Zagadnienia na ocenę dostateczną:

1. Co to jest półprzewodnik samoistny?

2. W jakim celu stosuje się domieszkowanie półprzewodnika?

3. Wyjaśnić co to są donory i akceptory.

4. Wyjaśnić energetyczny model pasmowy półprzewodnika samoistnego.

5. Wyjaśnić energetyczny model pasmowy półprzewodników domieszkowanych.

1. Co to jest potencjał termokinetyczny UT i jaką przyjmuje wartość w temperaturze pokojowej.

2. Porównać właściwości diody prostowniczej krzemowej i Schottky’ego.

3. Jak na podstawie pomiarów odróżnić diodę prostowniczą germanową od krzemowej?

4. Podać symbole i zaznaczyć polaryzację w normalnych warunkach pracy diody:

   1. stabilizacyjnej, b) LED, c) fotodiody pracującej jako fotodetektor, d) diody pojemnościowej

5. Co, jak, dlaczego stabilizuje dioda Zenera?

6. Narysować symbol i charakterystykę prądowo-napięciową diody Zenera zaznaczając poszczególne

stany pracy.

1. Narysować na jednym rysunku charakterystyki prądowo-napięciowe różnych diod uwzględniając

zasadnicze różnice i zaznaczając charakterystyczne wartości parametrów

1. Jakie występują i z jakiego powodu, ograniczenia przy pomiarze charakterystyki prądowonapięciowej

diody prostowniczej i Zenera.

1. Jaki jest mechanizm uszkodzenia diody prostowniczej w kierunku przewodzenia i zaporowym.

2. Przy jakiej polaryzacji dioda elektroluminescencyjna świeci i dlaczego?

3. Materiały półprzewodnikowe stosowane w diodach LED.

4. Narysować i dokonać interpretacji rodziny charakterystyk fotodiody (w ciemności i przy

oświetleniu).

1. Jak doświadczalnie wyznacza się napięcie stabilizacji diody Zenera?

2. Narysować schemat, wyjaśnić zasadę działania stabilizatora parametrycznego.

3. Zaprojektować stabilizator parametryczny o zadanych parametrach.

4. Narysować schemat prostownika dwupołówkowego.

   1. z dzielonym uzwojeniem wtórnym transformatora

   2. mostkowego (z układem Graetza)

5. Właściwości i zastosowanie termistorów NTC, PTC i CTR.

6. Wyjaśnić zasadę działania tranzystora bipolarnego złączowego.

7. Co, jak, kiedy i dlaczego wzmacnia tranzystor BJT.

8. Definicje i wyznaczanie współczynnika wzmocnienia prądowego i współczynnika wstrzykiwania

9. elektronów z obszaru emitera do kolektora w tranzystorze BJT.

10. Co to są i z czego wynikają stany pracy tranzystora BJT.

11. Jakie są i czego wynikają układy pracy tranzystora BJT.

12. Narysować, nazwać i odpowiednio opisać rodziny ch-k statycznych w układzie OE.

13. Co to jest punkt pracy Q tranzystora bipolarnego i jakie są zasady jego ustalania?

14. Narysować schemat zastępczy małosygnałowy z parametrami mieszanymi h tranzystora

15. Podać interpretację fizyczną parametrów mieszanych hij tranzystora BJT.

16. Jakie współczynniki hij można wyznaczyć na podstawie danej rodziny charakterystyk , np.

przejściowych, w zadanym punkcie pracy?

1. Narysować schemat zastępczy małosygnałowy hybryd π tranzystora bipolarnego.

2. Dlaczego tranzystor BJT jest elementem wzmacniającym – co, jak i dlaczego wzmacnia?

3. Podać podstawowe układy pracy tranzystora oraz wartości współczynników wzmocnienia

prądowego.

1. Podać typy i symbole tranzystora bipolarnego.

2. Jak ustalić czy dany tranzystor jest germanowy czy krzemowy?

3. Jak wyznaczyć współczynniki α i β tranzystora

4. Czy wartości α i β zależą od punktu pracy tranzystora?

5. Wyjaśnić pojęcie mocy admisyjnej elementów elektronicznych.

6. Jaką rolę pełni rezystor RC i jak wyznacza się jego wartość rezystora.

7. Jak wyznaczyć wartość rezystora RB przy polaryzacji stałym prądem bazy.

8. Na czym polega emiterowe sprzężenie zwrotne?

9. Jakie są zasady ustalania wartości rezystora RE?

10. Jakie są zasady doboru rezystorów R1 i R2 dzielnika napięciowego przy potencjometrycznej

polaryzacji tranzystora BJT.

1. Jaką rolę pełnią rezystory sprzęgające C1 i C2 ?

2. Jak kondensator emiterowy CE (blokujący) wpływa na właściwości wzmacniacza w układzie

OE?

1. Narysować typową charakterystykę amplitudową i fazową wzmacniacza napięciowego.

2. Jak się definiuje i wyznacza się dolną i górną częstotliwość graniczną wzmacniacza

napięciowego?

1. Jaką rolę pełni kondensator emiterowy CE i jak wyznacza się jego wartość?

2. Określić wzmocnienie napięciowe wzmacniacza w układzie OE w przypadku występowania

sprzężenia emiterowego i przy jego eliminacji.

1. Dlaczego wzmacniacz napięciowy z tranzystorem BJT odwraca fazę o 180°.

2. Wyprowadzić wzór na rezystancję wejściową i wyjściową wzmacniacza napięciowego.

3. Narysować schemat zastępczy wzmacniacza napięciowego w układzie OE bez sprzężenia

zwrotnego i wyprowadzić wzór na wzmocnienie napięciowe.

1. Narysować schemat zastępczy wzmacniacza napięciowego w układzie OE ze sprzężeniem

zwrotnym i wyprowadzić wzór na wzmocnienie napięciowe.

1. Przedstawić budowę, zasadę działania tranzystorów JFET.

2. Podstawowe charakterystyki statyczne tranzystorów JFET.

3. Budowa, zasada działania i podstawowe charakterystyki statyczne tranzystorów z izolowaną

bramką.

1. Rodzaje tranzystorów z izolowaną bramką, ich nazwy i oznaczenia.

2. Rodzaje i symbole tranzystorów polowych.

3. Narysować charakterystykę przejściową i charakterystyki wyjściowe tranzystora MOS z kanałem

indukowanym „n”.

1. Narysować charakterystykę przejściową i charakterystyki wyjściowe tranzystora MOS z

kanałem indukowanym „p”.

1. Narysować charakterystykę przejściową i charakterystyki wyjściowe tranzystora MOS z

kanałem wbudowanym „n”.

1. Narysować charakterystykę przejściową i charakterystyki wyjściowe tranzystora MOS z

kanałem wbudowanym „p”.

1. Co to są napięcia progowe i odcięcia i dla jakich tranzystorów polowych jest sens o nich mówić?

2. Na czym polega automatyczna polaryzacja bramki i dla jakich tranzystorów można ją

zrealizować.

1. Wyznaczyć wartości rezystorów dla wzmacniacza OS z tranzystorem polowym z automatyczną

polaryzacją obwodu bramki dla zadanego punktu pracy.

1. Wyznaczyć wartości rezystorów dla wzmacniacza OS z tranzystorem polowym z

potencjometryczną polaryzacją obwodu bramki.

1. Narysować schemat zastępczy wzmacniacza OS

2. Dlaczego wzmacniacz napięciowy z tranzystorem FET odwraca fazę o 180°.

3. Budowa i zasada działania klasycznego tyrystora

4. Podstawowe rodzaje i właściwości tyrystorów.

5. Charakterystyki statyczne tyrystora, triaka, diaka i dynistora.

6. Wyjaśnić zasadę działania wzmacniacza różnicowego.

7. Dlaczego wzmacniacz różnicowy ma dwa wejścia?

8. Co to jest współczynnik CMRR i jakie powinien przyjmować wartości.

9. Charakterystyka przejściowa WO.

10. Charakterystyki częstotliwościowe WO - amplitudowa i fazowa.

11. Zastosowanie skali logarytmicznej w opisie charakterystyk częstotliwościowych wzmacniaczy.

12. Skąd, dlaczego i w jakim celu jest stosowana wartość 3dB?

13. Jak i dlaczego wartość 3dB służy do wyznaczania częstotliwości granicznych.

14. Wyjaśnić pojęcie idealnego wzmacniacza operacyjnego i podać jego cechy.

15. Wyprowadzić wzór na wzmocnienie układu odwracającego WO.

16. Wyprowadzić wzór na wzmocnienie układu nieodwracającego WO.

17. Wyznaczyć rezystory układu sprzężenia zwrotnego dla zadanego wzmocnienia podanego w dB.

18. Wyprowadzić wzór dla sygnału wyjściowego układu całkującego.

19. Wyprowadzić wzór dla sygnału wyjściowego układu różniczkującego.

20. Wykazać, o ile procent zmniejszy się wzmocnienie odpowiadające spadkowi wzmocnienia o

3dB.

1. Dlaczego zmniejszenie wzmocnienia o 3 dB stanowi podstawę do wyznaczenia częstotliwości

granicznych wzmacniacza?

1. Dlaczego spadek wzmocnienia w zakresie pasma tłumienia wzmacniacza operacyjnego wynosi -

20dB/dek?

1. Co to jest wejściowe napięcie niezrównoważenia?

2. Jak zmienia się ch-ka częstotliwościowa WO po wprowadzeniu rezystancyjnego sprzężenia

zwrotnego?

1. Jaki sygnał otrzymamy po scałkowaniu i zróżniczkowaniu fali prostokątnej? Uzasadnić

teoretycznie.

1. Jaki sygnał otrzymamy po idealnym scałkowaniu i zróżniczkowaniu fali trójkątnej? Uzasadnić

teoretycznie.

1. Dla zadanego sygnału narysować odpowiedź po idealnym scałkowaniu i różniczkowaniu.

2. Wyrazić wzmocnienie w dB: np. dla 123V/V, 4537V/V.

3. Wyrazić wzmocnienie w V/V: np. dla 3 dB, 45 dB, 100 dB.

4. Podać tabele stanów logicznych podstawowych bramek logicznych.

5. Podać i udowodnić prawa de Morgana.

6. Zapisać zadaną liczbę ujemną w kodzie U2.

7. Podać budowę i właściwości półsumatora i sumatora dwóch liczb jednobitowych.

8. Podać budowę i właściwości sumatora dwóch liczb jednobitowych.

9. Wykazać, że przerzutnik rs jest układem sekwencyjnym.

10. Podać tabele stanów logicznych przerzutników rs, RS, D, T, JK, JK-MS.

11. Podstawowe właściwości układów kombinacyjnych i sekwencyjnych.

12. Jaka jest różnica pomiędzy przerzutnikami synchronicznymi i asynchronicznymi?

13. Wyznaczyć funkcje realizowane na wyjściu układów przedstawionych np. na rysunkach, poniżej.

14. Wyznaczyć stany logiczne na wyjściu układów przedstawionych np. na rysunkach, poniżej.