

Detektor jest urz膮dzeniem s艂u偶膮cym do zamiany sygna艂u na 艂atwiejsz膮 do obserwacji lub u偶ycia np. detektor cz膮stek elementarnych, detektor ruchu. Zbudowany jest zwykle z kilku licznik贸w scyntylacyjnych po艂膮czonych z uk艂adem elektronicznym, kt贸ry zawiera prosty uk艂ad wyzwalania ca艂o艣ci i przetworniki czasu i amplitudy sygna艂贸w na kody cyfrowe

Uk艂ad pr贸偶niowy

Do zada艅 uk艂adu pr贸偶niowego nale偶y stworzenie warunk贸w, kt贸re umo偶liwi膮 elektronom przebycie mo偶liwie d艂ugiej drogi swobodnej bez zderze艅 z cz膮steczkami gaz贸w oraz izolacj臋 pr贸偶niow膮, zapobiegaj膮c膮 wy艂adowaniom mi臋dzy katod膮 a anoda.

Podstawowe wiadomo艣ci

Mikroskop skaningowy jest mikroskopem elektronowym przystosowanym do analizowania silnie rozwini臋tych powierzchni. Obecnie jest on instrumentem szeroko rozpowszechnionym, stanowi膮cym podstawowe wyposa偶enie laboratori贸w badawczych. Za pomoc膮 mikroskopu skaningowego mo偶na uzyska膰 liczne informacje o sk艂adzie chemicznym, strukturze oraz rze藕bie obiektu bez skomplikowanej preparatyki. Jego szczeg贸ln膮 zaleta jest dobra zdolno艣膰 rozdzielcza, co najmniej 15nm przy du偶ej g艂臋bi ostro艣ci, oko艂o 500 razy wi臋kszej ni偶 w mikroskopach 艣wietlnych. Te jego cechy pozwalaj膮 na odwzorowanie w du偶ym powi臋kszeniu szczeg贸艂贸w powierzchni badanych pr贸bek, a wyposa偶enie go dodatkowo w spektrometry rentgenowskie pozwala na przeprowadzenie analizy chemicznej zauwa偶onych szczeg贸艂贸w lub uzyskanie rozk艂adu pierwiastk贸w na badanej powierzchni.

Mikroskop skaningowy znalaz艂 szerokie zastosowanie w materia艂oznawstwie z powodu takich charakterystyk jak:

- du偶a g艂臋bia ostro艣ci,

- wysoka zdolno艣膰 rozdzielcza,

- du偶e powi臋kszenie

Szczeg贸lne znaczenie maj膮 wyniki bada艅 cia艂 sta艂ych w zakresie morfologii powierzchni, struktury i mechanizm贸w p臋kania.

Zasady skanowania i powi臋kszania obraz贸w w mikroskopie skaningowym

Obserwacja obrazu odbywa si臋 na ekranie monitora o d艂ugim czasie po艣wiaty i przy mo偶liwie kr贸tkich czasach ramki. W przypadku obserwacji zmian struktury preparatu zachodz膮cych podczas bada艅, stosuje si臋 monitory pracuj膮ce w systemie telewizyjnym. Do fotografowania struktury stosuje si臋 zazwyczaj osobny ekran fotograficzny z kr贸tkim czasem po艣wiaty, o du偶ej rozdzielczo艣ci. Podczas fotografowania wykorzystuje si臋 d艂ugie czasy ramki, zwykle powy偶ej 50 s oraz d艂u偶sz膮 liczb臋 linii. Na ta艣mie magnetofonowej mo偶na zarejestrowa膰 obrazy zmian struktury czy po艂o偶enia preparatu obserwowane w systemie telewizyjnym.

Zasady powstawania obrazu

Obraz ogl膮dany w skaningowej mikroskopii elektronowej nie jest obrazem rzeczywistym. To co widzimy w SEM jest obrazem wirtualnym skonstruowanym na bazie sygna艂贸w emitowanych przez pr贸bk臋. Dzieje si臋 to poprzez zeskanowanie linia po linii prostok膮tnego obszaru na powierzchni pr贸bki. Obszar skanowania odpowiada fragmentowi pr贸by ogl膮danemu na obrazie. W ka偶dym momencie czasu wi膮zka o艣wietla tylko jeden punkt w obszarze skanowania. Przemieszczanie si臋 wi膮zki od punktu do punktu wywo艂uje zmiany w generowanym przez ni膮 sygnale. Zmiany te odzwierciedlaj膮 zr贸偶nicowanie pr贸bki w poszczeg贸lnych punktach. Sygna艂 wyj艣ciowy jest wi臋c seri膮 danych analogowych, kt贸re w nowoczesnych mikroskopach s膮 przetwarzane na seri臋 warto艣ci liczbowych , z kt贸rych tworzony jest obraz cyfrowy.

Kontrast obrazu

Do tworzenia obrazu w mikroskopach skaningowych wykorzystuje si臋 wszystkie rodzaje elektron贸w i promieniowania elektromagnetycznego z pr贸bki pod wp艂ywem pierwotnej wi膮zki elektron贸w, zaliczy膰 mo偶na:

- elektrony wt贸rne,

- elektrony wstecznie rozproszone,

- elektrony zaabsorbowane,

- elektrony Augera,

- elektrony przechodz膮ce,

- efekty zwi膮zane z dyfrakcj膮 i anomaln膮 absorpcj膮 elektron贸w, katodoluminescencja, pr膮dy oraz napi臋cia indukowane w pr贸bkach p贸艂przewodnikowych.

6.Preparatyka do cel贸w transmisyjnej mikroskopii elektronowej

Mikroskop skaningowy jest narz臋dziem przeznaczonym przede wszystkim do bada艅 powierzchni. Podczas tych bada艅 wykorzystuje si臋 obraz elektron贸w wt贸rnych b膮d藕 obraz elektron贸w wstecznie rozproszonych. Jedn膮 z najcenniejszych zalet mikroskopu skaningowego jest prostota przygotowania pr贸bek. Nale偶y wykona膰 pr贸bki o wymiarach ograniczonych konstrukcj膮 stolika i komory preparatu oraz odt艂uszczenie badanej powierzchni w celu ograniczenia jej zanieczyszcze艅 podczas obserwacji. Na pocz膮tku badania stosuje si臋 ma艂e powi臋kszenia, dzi臋ki kt贸rym mo偶na 艂atwo wybra膰 charakterystyczne,

r贸偶ni膮ce si臋 miejsca na prze艂omie, nast臋pnie powi臋kszaj膮c je uzyska膰 bardziej szczeg贸艂ow膮 informacj臋 o r贸偶nicach morfologii struktury.

Zwi臋kszenie informacji strukturalnych nast臋puje po zastosowaniu odpowiedniego trawienia badanych pr贸bek. Stosuje si臋 najcz臋艣ciej 艂agodne trawienie chemiczne, kt贸re ujawnia sk艂adniki strukturalne na powierzchni prze艂omu. Wykorzystywane s膮 r贸wnie偶 techniki jednoczesnej obserwacji prze艂omu oraz wytrawionej struktury zg艂adu wykonanego w p艂aszczy藕nie prostopad艂ej b膮d藕 uko艣nej do powierzchni prze艂omu. Preparat taki uzyskuje si臋 przez z艂amanie pr贸bki, kt贸rej powierzchnia boczna zosta艂a wcze艣niej wypolerowana i wytrawiona, lub przez wykonanie zg艂adu po z艂amaniu pr贸bki. Jednak ten drugi spos贸b wymaga zabezpieczenia prze艂omu przed uszkodzeniem podczas wykonywania zg艂adu na powierzchni bocznej, a nast臋pnie usuni臋cia tego zabezpieczenia przed obserwacj膮 pr贸bki w mikroskopie.

Preparatyka - nieprzewodz膮ce miejsca pr贸bki

Obserwacj臋 w mikroskopie utrudniaj膮 miejsca, kt贸re nie przewodz膮 pr膮du na preparacie, poniewa偶 elektrony nie s膮 odprowadzane z tych obszar贸w powoduj膮c odchylanie wi膮zki, a przez to niestabilno艣膰 i zniekszta艂cenia obrazu. Aby zapobiec temu zjawisku nale偶y pokry膰 preparat, najcz臋艣ciej w napylarce pr贸偶niowej, cienk膮 warstw膮 materia艂u przewodz膮cego, np. w臋gla czy w臋gla ze z艂otem. Preparatyka taka jest niezb臋dna w przypadku badania pr贸bek ca艂kowicie nieprzewodz膮cych, np. ceramicznych.

Preparatyka 鈥 kontrast materia艂owy

Do ujawnienia kontrastu materia艂owego, kt贸ry umo偶liwia okre艣lenie sk艂adu chemicznego na powierzchni zg艂adu stosuje si臋 wypolerowane i nietrawione zg艂ady o idealnej p艂askiej powierzchni. Przygotowanie takich pr贸bek powinno by膰 bardzo staranne. Szlifowanie a nast臋pnie polerowanie powinno zapewnia膰 uzyskanie warstwy wierzchniej nieodkszta艂conej, pozbawionej tlenk贸w i innych zanieczyszcze艅. Przy tworzeniu obraz贸w z kontrastem materia艂owym wykorzystuje si臋 elektrony rozproszone, kt贸re s膮 sumowane elektronicznie z dw贸ch detektor贸w, elektrony zaabsorbowane, charakterystyczne promieniowanie rentgenowskie oraz elektrony Augera. Do sterowania intensywno艣ci膮 plamki na ekranie monitora wykorzystuje si臋 elektrony Augera lub promieniowanie rentgenowskie, kt贸re umo偶liwiaj膮 uzyskanie obrazu powierzchniowego rozmieszczenia wybranego pierwiastka w preparacie. Badanie rozmieszczenia pierwiastka wzd艂u偶 okre艣lonej linii oraz analiz臋 punktow膮 ilo艣ciow膮 zawarto艣ci pierwiastka w pr贸bce wykonuje si臋 przede wszystkim w mikroanalizatorach rentgenowskich lub przy nieruchomej wi膮zce elektron贸w w spektrometrach Augera.

Preparatyka 鈥 analiza stereometryczna

Obrazy zg艂ad贸w metalograficznych, kt贸re uzyskiwane s膮 w mikroskopie skaningowym mo偶na bezpo艣rednio poddawa膰 analizie stereometrycznej po sprz臋偶eniu mikroskopu elektronowego z komputerowym analizatorem obrazu. W przypadku kiedy mamy zr贸偶nicowane nat臋偶enia dowolnego sygna艂u wykorzystywanego do sterowania jasno艣ci膮 obrazu mo偶liwe jest ilo艣ciowe okre艣lenie udzia艂u obj臋to艣ciowego, powierzchni lub d艂ugo艣ci w艂a艣ciwej element贸w struktury, kt贸re r贸偶ni膮 si臋 sk艂adem chemicznym czy budow膮 krystaliczn膮. R贸偶nice sk艂adu chemicznego s膮 widoczne kiedy wykorzystuje si臋 kontrast materia艂owy na obrazie elektron贸w wstecznie rozproszonych, zaabsorbowanych czy Augera, je艣li chodzi o poszczeg贸lne fazy to mo偶na je ujawni膰 na zg艂adzie dzi臋ki metodzie selektywnego trawienia.

B艂臋dy uk艂adu elektronooptycznego

Praktycznie niemo偶liwe jest ograniczenie wi膮zek elektronowych, kt贸re bior膮 udzia艂 w odwzorowaniu do przyosiowego obszaru Gaussa. Wi膮zki elektron贸w zawsze wychodz膮 poza ten obszar. Powstaj膮 zniekszta艂cenia wi膮zek i ich wzajemnego po艂o偶enia, kt贸re nazywane s膮 aberacjami geometrycznymi. W soczewkach elektrycznych izotropowych o idealnej symetrii obrotowej mo偶e wyst膮pi膰 pi臋膰 b艂臋d贸w obrazu: aberacja sferyczna, astygmatyzm, dystorsja, nier贸wnomierne skr臋cenie obrazu, przecinkowo艣膰.

Na skutek skr臋cenia obrazu w soczewkach magnetycznych wyst臋puj膮 jeszcze dalsze b艂臋dy: przecinkowo艣膰 anizotropowa, astygmatyzm anizotropowy, dystorsja anizotropowa. Mog膮 jeszcze wyst膮pi膰: aberacja chromatyczna, astygmatyzm osiowy i b艂膮d dyfrakcji.

B艂臋dy uk艂adu elektronooptycznego

Wszystkie aberacje zale偶膮 od rozmiaru przes艂ony. Wi臋kszo艣膰 z nich powoduje rozmycie punkt贸w obrazu, jedynie dystorsja izotropowa i anizotropowa zniekszta艂caj膮 obraz bez jednoczesnego rozmycia.

Spo艣r贸d wymienionych b艂臋d贸w obrazu g艂贸wna rol臋 w mikroskopii elektronowej wykazuj膮:

- aberacja sferyczna,

- aberacja chromatyczna,

- b艂膮d dyfrakcji,

- astygmatyzm osiowy i dystorsja.

B艂臋dy uk艂adu elektronooptycznego - astygmatyzm osiowy

Astygmatyzm osiowy powoduje najwi臋ksze zniekszta艂cenie obrazu. W soczewkach elektronowych o zachwianej symetrii obrotowej astygmatyzm wyst臋puje nawet dla punkt贸w przedmiotu le偶膮cych na osi soczewki. Zniekszta艂ca ona obraz w obszarze przyosiowym. Podczas odwzorowania punktu przedmiotu le偶膮cego na osi za pomoc膮 promieni przyosiowych, zak艂贸cone pole powoduje i偶 astygmatyczna wi膮zka promieni odwzorowuje punkt w kr膮偶ek rozproszenia. Obraz rozdziela si臋 jakby na dwie linie ogniskowe wzajemnie prostopad艂e i po艂o偶one w jednakowej odleg艂o艣ci przed i za p艂aszczyzn膮 ogniskow膮. Astygmatyzm osiowy mo偶e by膰 ca艂kowicie usuni臋ty poprzez zastosowanie s艂abych soczewek: stygmator贸w, kt贸re kompensuj膮 dzia艂anie zak艂贸caj膮cego pola. Stygmator pozwala na zmian臋 nat臋偶enia i orientacji pola korekcyjnego dostosowuj膮c si臋 do istniej膮cej deformacji pola soczewki elektronowej.

B艂臋dy uk艂adu elektronooptycznego - b艂膮d dyfrakcji

W mikroskopie elektronowym zdolno艣膰 rozdzielcza ograniczona jest b艂臋dem dyfrakcji, kt贸ry wynika z falowych w艂asno艣ci strumienia elektron贸w. Wi膮zka elektron贸w prze艣wietlaj膮c przedmiot zostaje na jego punktach ugi臋ta. Promie艅 kr膮偶ka dyfrakcyjnego dany jest odleg艂o艣ci膮 pierwszego minimum rozk艂adu g臋sto艣ci pr膮du na ekranie 艣rodka symetrii tego rozk艂adu.

B艂膮d dyfrakcji nie jest mo偶liwy do skompensowania. Z falowooptycznego punktu widzenia nie mo偶na ograniczy膰 aberacji sferycznej od b艂臋du dyfrakcji. Aberacja sferyczna wprowadza dodatkowe przesuni臋cie fazowe w zewn臋trznych obszarach soczewki i wp艂ywa w ten spos贸b na kr膮偶ek rozproszenia.

B艂臋dy uk艂adu elektronooptycznego - dystorsja

Dystorsja odgrywa zasadnicz膮 rol臋 w projektorze, nie narusza ostro艣ci obrazu, natomiast psuje jego wierno艣膰. Dystorsja nie ogranicza zdolno艣ci rozdzielczej, poniewa偶 nie psuje ostro艣ci, natomiast zmienia b膮d藕 przerysowuje obraz.

Badania na skaningowym mikroskopie elektronowym

W wyniku na艣wietlania powierzchni pr贸bki pierwotn膮 wi膮zk膮 elektronow膮 nast臋puje emisja promieniowania rentgenowskiego z badanego materia艂u. Widmo tego promieniowania sk艂ada si臋 z ci膮g艂ego t艂a i na艂o偶onych na to t艂o pik贸w o okre艣lonej energii oraz nat臋偶eniu, zwanych pikami charakterystycznego promieniowa rentgenowskiego. Odpowiadaj膮 one wyemitowanym z pr贸bki liniom widmowym o du偶ym, w stosunku do t艂a, nat臋偶eniu.

Celem otrzymania procentowej聽zawarto艣ci pierwiastk贸w w badanym materiale mo偶emy wykona膰: analiz臋 jako艣ciow膮, analiz臋 ilo艣ciow膮 oraz analiz臋 punktow膮. Na mikroskopie skaningowym mo偶na r贸wnie偶 wykona膰 analiz臋 liniow膮, analiz臋 planimetryczn膮, czy te偶 mapy chemiczne rozk艂adu pierwiastk贸w na badanej powierzchni.

8.Badania struktury i w艂asno艣ci pokry膰

Post臋p w zakresie wytwarzania i zwi臋kszania trwa艂o艣ci eksploatacyjnej element贸w konstrukcyjnych i narz臋dzi, dokonuje si臋 dzi臋ki coraz powszechniejszemu wykorzystaniu technik nanoszenia cienkich pow艂ok, cz臋sto z twardych, odpornych na zu偶ycie materia艂贸w. W艣r贸d wielu technik zwi臋kszaj膮cych trwa艂o艣膰 powierzchni istotn膮 role w przemy艣le odgrywaj膮 metody fizycznego i chemicznego osadzania z fazy gazowej (PVD i CVD).

Podzia艂 pow艂ok przeciwzu偶yciowych:

3. Metody bada艅 pow艂ok.

- badanie sk艂adu chemicznego;

- badanie w艂asno艣ci mechanicznych;

- badanie w艂asno艣ci trybologicznych;

- badanie w艂asno艣ci eksploatacyjnych.

Badanie sk艂adu chemicznego.

Badanie sk艂adu chemicznego pow艂ok metod膮 spektrometrii emisyjnej ze wzbudzeniem jarzeniowym

Urz膮dzenie wykorzystuje metod臋 optycznej spektrometrii emisyjnej. Na powierzchni pr贸bki zachodzi zjawisko rozpylania katodowego.

Rozpylany materia艂 pr贸bki dyfunduje w g艂膮b plazmy, gdzie nast臋puje jego dysocjacja na pojedyncze atomy. Wzbudzone atomy powracaj膮c do stanu podstawowego emituj膮 promieniowanie 艣wietlne o intensywno艣ci i d艂ugo艣ci charakterystycznej dla jako艣ciowego i ilo艣ciowego sk艂adu pr贸bki.

Powsta艂e promieniowanie 艣wietlne, po rozszczepieniu na siatce dyfrakcyjnej, jest wykrywane przez fotopowielacze. Sygna艂y elektryczne z fotopowielacza s膮 wzmacniane i przesy艂ane do komputera gdzie poddawane s膮 wnikliwej analizie na zawarto艣ci poszczeg贸lnych pierwiastk贸w .

Badanie w艂asno艣ci mechanicznych

Badanie grubo艣ci pow艂ok

Metoda 鈥瀔alotestu鈥 polega na pomiarze charakterystycznych wielko艣ci krateru powsta艂ego w wyniku wytarcia na powierzchni pr贸bki prze stalow膮 kulk臋 o 艣rednicy . Pomi臋dzy powierzchnie pr贸bki a obracaj膮c膮 si臋 kulk臋 dostarcza si臋 zawiesiny diamentowej.

Weryfikacji uzyskanych wynik贸w, pomiaru grubo艣ci dokonuje si臋 za pomoc膮 mikroskopu 艣wietlnego z wyskalowan膮 podzia艂k膮 pomiarow膮. Grubo艣膰 pow艂oki wyznaczana jest na podstawie zale偶no艣ci:

g 鈥 grubo艣ci pow艂oki w 碌m;

D - 艣rednica zewn臋trzna krateru mm; d 鈥 艣rednica wewn臋trzna krateru w mm;

R 鈥 promie艅 kulki w mm.

Pomiar贸w pow艂ok mo偶na r贸wnie偶 dokonywane w skaningowym mikroskopie elektronowym na prze艂omach poprzecznych do ich powierzchni swobodnej. Od grubo艣ci pow艂ok zale偶膮 ich w艂asno艣ci ochronne, wzrasta odporno艣膰 na zu偶ycie.

Badanie przyczepno艣膰 pow艂oki.

Badanie przyczepno艣ci polega na przemieszczeniu diamentowego wg艂臋bnika po analizowanej powierzchni ze wzrastaj膮c膮 si艂膮 obci膮偶enia (metoda Scratch Test)

W metodzie tej diamentowy wg艂臋bnik przemieszcza si臋 po badanej powierzchni ze sta艂膮 pr臋dko艣ci膮 przy wzrastaj膮cej sile obci膮偶aj膮cej. Najmniejsz膮 si艂膮, przy kt贸rej nast臋puje uszkodzenie pow艂oki zwan膮 obci膮偶eniem krytycznym Lc.

W trakcie pr贸by rejestrowana jest emisja akustyczna i si艂a tarcia w funkcji si艂y obci膮偶aj膮cej. Warto艣膰 sygna艂u emisji akustycznej i si艂a tarcia s膮 wska藕nikami umo偶liwiaj膮cymi okre艣lenie uszkodzenia pow艂oki.

Pomiar mikrotwardo艣ci pow艂ok

Pomiar mikrotwardo艣ci polega na wyznaczeniu twardo艣ci przy bardzo ma艂ych obci膮偶eniach.

Pr贸ba umo偶liwia obserwacje zmian odkszta艂cenia plastycznego i spr臋偶ystego materia艂u pr贸bki w czasie obci膮偶enia i odci膮偶ania. Uk艂ad pomiarowy pozwala precyzyjnie zarejestrowa膰 g艂臋boko艣膰 odcisku podczas obci膮偶ania jak i odci膮偶ania wg艂臋bnika.

Pin-on-Disc

W metodzie tej do badanej powierzchni przyk艂ada si臋 przeciwpr贸bk臋 kt贸ra ma kszta艂t walca lub kulki. W wyniku dzia艂ania si艂y obci膮偶aj膮cej i rotacji pr贸bki dochodzi do uszkodzenia powierzchni.

Urz膮dzenie jest po艂膮czone z komputerem pozwalaj膮cym zdefiniowa膰 wielko艣膰 obci膮偶enia, szybko艣膰 obrot贸w, promie艅 na pr贸bce, maksymalny wsp贸艂czynnik tarcia, czas trwania testu.

Chropowato艣膰

Podstaw膮 do wyznaczenia nier贸wno艣ci powierzchni jest jej profil, utworzony prze kraw臋d藕 przeci臋cia tej powierzchni p艂aszczyzn膮 do niej prostopad艂膮.

Chropowato艣膰 jest to zbi贸r nier贸wno艣ci powierzchni rzeczywistej o stosunkowo ma艂ych odst臋pach pomi臋dzy wierzcho艂kami.

Badanie w艂asno艣ci eksploatacyjnych.

Odporno艣膰 erozyjna

Badanie przeprowadza si臋 na urz膮dzeniu strumieniowo-powietrznym. 聽 W urz膮dzeniu tym proszkowy erodent wydobywaj膮cy si臋 z dyszy przy zadanym ci艣nieniu uderza o powierzchnie badanej pr贸bki ustawionej pod odpowiednim kontem wzgl臋dem dyszy.

Odporno艣膰 pow艂oki na korozje

Badania mo偶na wykona膰 na urz膮dzeniu do ilo艣ciowego badania korozyjnych w艂asno艣ci materia艂贸w-tr贸jelektrodowej komorze np. w 1-molowym roztworze HCl, w odniesieniu do elektrody platynowej i elektrody kalomelowej.

Badania polegaj膮 na:

- pomiarach polaryzacji z szybko艣ci膮 skanowania 15 mV/min, w celu wyznaczenia pr膮du korozji na pod艂o偶u;

- pomiarach potencja艂u korozyjneg;

- pomiarach potencja艂u korozyjnego;

- pomiarach szybko艣ci korozji.

Badanie topografii powierzchni pow艂ok

AFM

Zasada dzia艂ania mikroskopu polega na pomiarze si艂y oddzia艂ywania mikroskopijnej ig艂y z聽powierzchni膮 pr贸bki podczas jej skanowania. Pomiar tej si艂y dokonywany jest przy pomocy promienia lasera, kt贸ry jest zogniskowany na igle. Odbity od niej trafia na fotodetektor. Zmiany po艂o偶enia plamki laserowej fotodetektora zamienia na impulsy elektryczne.

Uzyskane dane rejestrowane s膮 przez komputer i przetwarzane na obraz , kt贸ry nast臋pnie poddawany jest analizie. Ruch ig艂y realizowany jest przez specjalny piezoelektryczny skaner umo偶liwiaj膮cy ruch we wszystkich trzech p艂aszczyznach.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Analiza spektroskopowa w mikroobszarach, 蹫 P艂yta Studenta Politechniki 艢l膮skiej, Semestr 4, Bsiwm -
bsiwm lab3, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i w艂asnosci materia艂贸w
zagadnienia na kolos, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i w艂asnosci materia艂贸w, bsiwm
Lab 1 Badanie struktury, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i w艂asnosci materia艂贸w
lab 4, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i w艂asnosci materia艂贸w
bsiwm lab1, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i w艂asnosci materia艂贸w
LAB9, Por贸wnanie struktur i w艂asno艣ci wybranych materia艂贸w ceramicznych
pnom - sciaga, Politechnika 艣l膮ska - Mechatronika semestr 1 i 2, Podstawy Nauki o materia艂ach, labor
Zmiany struktury i w艂asno艣ci powierzchni materia艂贸w
struktura i w艂asno艣ci, SZKO艁A, sprawoazdania nauka o materia艂ach, struktura i w艂asno艣ci
LAB9, Por贸wnanie struktur i w艂asno艣ci wybranych materia艂贸w kompozytowych
praca o polimerach, Politechnika 艣l膮ska - Mechatronika semestr 1 i 2, Podstawy Nauki o materia艂ach,
tematy kolokwium - elementy prawa, In偶ynieria materia艂owa pwr, Ochrona w艂asno艣ci intelektualnej
LAB9 Por贸wnanie struktur i w艂asno艣ci wybranych materia艂贸w kompozytowych
pnom, Politechnika 艣l膮ska - Mechatronika semestr 1 i 2, Podstawy Nauki o materia艂ach, laborki, cw 9
Sprawozdania materialoznastwo, Wp艂yw zawarto艣ci w臋gla i obr贸bki cieplnej na struktur臋 i w艂asno艣ci me
LAB9 Por贸wnanie struktur i w艂asno艣ci wybranych materia艂贸w ceramicznych

wi臋cej podobnych podstron