1. Narysuj model pasmowy półprzewodnika typu „n” , „p” silnie domieszkowanego 1. Narysuj model pasmowy półprzewodnika typu „n”, „p” słabo domieszkowanego 1. Narysuj model pasmowy półprzewodnika typu samoistnego 2. Narysuj charakterystykę U/I diody tunelowej 2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody prostowniczej 2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody zenera 2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody LED 8. Narysuj model pasmowy metal – półprzewodnik dla przypadku kiedy praca wyjścia elektronów z metalu jest mniejsza niż z półprzewodnika 8. Narysuj model pasmowy metal – półprzewodnik dla przypadku kiedy praca wyjścia elektronów z metalu jest większa niż z półprzewodnika 8. Narysuj strukturę sieci krystalicznej dla półprzewodnika typu „p” 8. Narysuj strukturę sieci krystalicznej dla półprzewodnika typu „n” 8. Narysuj układ wzmacniacza odwracającego na wzmacniaczu operacyjnym 8. Narysuj układ wzmacniacza nieodwracającego na wzmacniaczu operacyjnym Wspólny kolektor Wspólny emiter 13. Narysuj układ źródła prądowego na tranzystorze unipolarnym. 14. Podaj definicję rekombinacji promienistej. Rekombinacja promienistą nazywamy zjawisko emisji nadwyżki energii w postaci fotonu. Warunkiem tego, by elektron mógł oddać energię przechodząc na niższy poziom energetyczny jest istnienie pustego stanu dozwolonego na niższym poziomie energetycznym oraz prawdopodobieństwo takiego przejścia większe od zera. 14. Narysuj charakterystykę przejściową dla tranzystora JFET z kanałem typu „n”. 14. Narysuj charakterystykę przejściową dla tranzystora JFET z kanałem typu „p”. 14. Narysuj charakterystykę przejściową dla tranzystora MOS z kanałem wbudowanym typu „n” 14. Narysuj charakterystykę przejściową dla tranzystora MOS z kanałem wbudowanym typu „p” 18. Narysuj tranzystor bipolarny w układzie WC 20. Narysuj tranzystor z kanałem normalnie wyłączonym typu n w układzie wspólnego źródła 20. Narysuj tranzystor z kanałem normalnie wyłączonym typu n w układzie wspólnej bramki 20. Narysuj tranzystor unipolarny JFET w układzie wspólna bramka.	2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody uniwersalnej 2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody pojemnościowej 2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody Shottky’ego. 3. Definicja koncentracji elektronów/dziur w półprzewodniku Jest to ilość elektronów/dziur w przewodniku przypadających na jednostkę objętości (zwykle cm3). - koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa / - koncentracja dziur w paśmie walencyjnym 3. Definicja Poziomu Fermiego Najwyższy poziom elektryczny atomu znajdującego się w temperaturze zera bezwzględnego obsadzony przez elektron. 3. Narysuj prosty układ generatora diodowego. 3. Podać warunki generacji sygnału. - amplitudy – tłumienie układu sprzężenia zwrotnego nie może być większe niż wzmocnienie wzmacniacza - fazy – przesunięcie fazy całego układu musi być równe wielokrotności 2π. 3. Podaj definicję małego sygnału. Sygnał o amplitudzie na tyle małej, że można pominąć nieliniowy charakter elementu. 4. Definicja funkcji rozkładu Fermiego-Diraca. $f\left( E \right) = \frac{1}{1 + exp\frac{E - E_{F}}{\text{kT}}}$, k – stała Boltzmana. Opisuje sposób obsadzenia poziomów energetycznych przez elektrony w układzie wieloelektrodowym. 4. Definicja prądu dyfuzji w półprzewodniku Występuje wtedy, gdy rozkład nośników nadmiarowych jest niejednorodny. Powstaje wówczas dyfuzyjny prąd nośników z obszarów o większej koncentracji do obszarów o mniejszej koncentracji. Prądy dyfuzyjne elektronowe i dziury proporcjonalne do nachylenia rozkładu koncentracji nośników 4. Definicja konduktancji półprzewodnika Właściwości elektryczne półprzewodnik określamy poprzez konduktywność, która zależy od liczby nośników ładunku w jednostce objętości, czyli koncentracji Konduktywność - przewodność elektryczna właściwa 4. Definicja prądu unoszenia w półprzewodniku Jeżeli na półprzewodnik będzie oddziaływało zewnętrzne pole elektryczne o natężeniu "E", to nośniki będą poruszały się w kierunku działania tego pola. Taki ukierunkowany ruch nośników nazywamy prądem unoszenia. 4. Definicja prądu zerowego w tranzystorze bipolarnym. Prąd płynący w obwodzie wyjściowym tranzystora przy polaryzacji zaporowej. 4. Podać definicję współczynnika CMRR Współczynnik tłumienia sygnału współbieżnego. Jest to stosunek wzmacniania sygnału różnicowego do wzmacniania sygnału współbieżnego. 8. najprostszy schemat zastępczy wzmacniacza operacyjnego 9. Dla przykładu podanego na rysunku poniżej oblicz punkt pracy. RB=1M Ω , RC=5k Ω , UCC=12 V, β=200. UBE +JBRB -UCC=0 JB = UCC- UBE/RB=12-0,7/11M Ω =10 JC= beta* JB=200*10=2mA UCE= UCC- JCRB=12-2mA*5=12-10=2V JC=2mA UCE=2V 9. Dla przykładu podanego na rysunku poniżej oblicz wartości rezystorów RC i RB UCE=5V, IC=1mA, RE=1k, UBB=5V, UCC=12V, beta=200 Ie~Ic Ure=Re*Ie=1000*0,001=1V Urc=Ucc-Uce-Ure=12-5-1=6V Rc=Urc/Ic=6/0,001=6000 ohm Zakladam ze zlacze be jest w stanie przewodzenia i Ube=0,7 V Urb=Ubb-Ube-Ure=5-0,7-1=3,3V Ib=Ic/beta=0,001/200=0,000005 Rb=Urb/Ib=3,3/0,000005=660000 Ω 10. Wzory: 10.Dioda półprzewodnikowa jest opisana równaniem Shockley`a z parametrami Io=8 ρA, η=1 i pracuje w temperaturze T=293 K. Zakładając, że dioda jest spolaryzowana napięciem Uf=0.5 V, wyznaczyć prąd If. If=I`s (exp (qU)/ηkT) gdzie: U- napięcie polaryzacji T - temperatura[K] k - stała Boltzmanna - 8.62*10^-5 eV/K q - 1.6 *10^-19C If - prąd diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia 8pA $$\mathbf{I}_{\mathbf{F}}\mathbf{=}\mathbf{I}_{\mathbf{0}}\mathbf{(exp}\left( \frac{\mathbf{\text{qU}}}{\mathbf{\text{nkT}}} \right)\mathbf{- 1}$$ $$\mathbf{Rs =}\frac{\mathbf{U}_{\mathbf{F}}}{\mathbf{I}_{\mathbf{F}}}$$ $$\mathbf{Gs =}\frac{\mathbf{I}_{\mathbf{F}}}{\mathbf{U}_{\mathbf{F}}}$$ $$\mathbf{gd =}\frac{\mathbf{I}_{\mathbf{0}}\mathbf{+}\mathbf{I}_{\mathbf{F}}}{\mathbf{n}\mathbf{U}_{\mathbf{T}}}$$ 11. Podaj polaryzacje elektrod tranzystora bipolarnego dla stanu inwersyjnego złącze EB (BE) – zaporowo złącze BC (CB) – przewodzenia 11. Podaj polaryzacje elektrod tranzystora bipolarnego dla stanu nasycenia złącze EB (BE) – przewodzenia złącze BC (CB) – przewodzenia 11. Podaj polaryzacje elektrod tranzystora bipolarnego dla stanu aktywnego normalnego (przewodzenia) złącze EB (BE) – przewodzenia złącze BC (CB) – zaporowo 11. Podaj polaryzacje elektrod tranzystora bipolarnego dla stanu zatkania złącze EB (BE) – zaporowo złącze BC (CB) – zaporowo 11. Podaj warunki dla zakresu zatkania w tranzystorz JFET UGS = UD, UDS>|UP| 14. Narysuj układ źródła prądowego na tranzystorze bipolarnym. ? 14. Narysuj układ polaryzacji tranzystora unipolarnego z zerowym napięciem UGS. 15. Narysuj układ lustra prądowego na tranzystorach bipolarnych 15. Narysuj tranzystor bipolarny w układzie klucza 15. Narysuj tranzystor bipolarny w układzie Darlingtona 15. Narysuj układ przesuwania napięcia stałego 15. Narysuj strukturę półprzewodnikową fototranzystora. 15. Narysuj potencjometryczny układ polaryzacji tranzystora unipolarnego.	4. Schemat blokowy generatora 5. W półprzewodniku typu „n” nośnikami większościowymi są elektrony 5. W półprzewodniku typu „n” nośnikami mniejszościowymi są dziury 5. W półprzewodniku typu „p” nośnikami większościowymi są dziury 5. W półprzewodniku typu „p” nośnikami mniejszościowymi są elektrony 5. Przez pn oznaczamy koncentrację dziur w półprzewodniku donorowym 5. Przez pp oznaczamy koncentrację dziur w półprzewodniku akceptorowym 5. Przez np oznaczamy koncentrację elektronów w półprzewodniku akceptorowym 6. W półprzewodniku typu „n” ruchome nośniki ładunku to elektrony 6. W półprzewodniku typu „n” nieruchome atomy domieszki dominującej to jony donorowe 6. W półprzewodniku typu „p” ruchome nośniki ładunku to dziury 6. W półprzewodniku typu „p” nieruchome atomy domieszki dominującej to akceptory. 6. Przez Nd oznaczamy koncentrację atomów domieszki donorowej 6. Przez Na oznaczamy koncentrację atomów domieszki akceptorowej. 7. Narysuj model pasmowy złącza p-n w stanie równowagi termodynamicznej 7. Narysuj model pasmowy złącza p-n spolaryzowanego w kierunku zaporowym 7. Narysuj model pasmowy złącza p-n spolaryzowanego w kierunku przewodzenia 7. Narysuj model pasmowy złącza metal-półprzewodnik w stanie równowagi termodynamicznej. 12. Narysuj symbol graficzny tranzystora MOS z kanałem wbudowanym typu „p” i „n” 12. Narysuj symbol graficzny tranzystora MOS z kanałem indukowanym typu „n” i „p” 12. Narysuj symbol graficzny tranzystora JFET z kanałem indukowanym typu „n” i „p” 12. Narysuj symbol graficzny tranzystora MOS typu p i n zubażany i wzbogacany 13. Narysuj charakterystykę wyjściową dla tranzystora pracującego w układzie jak na rysunku Wspólna baza 15. Podaj zależność między współczynnikami wzmocnienia prądowego B i a. B = a/(1-a), a = B/(1+B) 16. Narysuj układ polaryzacji tranzystora ze stałym prądem emitera 16. Narysuj układ polaryzacji tranzystora ze stałym prądem bazy 16. Narysuj układ polaryzacji tranzystora ze sprzężeniem kolektorowym 16. Podaj definicję współczynnika wzmocnienia prądowego B. B= IC/IB 16. Narysuj schemat zastępczy diody liniowy dynamiczny dla m.cz. 17. Podaj def. dolnej częstotliwości granicznej wzmacniacza fT – jest to częstotliwość dla które moduł wzmacniacza, wzmacniacz pada do wartość 0 dB, odpowiada to wartości wzmocnienia. 17. Podaj def. górnej częstotliwości granicznej wzmacniacza Jest to częstotliwość dla której moduł, wzmacniania wzmacniacza spada do 3 dB w stosunku wartści max. 17. Podaj def. współczynnika prądowego h21e Stosunek prądu wyjściowego do wejściowego . h21e=Ic/Ib. 17. Narysuj schemat zastępczy hybryd pi m.cz. dla tranzystora bipolarnego 18. Narysuj schemat zastępczy hybryd pi m.cz. dla tranzystora unipolarnego 20. Narysuj tranzystor bipolarny w układzie WB