Inżynieria Środowiska I |
Bernasiński Karol | 27.04.2010 |
---|---|---|
Ćw. nr 12 | Badanie własności prostowniczych diod półprzewodnikowych |
Uwagi :
Wstęp
Dioda jest to elektryczny element półprzewodnikowy. Cechą charakterystyczną jest wyłącznie jednokierunkowy przepływ prądu (w kierunku przewodzenia). Elektroniczne diody półprzewodnikowe wykonane są zazwyczaj, w oparciu o złącze dwóch półprzewodników (złącze p-n). W obszarze typu „n” występują nośniki większościowe ujemne (elektrony) oraz unieruchomione w siatce krystalicznej atomy domieszek (donory, V grupa układu okresowego). W obszarze typu „p” nośnikami większościowymi są dziury oraz atomy domieszek akceptorowych.
Stan w złączu niespolaryzowanym w pobliżu złącza p-n nośniki większościowe dyfudują, co spowodowane jest różnicą koncentracji nośników. Gdy elektrony przemieszczają się do obszaru „p” a dziury do „n”, stają się nośnikami mniejszościowymi. Dochodzi do rekombinacji z nośnikami większościowymi, które nie przeszły na drugą stronę złącza. Powoduje to redukcję nośników po obu stronach złącza. W efekcie powstają nieruchome jony, które wytwarzają pole elektryczne zapobiegające dalszej dyfuzji (warstwa zaporowa).
Polaryzacja w kierunku przewodzenia – bariera potencjałów zostaje zmniejszona o wartość zewnętrznego napięcia U. Gdy U przekroczy wartość napięcia dyfuzyjnego, wówczas obszar zubożony znika i praktycznie bez przeszkód następuje przepływ prądu elektrycznego.
Polaryzacja zaporowa – w tym przypadku bariera potencjałów zwiększa się, gdyż do napięcia dyfuzyjnego dodaje się napięcie zewnętrzne. Przy takiej polaryzacji płynie tylko niewielki prąd unoszenia.
Przebicie lawinowe – jeśli napięcie przyłożone w kierunku zaporowym jest odpowiednio duże, to nośniki przechodzące przez obszar zubożony uzyskują duża energię. Zderzają się z węzłami siatki krystalicznej przekazując im swoją energię, co powoduje przejście elektronów do pasma przewodnictwa (a więc i utworzenie dziur). Pojawiają się nowe nośniki, które również doznają przyspieszenia, zderzają się z węzłami siatki itd. Proces ten nabiera charakteru lawinowego i nazywany jest przebiciem lawinowym – nie powoduje jednak uszkodzenia złącza. Efektem jest gwałtowny wzrost prądu w obwodzie (prąd jonizacji lawinowej).
DIODA II | DIODA III |
---|---|
Kierunek przewodzenia |
Kierunek zaporowy |
U [V] |
I [mA] |
0,000 | 0 |
0,200 | 0 |
0,400 | 0 |
0,500 | 0,07 |
0,550 | 0,3 |
0,600 | 0,83 |
0,620 | 1,4 |
0,640 | 2,54 |
0,660 | 4,7 |
0,680 | 6,9 |
0,700 | 11,3 |
0,720 | 18 |
0,740 | 29,7 |
0,760 | 57,8 |
0,780 | 74,2 |
Diody Luminescencyjne
Tylko kierunki przewodzenia
G | B | UV |
---|---|---|
U [V] |
I [mA] |
U [V] |
0,00 | 0 | 0,000 |
1,000 | 0 | 1,500 |
1,500 | 0 | 2,000 |
1,600 | 0 | 2,200 |
1,700 | 0 | 2,400 |
1,750 | 0 | 2,500 |
1,800 | 0,25 | 2,600 |
1,850 | 0,92 | 2,650 |
1,900 | 2,37 | 2,700 |
1,950 | 4,05 | 2,750 |
2,000 | 6,72 | 2,800 |
2,050 | 9,73 | 2,850 |
2,100 | 12,92 | 2,900 |
2,150 | 16,32 | 2,950 |
2,200 | 20,1 | 3,000 |
3,050 | ||
3,100 |
Obliczenia
Niepewności pomiarowe należy obliczyć ze wzoru
∆(U)=U*0,05 ∆(I)=I*0,05
Niepewności standardowe należy obliczyć ze wzoru
$$U\left( x \right) = \sqrt{\frac{\left(_{d}x \right)^{2}}{3}}$$
Dla U= 0,200 ∆(U0,2)=0,2*0,05=0,01
$$U\left( U_{0,2} \right) = \sqrt{\frac{{0,01}^{2}}{3}} = 0,0058\ V$$
Analogicznie dla wszystkich diod ( wyniki w tabelach poniżej)
Dioda II |
---|
Kierunek przewodzenia |
U [V] |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,5 |
0,55 |
0,6 |
0,62 |
0,64 |
0,66 |
0,68 |
0,7 |
0,72 |
0,74 |
0,76 |
0,78 |
Dioda III |
---|
Kierunek przewodzenia |
U [V] |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,63 |
0,65 |
0,68 |
0,7 |
0,71 |
0,72 |
0,73 |
0,74 |
0,75 |
0,76 |
Diora G (Green) |
---|
U [v] |
0 |
1 |
1,5 |
1,6 |
1,7 |
1,75 |
1,8 |
1,85 |
1,9 |
1,95 |
2 |
2,05 |
2,1 |
2,15 |
2,2 |
Dioda B ( blue ) |
---|
U [V] |
0 |
1,5 |
2 |
2,2 |
2,4 |
2,5 |
2,6 |
2,65 |
2,7 |
2,75 |
2,8 |
2,85 |
2,9 |
2,95 |
3 |
3,05 |
3,1 |
Dioda UV |
---|
U [V] |
0 |
1,5 |
2 |
2,5 |
2,7 |
2,8 |
3 |
3,1 |
3,2 |
3,3 |
3,4 |
3,45 |
3,5 |
3,55 |
3,6 |
3,7 |
3,8 |
Szacowana wartość napięcia progowego U b dla poszczególnych diod w kierunku przewodzenia wynosi:
U b (II) = 0,5 V
U b (III) = 0,6 v
U b (G) = 1,8 V
U b (B) = 2,5 v
U b (UV) = 1,5 V
W kierunku zaporowym:
U b (II) = ----
U b (III)= 18 V
Niepewność skalowania
dUb = 0, 05 * Ub
Kierunek przewodzenia:
dUbII = 0, 05 * 0, 5=0,025 V
dUbIII = 0, 05 * 0, 6=0,03 V
dUbG = 0, 05 * 1, 8 = 0, 09 V
dUbB = 0, 05 * 2, 5 = 0, 125 V
dUbUV = 0, 05 * 1, 5 = 0, 075 V
Kierunek zaporowy:
dUbIII = 0, 05 * 18 = 0, 9 V
Wnioski
W tym ćwiczeniu należało zbadać własności prostownicze diod półprzewodnikowych w kierunku przewodzenia i zaporowym, a także wyznaczyć ich charakterystyki prądowo-napięciowych. Analizie podlegało 5 diod w kierunku przewodzenia w tym 2 w kierunku zaporowym. Zostały wyznaczone napięcia progowe diod. Podsumowując dioda 2 (III) ma najmniejsze napięcie progowe, z czego wynika, że najlepiej przewodzi prąd w kierunku przewodzenia. Natomiast największy opór w kierunku przewodzenia stawia dioda B.
W kierunku zaporowym największy a zarazem najmniejszy opór stawia dioda III ( ponieważ dioda II w tym kierunku przy maksymalnym mierzonym napięciu 24 V nie wykazywała żadnego natężenia)