1. 0 dB to: A) 1 V/V 2. Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza z zamkniętą pętlą sprzężenia zwrotnego będzie płaska a przeregulowanie odpowiedzi impulsowej nie przekroczy 5% jeżeli dla fn=(dla której dodatkowe przesunięcie fazowe wynosi 180°): C) |k*β|≤0,2 3. Dla tranzystora pnp pracującego w stanie aktywnym w układzie OE zachodzi związek między potencjałami: A) Ve>Vb>Vc 4. Dodanie rezystora Rz między emiter a masę dla tranzystora pracującego w stanie aktywnym w układzie OE powoduje: B) spadek Ic i Ib 5. Działanie układu SPF polega na: A) Wykrywaniu i korygowaniu niewielkich różnic przesunięcia fazowego i częstotliwości sygnału wejściowego i wyjściowego 6. Dekada jest to: C) Różnica częstotliwości o 10 razy 7. Dioda Zenera jest elementem: B) Nieliniowym 8. Dioda Zenera: C) W kierunku przewodzenia zachowuje się jak zwykła dioda 9. Dla poprawnego spolaryzowania tranzystora w układzie OB.: A) Największa jest wartość prądu emitera 10. Energia aktywacji półprzewodnika wynosi: A) <2eV 11. Idealny wzmacniacz operacyjny charakteryzuje się: C) Rezystancją wejściową różnicową równą ∞ 12. Idealna dioda prostownicza charakteryzuje się: A) Napięciem w kierunku przewodzenia =0 i prądem wstecznym =0 13. Kryterium Nyguista mówi, że układ ze sprzężeniem zwrotnym jest niestabilny gdy na płaszczyźnie zespolonej wykres iloczynu k*β przy zmianie częstotliwości -∞ do ∞ przechodzi lub go obejmuje punkt: A) (1, j0) 14. Najlepsza jakość stabilizacji diody Zenera występuje dla rezystancji dynamicznej równej: A) 0Ω 15. Największym wzmocnieniem mocy charakteryzuje się układ: A) OE 16. Napięcie stabilizacji diody Zenera: C) Jest to napięcie wsteczne nie niszczące diody 17. Parametr h11 jest to: A) rezystancja (impedancja) wejściowa 18. Prąd wpływający do wejść idealnego wzmacniacza operacyjnego zależy od: C) Jego wartość wynosi zero 19. Przestrajanie generatora poprzez jednoczesną zmianę pojemności w czwórniku drabinkowym RC zapewnia: A) Stałość współczynnika sprzężenia zwrotnego w trakcie przestrajania 20. Przybliżony czas przetwarzania sygnału analogowego na cyfrowy w n-bitowym przetworniku iteracyjnym (z kompensacją wagową) wynosi: B) Nt 21. Powierzchnia (pole) wzmocnienia jest to: A) iloczyn wzmocnienia i częstotliwości granicznej 22. Przewodzenie prądu w półprzewodniku samoistnym odbywa się w skutek przepływu: C) Dziur i elektronów 23. Przy wzroście temperatury rezystywność półprzewodnika: B) Szybko maleje 24. Pole elektryczne i bariera potencjałów w złączu półprzewodnikowym: C) hamują dyfuzję nośników większościowych i wspomagają dryft nośników mniejszościowych 25. Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n zewnętrzne źródło napięcia powoduje: A) Wzrost natężenia wewnętrznego pola elektrycznego, który wywołuje silne ograniczenie prądów dyfuzyjnych nośników większościowych i jednoczesny nieznaczny wzrost prądów dryftu nośników mniejszościowych 26. Połączone równolegle diody w celu zwiększenia obciążalności prądowej diody powinny mieć: B) identyczne charakterystyki w kierunku przewodzenia 27. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej: C) zależy od pochodnej napięcia względem prądu 28. Stan nasycenia tranzystora występuje gdy: C) Obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia 29. Tranzystor jest: A) Bipolarny-trójnikiem 30. Układ jest stabilny, jeżeli charakterystyka amplitudowa pętli sprzężenia zwrotnego przy częstotliwości odpowiadającej wzmocnieniu jednostkowemu |k*β|=1 ma nachylenie mniejsze niż: B) 40dB/dek 31. Wzmacniacz operacyjny pracujący w klasycznym układzie nieodwracającym ma wzmocnienie napięciowe: C) Ku=1 32. W filtrze Bessela charakterystyka opóźnienia grupowego jest aproksymowana funkcją: A) Bulterwortha 33. Warunek konieczny generacji drgań to: C) Warunek amplitudy i fazy 34. Wzmocnienie równe 20dB oznacza: B) Wzmocnienie sygnału wejściowego 35. Wzmocnienie równe 10dB oznacza: A)Wzmocnienie mocy równe 10 36. W zakresie pracy aktywnej: C) Złącze B-C polaryzacja zaporowa, złącze B-E polaryzacja przewodzenia 37. Wzmacniacz o wzmocnieniu k z czwórnikiem sprzężenia zwrotnego o transmitancji β może być niestabilny gdy wzmocnienie pętli: B) |k*β|→1 38. Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym: C) Wzmacnia lub tłumi sygnał różnicowy 39. Zaznaczony na poniższej logarytmicznej skali częstotliwości punkt fx odpowiada częstotliwości: B) 40. Zależność prądu diody prostowniczej od napięcia polaryzującego ją w kierunku przewodzenia jest: C) Wykładnicza 41. Zależność między parametrami α i β dla tranzystora jest następująca: A) $\alpha = \frac{\beta}{\beta + 1}$ 42. Zaletą opisu tranzystora za pomocą równań hybrydowych jest: B) łatwość pomiaru współczynników macierzy [b] 43. Zastępczy model tranzystora dla prądu zmiennego obowiązuje: A) Dla tranzystora spolaryzowanego dowolnie (stan zatkania, nasycenia)
1. 0 dB to: A) 1 V/V 2. Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza z zamkniętą pętlą sprzężenia zwrotnego będzie płaska a przeregulowanie odpowiedzi impulsowej nie przekroczy 5% jeżeli dla fn=(dla której dodatkowe przesunięcie fazowe wynosi 180°): C) |k*β|≤0,2 3. Dla tranzystora pnp pracującego w stanie aktywnym w układzie OE zachodzi związek między potencjałami: A) Ve>Vb>Vc 4. Dodanie rezystora Rz między emiter a masę dla tranzystora pracującego w stanie aktywnym w układzie OE powoduje: B) spadek Ic i Ib 5. Działanie układu SPF polega na: A) Wykrywaniu i korygowaniu niewielkich różnic przesunięcia fazowego i częstotliwości sygnału wejściowego i wyjściowego 6. Dekada jest to: C) Różnica częstotliwości o 10 razy 7. Dioda Zenera jest elementem: B) Nieliniowym 8. Dioda Zenera: C) W kierunku przewodzenia zachowuje się jak zwykła dioda 9. Dla poprawnego spolaryzowania tranzystora w układzie OB.: A) Największa jest wartość prądu emitera 10. Energia aktywacji półprzewodnika wynosi: A) <2eV 11. Idealny wzmacniacz operacyjny charakteryzuje się: C) Rezystancją wejściową różnicową równą ∞ 12. Idealna dioda prostownicza charakteryzuje się: A) Napięciem w kierunku przewodzenia =0 i prądem wstecznym =0 13. Kryterium Nyguista mówi, że układ ze sprzężeniem zwrotnym jest niestabilny gdy na płaszczyźnie zespolonej wykres iloczynu k*β przy zmianie częstotliwości -∞ do ∞ przechodzi lub go obejmuje punkt: A) (1, j0) 14. Najlepsza jakość stabilizacji diody Zenera występuje dla rezystancji dynamicznej równej: A) 0Ω 15. Największym wzmocnieniem mocy charakteryzuje się układ: A) OE 16. Napięcie stabilizacji diody Zenera: C) Jest to napięcie wsteczne nie niszczące diody 17. Parametr h11 jest to: A) rezystancja (impedancja) wejściowa 18. Prąd wpływający do wejść idealnego wzmacniacza operacyjnego zależy od: C) Jego wartość wynosi zero 19. Przestrajanie generatora poprzez jednoczesną zmianę pojemności w czwórniku drabinkowym RC zapewnia: A) Stałość współczynnika sprzężenia zwrotnego w trakcie przestrajania 20. Przybliżony czas przetwarzania sygnału analogowego na cyfrowy w n-bitowym przetworniku iteracyjnym (z kompensacją wagową) wynosi: B) Nt 21. Powierzchnia (pole) wzmocnienia jest to: A) iloczyn wzmocnienia i częstotliwości granicznej 22. Przewodzenie prądu w półprzewodniku samoistnym odbywa się w skutek przepływu: C) Dziur i elektronów 23. Przy wzroście temperatury rezystywność półprzewodnika: B) Szybko maleje 24. Pole elektryczne i bariera potencjałów w złączu półprzewodnikowym: C) hamują dyfuzję nośników większościowych i wspomagają dryft nośników mniejszościowych 25. Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n zewnętrzne źródło napięcia powoduje: A) Wzrost natężenia wewnętrznego pola elektrycznego, który wywołuje silne ograniczenie prądów dyfuzyjnych nośników większościowych i jednoczesny nieznaczny wzrost prądów dryftu nośników mniejszościowych 26. Połączone równolegle diody w celu zwiększenia obciążalności prądowej diody powinny mieć: B) identyczne charakterystyki w kierunku przewodzenia 27. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej: C) zależy od pochodnej napięcia względem prądu 28. Stan nasycenia tranzystora występuje gdy: C) Obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia 29. Tranzystor jest: A) Bipolarny-trójnikiem 30. Układ jest stabilny, jeżeli charakterystyka amplitudowa pętli sprzężenia zwrotnego przy częstotliwości odpowiadającej wzmocnieniu jednostkowemu |k*β|=1 ma nachylenie mniejsze niż: B) 40dB/dek 31. Wzmacniacz operacyjny pracujący w klasycznym układzie nieodwracającym ma wzmocnienie napięciowe: C) Ku=1 32. W filtrze Bessela charakterystyka opóźnienia grupowego jest aproksymowana funkcją: A) Bulterwortha 33. Warunek konieczny generacji drgań to: C) Warunek amplitudy i fazy 34. Wzmocnienie równe 20dB oznacza: B) Wzmocnienie sygnału wejściowego 35. Wzmocnienie równe 10dB oznacza: A)Wzmocnienie mocy równe 10 36. W zakresie pracy aktywnej: C) Złącze B-C polaryzacja zaporowa, złącze B-E polaryzacja przewodzenia 37. Wzmacniacz o wzmocnieniu k z czwórnikiem sprzężenia zwrotnego o transmitancji β może być niestabilny gdy wzmocnienie pętli: B) |k*β|→1 38. Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym: C) Wzmacnia lub tłumi sygnał różnicowy 39. Zaznaczony na poniższej logarytmicznej skali częstotliwości punkt fx odpowiada częstotliwości: B) 40. Zależność prądu diody prostowniczej od napięcia polaryzującego ją w kierunku przewodzenia jest: C) Wykładnicza 41. Zależność między parametrami α i β dla tranzystora jest następująca: A) $\alpha = \frac{\beta}{\beta + 1}$ 42. Zaletą opisu tranzystora za pomocą równań hybrydowych jest: B) łatwość pomiaru współczynników macierzy [b] 43. Zastępczy model tranzystora dla prądu zmiennego obowiązuje: A) Dla tranzystora spolaryzowanego dowolnie (stan zatkania, nasycenia)
-Niezaleznosc parametrow od temp. –brak napieć niezrównoważenia –zerowy prad wejściowy –nieskonczenie duzy dopuszczalny prad wyjściowy –wzmonienie idealne roznicowe –impendancja wyjsciowa rowna zeru –nieskonczenie duza impedancja wejsciowa –rowne wzmocnienie w calem pasmie przenoszonych sygnałow –nieskonczenie szerokie pasmo przenoszonych częstotliwości –nieskonczenie duze wzmocnienie napięciowe roznicowe przy otwartej petli ujemnego sprzężenia zwrotnego –wzmocnienie idealne roznicowe, a wiec nieskonczenie duze tłumienie sygnalu sumacyjnego