Badanie wzmacniacza bipolarnego w układzie wspólnego kolektora OE

  1. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem wzmacniacza w układzie wspólnego emitera. Układ umożliwia:

  1. Wstęp teoretyczny

Wzmacniaczem elektronicznym nazywamy urządzenie służące do zwielo­krotnienia (wzmocnienia ) sygnałów elektrycznych (napięcie, prąd lub moc ) . W tym celu doprowadza się do wejścia wzmacniacza sygnały elektr­yczne , a na wyjściu otrzymuje się sygnały wzmocnione .

W zależności od charakteru wzmocnionego sygnału elektrycznego rozróżnia się wzmacniacze:

Ze względu na postać wzmacnianych sygnałów, wzmacniacze dzielimy na :

W zależności od wzmacnianego pasma częstotliwości, wzmacniacze sygna­łów sinusoidalnych dzielimy na :

W zależności od rodzaju sygnałów elektrycznych, wzmacniacze dzielimy na :

Układ wzmacniacza może być :

Dla wszystkich typów wzmacniaczy istnieją pojęcia punktu pracy, charak­terystyki statycznej, charakterystyki dynamicznej .

Klasy pracy wzmacniaczy:

Wzmacniaczem jednostopniowym lub stopniem wzmacniacza nazywa się podstawowy zespół elementów służących do wzmacniania .

Jeżeli wzmacniacz jednostopniowy nie daje wymaganego wzmocnienia, to stosuje się większą liczbę takich wzmacniaczy połączonych kaskadowo. Jest to wzmacniacz wielostopniowy.

Wzmacniacze sygnałów zmiennych dzielimy na :

Wzmacniacze m.cz. dzieli się na :

Wzmacniacze m.cz. małych sygnałów, są to wzmacniacze, w których amp­litudy wzmacnianych przebiegów są tak małe, że przy wyborze punktu pra­cy nie uwzględnia się zakrzywień charakterystyk tranzystorów lub lamp . Amplitudy wzmacnianych napięć i prądów są wielokrotnie mniejsze od na­pięć i prądów zasilających. W tego typu wzmacniaczach dąży się do uzys­kania dużego wzmocnienia i małych szumów. Problem dopasowania nie jest w tych układach najważniejszy, a stabilizacja termiczna jest łatwa w realizacji, Zniekształcenia w tych wzmacniaczach są pomijalnie małe . Wzmacniacze m.cz. dużych sygnałów to takie, w których amplitudy wzma­cnianych przebiegów są niewiele mniejsze od napięć i prądów zasilających.

Podstawowe parametry wzmacniaczy:

Wielkościami charakteryzującymi wzmacniacze są :

Współczynnik wzmocnienia napięciowego ( Ku ) określa , ile razy napięcie wyjściowe Uwy jest większe od napięcia wejściowego Uwe. Jest on w ogól­nym przypadku liczbą zespoloną , dlatego najczęściej podaje się moduł wz­mocnienia .

Ku = Uwy / Uwe

Współczynnik wzmocnienia prądowego ( Ki) określa ile razy wyjściowy prąd Iwy jest większy od prądu wejściowego Iwe

KI = Iwy / Iwe

Współczynnik wzmocnienia mocy jest to iloraz mocy wydzielonej w obwodzie wyjściowym Pwy wzmacniacza do mocy dostarczonej Pdos, przez źródło sygnału do obwodu wejściowego wzmacniacza.

Kp = Pwy / Pdos

Zniekształcenia liniowe to zniekształcenia powodujące , ze w pewnym okre­ślonym paśmie przenoszenia nie wszystkie sygnały o różnych częstotliwo­ściach będą jednakowo wzmacniane Zniekształcenia te określają chara­kterystyki częstotliwościowe. Charakterystyki częstotliwościowe to:

Rys. 1 . Charakterystyki częstotliwościowe : a) amplitudowo-częstotliwościowa h) fazowo-częstotliwościowa

Pasmo przenoszenia (B) jest równe różnicy częstotliwości roboczej górnej (fg) i dolnej (fd), których wartości wynikają z dopuszczalnych odchy­leń modułu wzmocnienia (Ku) i fazy .

B = fg - fd

Częstotliwość graniczna jest to taka częstotliwość, przy której wzmocnienie zmniejsza się dwa razy. Tej wartości odpowiada spadek wzmocnienia o 3 dB w stosunku do częstotliwości środkowej fo.

Zniekształcenia nieliniowe wzmacniacza polegają na tym, że na wyjściu wzmacniacza pojawiają się częstotliwości, których nie było na wejściu. Wartość zniekształceń nieliniowych określa współczynnik zniekształceń (h); jest on równy stosunkowi wartości skutecznej pełnego przebiegu tego sygnału


$$h = \sqrt{\frac{U_{2} + U_{3} + \ldots}{{U_{1} + U}_{2} + U_{3} + \ldots}} \bullet 100\%\ $$

gdzie : U1 - amplituda pierwszej harmonicznej

U2 - amplituda drugiej harmonicznej

U3 - amplituda trzeciej harmonicznej

Współczynnik zniekształceń nieliniowych ulega zmianom jak pokazuje rys. 2 .

Rys. 2 . Zależność współczynnika h od częstotliwości i napięcia wejściowego

Ważnym parametrem jest napięcie wyjściowe Uwy i moc wyjściowa uzyski­wana na wyjściu wzmacniacza przy obciążeniu go mocą znamionową . Napięcie wyjściowe jest to napięcie zbierane na wyjściu wzmacniacza.

Moc wyjściowa - moc otrzymana na wyjściu układu.

Sprawność układu - stosunek całkowitej mocy dostarczonej do układu do mocy otrzymanej na wyjściu .

Podstawowe układy pracy wzmacniaczy

Wzmacniacze buduje się w oparciu o tranzystory . W każdym z ty­ch elementów aktywnych wyróżnia się elektrodę sterującą , emitującą i od­bierającą ładunki elektryczne . Można więc podzielić wzmacniacze ze wspólną elektrodą sterującą, ze wspólną elektrodą emitującą i ze wspólną elektrodą odbierającą.

W tranzystorach bipolarnych odpowiednio:

a w tranzystorach unipolarnych

Dla określonych warunków pracy właściwości wzmacniaczy są podobne niezależnie od elementu aktywnego. Istotną sprawą natomiast jest w jakim układzie element ten pracuje (wspólna elektroda sterująca, elektroda emitująca, czy też wspólna elektroda odbierająca). Wybór elementu akty­wnego zależny jest od stawianych wymagań (zakresu częstotliwości, elimi­nacji zakłóceń oraz kosztów). Na rys.3 pokazano typowe układy wzma­cniaczy tranzystorowych .

Rys. 3. Układy wzmacniaczy tranzystorowych kolejno OE, OB, OC.

Układ o wspólnym emiterze OE

Jest najpowszechniej stosowaną konfiguracją tranzystora bipolarnego we wzmacniaczu małej częstotliwości (rys. 4). W tym układzie źródła stałych EC i EB służą do spolaryzowania złączy emiterowego i kolektorowego tranzystora tak, aby znajdował się on w stanie aktywnym. Sygnał wejściowy doprowadza się między bazę a emiter tranzystora, sygnał wyjściowy pobiera się z kolektora

Rys. 4. Wzmacniacz w układzie WE. a) schemat, b) ilustracja działania.

Do wejścia doprowadzamy napięcie UWE = ΔUBE o wartości dużo mniejszej niż UBE wynikające z polaryzacji tranzystora. Wskutek dołączenia tego napięcia nastąpi zmiana prądu bazy. Z prawa Ohma wynika:


$$I_{B} = \frac{U_{\text{BE}}}{r_{\text{be}}} = \frac{U_{\text{we}}}{r_{\text{be}}}$$

gdzie: rbe - rezystancja małosygnałowa baza-emiter tranzystora

Zmiana prądu bazy spowoduje zmianę prądu kolektora. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w zakresie aktywnym mają przebieg zbliżony do poziomu, dlatego też możemy przyjąć w przybliżeniu, że IC zależy tylko od IB, a nie zależy od UCE.

Korzystając z wzoru:


$$\left. \ \beta_{0} = \frac{I_{C}}{I_{B}}\text{\ \ \ \ } \right|\ \ U_{\text{CE}} \rightarrow 0$$

i podstawiając go do poprzedniego otrzymujemy:


$$I_{C} = \beta_{0}I_{B} = \beta_{0}\frac{U_{\text{we}}}{r_{\text{be}}}$$

β0 - małosygnałowy współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora pracującego w układzie WE

Korzystając z II prawa Kirchhoffa dla obwodu wyjściowego napięcie ma postać:


UCE = EC − ICRC

Zmiana prądu kolektora o ΔIC spowoduje zmianę tego napięcia o ΔUCE (przy stałych wartościach EC i RC). Zmiana ta jest sygnałem wyjściowym i wynosi:


$$U_{\text{wy}} = U_{\text{CE}} = - I_{C}R_{C} = - U_{\text{we}}\beta_{0}\frac{R_{C}}{r_{\text{be}}}$$

Wzmocnienie napięciowe układu ma postać:


$$k_{u} = \frac{U_{\text{wy}}}{U_{\text{we}}} = - \beta_{0}\frac{R_{C}}{r_{\text{be}}}$$

Jeżeli uwzględnimy zależność prądu IC od napięcia UCE to powyższy wzór przyjmie postać:


$$k_{u} = - \beta_{0}\frac{\left. \ R_{C} \right\| r_{\text{ce}}}{r_{\text{be}}}$$

 RCrce oznacza wartość równolegle połączonych rezystancji RC i rce. Znak minus świadczy o tym, że układ odwraca fazę sygnału wejściowego.

Rezystancja wejściowa rwe wzmacniacza w układzie WE składa się z równolegle połączonej rezystancji baza-emiter rbe tranzystora (rezystancji wejściowej tranzystora) i rezystancji obwodu polaryzacji bazy RB

rwe = rbe || RB

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza pracującego w układzie WE składa się z równolegle połączonej rezystancji kolektor-emiter rce tranzystora (rezystancji wyjściowej tranzystora) i rezystancji RC

rwy = rce || RC

Wzmocnienie prądowe zależy od rezystancji obciążenia R0 i ma postać:


$$k_{i} = - \beta_{0}\frac{r_{\text{wy}}}{r_{\text{wy}} + R_{0}}$$

gdy R0 = 0 to wówczas ki = - Β0.

Sygnał wejściowy również może być zmienny w czasie. W takim przypadku prądy i napięcia tranzystora zawierają składowe stałe związane z polaryzacją i nałożone na nie dużo mniejsze składowe zmienne, związane z przenoszeniem sygnału. Podane zależności obowiązują również dla wartości skutecznych i maksymalnych składowych zmiennych.

Sygnały zmienne często doprowadza się do wzmacniacza przez kondensator CB, a obciążenie dołącza się przez kondensator CC (rys. powyżej, linie kreskowe). Kondensatory sprzęgające CB i CC pozwalają odseparować składowe zmienne od składowych stałych. Reaktancje tych kondensatorów w paśmie przenoszenia wzmacniacza są bardzo małe; dla sygnałów zmiennych stanowią one "zwarcie".

Działanie wzmacniacza przy sygnale wejściowym sinusoidalnym pokazano na rysunku powyżej (podpunkt b). Punkt Q jest punktem pracy układu. Jego położenie zależy od wartości prądów i napięć polaryzujących (stałych).

Właściwości układu o wspólnym emiterze OE:

  1. Opis stanowiska do badania wzmacniacza OE

W skład stanowiska laboratoryjnego wchodzą :

Rys. 5. Schemat pomiarowy stanowiska laboratoryjnego.

Wzmacniacz OE z jednym źródłem zasilania jest jednostopniowym wzmacniaczem opartym o tranzystor BC 107 B, zasilanym z jednego źródła napięcia. Zmiana rezystancji Rc iRb2 (patrz płyta czołowa) spełniają rolę rezystancji polaryzacji tranzystora. Zmiana rezystancji Rc i Rb2 powoduje również zmianę punktu pracy wzmacniacza oraz zmianę wzmocnienia i zniekształceń nieliniowych. Zmiana rezystancji Rc jest równoważna ze zmianą nachylenia prostej obciążenia (statycznej i dynamicznej), rezystancji Rc umożliwia dodatkowo zmianę wzmocnień układu.

Rys. 6. Schemat ideowy wzmacniacza OE

Wzmacniacz został obciążony wtórnikiem emiterowym, który ma za zadanie chronić badany układ przed ewentualnymi zwarciami na wyj­ściu układu. Kondensatory C1 i C2 oddzielają tylko składową stałą. Schemat zasilacza stanowiska przedstawiono na rys.7.

Rys. 7. Schemat zasilacza stanowiska laboratoryjnego

Rys. 8. Schemat blokowy stanowiska.

Rys. 9. Płyta czołowa i tylna stanowiska

  1. Isostat sieciowy

  2. Kontrolka sieci

  3. Gniazdo uziemienia Bezpiecznik

  4. Gniazdo kabla sieciowego

  5. Zmiana rezystancji Rb

  6. Zmiana rezystancji Rc

  7. Gniazda do pomiaru napięć na tranzystorze

  8. Gniazda do pomiaru rezystancji wejściowej

  9. Gniazdo do pomiaru, napięcia wejściowego

  10. Gniazdo do pomiaru napięcia wyjściowego

  11. Gniazdo wejściowe BNC

  12. Gniazdo wyjściowe BNC

5. Badanie wzmacniacza bipolarnego w układzie wspólnego emitera OE

5.1. Wybór punktu pracy tranzystora.

Wybór punktu pracy wzmacniacza pracującego w klasie A polega na tym, że znajdujemy rezystancje dla których napięcie na kolektorze spełnia zależność:

Uc = 1/2 Ec

Zmieniając odpowiednio kombinacje rezystancji Rc I Rb mierzymy napięcie na kolektorze. Z poniższej tabeli wynik zbliżony do połowy napięcia zasilającego Ec wskazuje nam punkt pracy kl A.

Rc [kΩ] Rb [kΩ] Uc [V]

Ec = 12 V

5.2. Wyznaczenie charakterystyki przejściowej.

Wyznaczenie charakterystyki przejściowej polega na pomiarze napięcia wyjściowego przy zmianie napięcia wejściowego. Pomiary dla wzmacniaczy m.cz. należy dokonać przy f=1 kHz. Układ do wyznaczenia charakterystyki przejściowej przedstawiono na rys.10.

Rys.10. Schemat układu pomiarowego do wyznaczania charakterystyki przejściowej

Wyniki zapisujemy w poniższych tabelach. Charakterystyka przejściom służy do wyznaczania poziomu napięcia wejściowego, wartość napięcia wejściowego musi być taka abyśmy pracowali w prostoliniowej części przejściowej.

5.3 Wyznaczenie charakterystyki amplitudowo-częstotliwościowej.

Schemat układu pomiarowego przedstawia rys.11

Rys. 11. Schemat układu do wyznaczania charakterystyki amplitudowo-częstotliwościowej.

Pomiar polega na odczytaniu napięcia wyjściowego przy stałej wartości napięcia wejściowego. Poziom napięcia wejściowego wyzna­czany z charakterystyki przejściowej zmienia się w granicach od 50 Hz do 500 kHz. Wyniki pomiarów zapisujemy w poniższej tabeli dla Uwe=100 mV, f= 5Hz - 2 MHz

5.4. Pomiar rezystancji wejściowej.

Schemat układu pomiarowego do obliczania rezystancji wejściowej wzmacniacza przedstawiono na rys.12.

Rys.12. Schemat układu pomiarowego do obliczania rezystancji wejściowej

Powyższy układ możemy zastąpić układem zastępczym.

Rys. 13. Układ zastępczy wyjaśniający zasadę pomiaru rezystancji.

Jeżeli pominiemy rezystancję wewnętrzną generatora Rg to stosunek napięć Uc i Uwe będzie się przedstawiał następująco:


$$\frac{U_{g}}{U_{\text{we}}} = \frac{R_{d} + U_{\text{we}}}{U_{\text{we}}}$$

Jeżeli ponadto będziemy dysponowali rezystorem dodatkowym Rd o zmiennej wartości , to można ustawić tej rezystancji, że stosunek Uc/Uwe = 2 co daje bezpośrednio:


$$R_{\text{we}} = R_{d}\frac{U_{\text{we}}}{U_{g} - U_{\text{we}}}$$


Rwe = Rd

A więc wystarczy odczytać wskazania woltomierza mierzącego Uc przed dodatkowym rezystorem Rd i następnie odczytać Uwe przy odpowiednim nastawie tego rezystora. Pomiar Rwe przeprowadza się przy R0=oo

  1. Opracowanie sprawozdania.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie wzmacniacza bipolarnego w układzie wspólnego kolektora OC
Badanie wzmacniacza tranzystorowego w układzie OE, ZSE nr
Badanie wzmacniaczy tranzystorowych w układzie OE, OB,OC
Badanie wzmacniacza tranzystorowego w ukladzie kaskadowym [ćw] 2006 01 22
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
, przyrządy półprzewodnikowe L, tranzystor bipolarny w układzie wzmacniacza małej częstotliwości
cw 2 badanie wzmacniaczy tranzystorowych w konfiguracjach OB,OE,OC
Badanie wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera doc
Pomiary wielkości elektrycznych Instrukcja do ćw 07 Badanie wzmacniacza operacyjnego pracującego w
cw 2 badanie wzmacniaczy tranzystorowych w konfiguracjach OB,OE,OC
Mój pierwszy wzmacniacz (na układzie TDA7056), cz 2
Badanie wzmacniaczy operacyjnyc Nieznany (2)
,elementy i układy elektroniczne I P, wzmacniacz tranzystorowy w układzie WE
badanie wzmacniaczy selektywnych
Badanie tranzystora bipolarnego
Badanie wzmacniacza operacyjnego
Badanie wzmacniaczy tranzystorowych
Badanie wzmacniacza ze sprzężeniem zwrotnym (Naprawiony)

więcej podobnych podstron