Jeśli zmniejszymy wzmocnienie układu wzmacniacza to jego pasmo przenoszenia częstotliwości:

A:rośnie

B: maleje

C: pozostaje stałe

D: zależy od amplitudy sygnału

Wzmacniacz operacyjny to układ scalony:

A: bardzo dużej skali integracji

B: cyfrowy, małej skali integracji

C: analogowy, małej skali integracji

D: optoelektroniczny

Wzmocnienie napięciowe wzmacniacza operacyjnego jest ustalone poprzez dobór:

A: wewnętrznych rezystancji w układzie scalonym

B: rezystancji obciążenia

C: zewnętrznego rezystora w sprzężeniu zwrotnym

D: wartości napięcia zasilania

Wzmacniacz różnicowy jest zbudowany:

A: z tranzystorów komplementarnych

B: z tranzystorów połączonych kolektorami

C: z tranzystorów połączonych emiterami

D: z tranzystorów połączonych bazami

Wzmocnienie prądowe Układu Darlingtona tranzystorów bipolarnych równe jest wzmocnieniu:
A: każdego tranzystora w tym układzie

B: iloczynowi wzmocnień tranzystorów

C: sumy wzmocnień tranzystorów
D: nie zależy od wzmocnienia tranzystorów

Wzmacniacz klasy – B:

A: wzmacnia sygnał pełny sinusoidalny

B: nie nadaje się do układów dużej mocy

C: nie wymaga zasilania

D: wzmacnia jedną połowę sinusoidy sygnału

Inweterter to układ:

A: o roznącym wzmocnieniu prądowym

B: wzmacniacza małych sygnałów

C: odwracający fazę sygnału

D: odwracający amplitudę sygnału

Typowe wartości stanów logicznych i napięcia zasilania układów TTL, to:

A: U_OL = 0.2V, U_IH = 3.5V, U_CC = 3.5V

B: U_OL = 0.2V, U_OH = 5V, U_CC = 5.5V

C: U_OL = 0.2V, U_OH = 3.5V, U_CC = 5V

U_OL = 0V, U_OH = 5V, U_CC = 5V

Moc tracona (wydzielana) w układach CMOS:

A: nie zależy od częstotliwości(f) pracy

B: rośnie z kwadratem f

C: rośnie liniowo z f

D: maleje liniowo z f

Tyrystor może być załączony za pomocą:

A: impulsu pola magnetycznego

B: impulu prądu bramki

C: zmianę napięcia polaryzacji

D: zmianę kierunku prądu

Dla polaryzacji w kierunku zaporowym prąd diody pod wpływem wzrostu temperatury:
A: zmniejsza się o około 10%/K

B: zmniejsza się o około 20%/K

C: zwiększa się o około 10%/K

D: zwiększa się o około 20%/K

Tranzystor w układzie wspólnego emitera ma wzmocnienie prądowe:
A: większe od 1

B: dokładnie równe 1

C: nieznacznie mniejsze od 1

D: zawsze mniejsze niż 0.9

W transformatorze p-n-p prąd emitera stanowi przede wszystkim:
A: dyfuzja elektronów do bazy

B: unoszenie dziur do emitera

C: unoszenie elektronów do bazy

D: dyfuzja dziur do bazy

Tranzystor w układzie wspólnego kolektora ma wzpocnienie napięciowe:

A: większe od 1

B: dokładnie równe 1

C: nieznacznie mniejsze od 1

D: zawsze mniejsze niż 0.9

Parametr małosygnałowy h₂₂ to inaczej:

A: rezystancja wejściowa

B: konduktancja wejściowa

C: rezystancja wyjściowa

D: konduktancja wyjściowa

Charakterystyki wyjściowe dla układu wspólnego emitera przedstawiają zależność:

A: I_C = f(U_CB ) dla I_E = const.

B: I_C = f(U_CE ) dla I_B = const.

A: I_C = f(I_E ) dla I_B = const.

A: I_C = f(I_B ) dla I_E = const.

Charakterystyki wejściowe dla układu wspólnej bazy przedstawiają zależność:

A: I_C = f(U_CB ) dla I_E = const.

B: U_CB = f(I_B ) dla U_EB = const.

C: U_EB = f(I_E) dla U_CB = const.

D: I_C = f(I_B ) dla I_E = const.

Częstotliwość graniczna (pasmo 3 dB) tranzystora bipolarnego będzie największa w układzie:

A: wspólnego kolektora

B: wspólnej bazy

C: wspólnego emitera

D: jest taka sama dla wszystkich konfiguracji

Aby tranzystor p-n-p pracował w trybie aktywnym jego złącza powinny być spolaryzowane:
A: C-B przewodzenie, E-B przewodzenie

B: C-B przewodzenie, E-B zaporowo

C: C-B zaporowo, E-B przewodzenie

D: C-B zaporowo, E-B zaporowo

Aby tranzystor n-p-n pracował w zakresie nasycenia jego złącza powinny być spolaryzowane:

A: C-B przewodzenie E-B przewodzenie

B: C-B zaporowo E-B przewodzenie

C: C-B przewodzenie E-B zaporowo

D: C-B zaporowo E-B zaporowo

Model zastępczy tranzystora Ehersa – Molla dla prądu stałego składa się z:

A: pojemności i rezystancji

B: diod i źródeł prądowych

C: diod i źródeł napięciowych

D: diod pojemnościowych