52.

Co opisuje ruchliwość nośników w półprzewodniku i jak ten parametr

zmienia się (wykresy) w funkcji:

-koncentracji ( N

-temperatury (T),

-natężenia pola elektrycznego (E).

Co opisuje ruchliwość nośników w półprzewodniku i jak ten parametr zmienia się (wykresy) w

funkcji:

- koncentracji ( Nd),

- temperatury (T),

- natężenia pola elektrycznego (E).

Co jest konsekwencją zróżnicowania ruchliwości w półprzewodniku typu n i p ?

μ – ruchliwość – stały współczynnik proporcjonalności

Działanie pola elektrycznego E na nośniki powoduje, że na chaotyczny ruch cieplny nakładają się ruchy skierowane. Nośniki poruszają się po sieci krystalicznej półprzewodnika z prędkością v, gdzie v = μ E.

Ruchliwość nośników opisuje:

- koncentracja domieszek (μn μp)

- temperatura (T)

- natężenie pola elektrycznego (E)