Przemysław Załucki 181424 17-11-2010
Laboratorium Podstaw Elektroniki –
,,Badanie charakterystyki elementów półprzewodnikowych”
Schemat stanowiska:
Diody półprzewodnikowej włączonej do obwodu w kierunku przewodzenia,
Diody półprzewodnikowej włączonej do obwodu w kierunku zaporowym,
Diody Zenera włączonej do obwodu w kierunku przewodzenia,
Diody Zenera włączonej do obwodu w kierunku zaporowym.
Do badania charakterystyk statycznych tranzystora
Tabele pomiarów:
Diody
Dioda półprzewodnikowa D1 | Dioda Zenera D2 | |
---|---|---|
kierunek przewodzenia | kierunek zaporowy | kierunek przewodzenia |
UF | IF | UR |
V | mA | V |
0,39 | 0,0 | 1,25 |
0,65 | 5,0 | 2,30 |
0,69 | 9,9 | 3,46 |
0,71 | 15,0 | 4,50 |
0,73 | 20,0 | 5,67 |
0,75 | 25,2 | 6,60 |
0,76 | 30,1 | 7,24 |
0,77 | 35,0 | |
0,78 | 39,8 | |
0,79 | 45,0 | |
0,80 | 49,9 | |
0,81 | 55,2 | |
0,82 | 60,1 | |
0,83 | 65,1 | |
0,83 | 70,1 | |
0,83 | 74,0 |
Tranzystory
Charakterystyka wejściowa | Charakterystyka wyjściowa | Charakterystyka przejściowa |
---|---|---|
IB | UBE | IC |
mA | V | mA |
0,000 | 0,37 | 0,0 |
0,056 | 0,63 | 10,5 |
0,105 | 0,65 | 19,9 |
0,149 | 0,67 | 29,8 |
0,201 | 0,68 | 39,6 |
0,252 | 0,69 | 50,1 |
0,297 | 0,70 | 60,2 |
0,351 | 0,70 | 71,0 |
0,405 | 0,71 | 80,8 |
0,452 | 0,72 | 88,6 |
0,502 | 0,72 |
Tabele wyników:
Obliczony współczynnik wzmocnienia prądowego hFE
IB | IC | hFE |
---|---|---|
mA | mA | |
0,049 | 17,0 | 346,94 |
0,099 | 33,5 | 338,38 |
0,152 | 48,5 | 319,08 |
0,201 | 58,2 | 289,55 |
0,250 | 65,4 | 261,60 |
0,302 | 71,2 | 235,76 |
0,355 | 76,1 | 214,37 |
0,406 | 80,1 | 197,29 |
0,450 | 82,9 | 184,22 |
0,503 | 86,1 | 171,17 |
Przykładowe obliczenia
IC = hFE • IB
$$h_{\text{FE}} = \frac{I_{C}}{I_{B}} = \frac{71,2}{0,302} \approx 235,76$$
Wykresy
Wykres 5.1 Charakterystyka statyczna diody półprzewodnikowej D1
Wykres 5.2 Charakterystyka statyczna diody Zenera D2
Wykres 5.3 Charakterystyka wejściowa tranzystora
Wykres 5.4 Charakterystyka wyjściowa tranzystora
Wykres 5.5 Charakterystyka przejściowa tranzystora
Wykres 5.6 Zależność współczynnika wzmocnienia prądowego od prądu bazy.
Wnioski
Dla diody półprzewodnikowej D1 natężenie prądu w kierunku przewodzenia rośnie wraz ze wzrostem napięcia. Natomiast w kierunku zaporowym jest znikome, dlatego aby zauważyć różnice natężenia użyto mikroamperomierz. Dioda ta nie przewodzi praktycznie prądu w kierunku zaporowym. Dioda Zenera D2 działa w pewnym zakresie podobnie jak dioda prostownicza- do uzyskania napięcia Zenera(przebicia). Na diodzie Zenera dużym zmianom prądu, towarzyszą niewielkie zmiany napięcia. Można przyjać, że to napięcie jest stałe. Zatem dioda ta wykazuje właściwości stabilizujące.
Z wykresu charakterystyki wyjściowej wynika, że ma ona charakter logarytmiczny, natomiast charakterystyka wejściowa ma charakter wykładniczy. Na zależność prądu kolektora od prądu bazy wpływ ma współczynnik wzmocnienia prądowego. Współczynnik ten może przyjmować wartość od 50 do 300 A/A. W moich pomiarach współczynnik ten osiągnął wartości niemalże 350 . Błąd ten może wynikać z trudności dokładnego odczytania wartości natężeń, ze względu na dużą czułość potencjometru.