Politechnika Lubelska 20.03.2014r.

Mechatronika 27.03.2014r.

Laboratorium Podstaw Elektroniki

Ćw. Nr 1

Temat: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora

1. Cel ćwiczenia

Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p w układzie WB i WE . Następnie z otrzymanych charakterystyk mieszanych parametrów przyrostowych .

1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB

   1. Schemat układu

mA – miliamperomierz
V – woltomierz

1. Tabele pomiarów

1. Charakterystyka wejściowa oraz przejściowa :

UCB=9,5V	UCB=8V	UCB=5V	UCB=2,5V
UEB	Ie	Ic	UEB
V	mA	mA	V
-0,12	5	4	-0,11
-0,15	10	10	-0,14
-0,16	15	16	-0,17
-0,18	20	20	-0,18
-0,20	25	26	-0,20
-0,21	30	32	-0,21
-0,23	40	40	-0,24
-0,25	45	48	-0,25
-0,27	50	54	-0,26
-0,28	60	60	-0,27
-0,30	70	72	-0,30
-0,34	90	90	-0,33

1. Charakterystyka wyjściowa oraz oddziaływania wstecznego:

Ie=80mA	Ie=60mA	Ie=40mA	Ie=20mA
UCB	Ic	UEB	UCB
V	mA	V	V
0,25	72	-0,3	0,25
0,5	72	-0,3	0,5
0,75	72	-0,3	0,75
1	78	-0,3	1
1,5	80	-0,3	1,5
2,5	82	-0,3	2,5
3,5	84	-0,3	3,5
4,5	84	-0,3	4,5
5,5	86	-0,3	5,5
6,5	86	-0,3	6,5
7,5	86	-0,3	7,5
8,5	86	-0,3	8,5
9,5	84	-0,3	9,5

1. Wykresy:

1. Charakterystyka wejściowa

2. Charakterystyka przejściowa

1. Charakterystyka wyjściowa

2. Charakterystyka oddziaływania wstecznego

   1. Przyrostowe parametry mieszane

h_11b=∆U_cb/∆I_e=0,22V/0,085A=2,59 Ω,

h_21b=∆I_c/∆I_e=0,086A/0,085A=1,01 A/A,

h_12b=∆U_eb/∆U_bc ∆U_eb-niezauważalne

h_22b=∆I_c/∆U_cb=0,008A/0,25V=0,0009 A/V

1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE

1. Schemat układu

mA – miliamperomierz
V – woltomierz

1. Tabele pomiarów

1. Charakterystyka wejściowa oraz przejściowa :

UCE=9,5V	UCE=8V	UCE=5V	UCE=2,5V
UEB	Ib	Ic	UEB
V	mA	mA	V
-0,13	0,1	10	-0,11
-0,17	0,2	24	-0,14
-0,19	0,3	28	-0,16
-0,2	0,4	56	-0,18
-0,21	0,5	72	-0,19
-0,22	0,6	88	-0,2
-0,22	0,7	95	-0,21
-0,22	0,8	110	-0,22
-0,23	0,9	130	-0,23
-0,24	1	150	-0,23
-0,24	1,1	170	-0,24
-0,24	1,2	180	-0,24

1. Charakterystyka wejściowa oraz przejściowa :

Ib=1mA	Ib=0,8mA	Ib=0,6mA	Ib=0,3mA
Uce	Ic	UEB	Uce
V	mA	V	V
0,25	110	-0,24	0,25
0,5	120	-0,24	0,5
0,75	120	-0,24	0,75
1	130	-0,23	1
1,5	130	-0,23	1,5
2,5	130	-0,23	2,5
3,5	140	-0,23	3,5
4,5	150	-0,23	4,5
5,5	150	-0,23	5,5
6,5	150	-0,23	6,5
7,5	150	-0,22	7,5
8,5	160	-0,23	8,5
9,5	150	-0,24	9,5

1. Wykresy

1. Charakterystyka wejściowa

2. Charakterystyka przejściowa

3. Charakterystyka wyjściowa

4. Charakterystyka oddziaływania wstecznego

1. Przyrostowe parametry mieszane

h_11e=∆U_bc/∆I_b=0,13V/0,0011A=118,18 Ω

h_21e=∆I_c/∆I_b=0,148A/0,0011A=134,54 A/A

h_12e=∆U_be/∆U_ce=0,01V/9,25V=0,001 V/V

h_22e=∆I_c/∆U_ce=0,030A/9,25V=0,003 A/V

1. Wnioski

Ie i Ic – różnice wynikają z niedokładności podziałki

I jakies kogos wnioski:

Na podstawie przeprowadzonych pomiarów można porównać podstawowe parametry tranzystora pracującego w różnych układach pracy. Impedancja wejściowa jest to parametr h₁₁ wyraźnie widać iż w układzie wspólnej bazy jest o wiele mniejsza niżeli w układzie wspólnego emitera. W układzie wspólnej bazy wzmocnienie prądowe h₂₁ powinno być mniejsze od jedności co na podstawie przeprowadzonych pomiarów zostało udowodnione. W obu wypadkach wzmocnienie napięciowe h₁₂ jest większe od jedności. Admitancja wyjściowa h₂₂ jest również inna w obu przypadkach. W układzie OB. Jest znacznie większa niż w układzie OC. Na podstawie tych wniosków widać iż tranzystor w różnych klasach ma różne zastosowanie. Powyższe wnioski mogą nie zgadzać się z rzeczywistości ponieważ podczas pomiarów mogliśmy popełnić duży błąd pomiaru.