POLITECHNIKA POZNAŃSKA INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI PRZEMYSŁOWEJZakład Energoelektroniki i Sterowania |
|---|
Laboratorium Elektroniki i Energoelektroniki Temat ćwiczenia: Tranzystor polowy i układy jego pracy. |
Studia stacjonarne Nr grupy : MCH2 |
Uwagi : Brak.
|
Tranzystor polowy typu JFET
Charakterystyka przejściowa dla stałego UDS = 0,5 V.
| UDS [V] | UGS [V] | ID[mA] |
|---|---|---|
| 0,5 | -4,960 | 0,022 |
| 0,5 | -4,560 | 0,022 |
| 0,5 | -3,990 | 0,024 |
| 0,5 | -3,470 | 0,028 |
| 0,5 | -2,990 | 0,031 |
| 0,5 | -2,510 | 0,032 |
| 0,5 | -1,990 | 0,047 |
| 0,5 | -1,490 | 0,371 |
| 0,5 | -1,001 | 1,034 |
| 0,5 | -0,489 | 1,675 |
| 0,5 | -0,002 | 2,329 |
Charakterystyka wyjściowa dla stałego UGS = 0 V.
| UGS [V] | UDS [V] | ID [mA] |
|---|---|---|
| 0 | 0,003 | 0,018 |
| 0 | 0,050 | 0,281 |
| 0 | 0,097 | 0,537 |
| 0 | 0,147 | 0,797 |
| 0 | 0,196 | 1,047 |
| 0 | 0,252 | 1,328 |
| 0 | 0,298 | 1,544 |
| 0 | 0,351 | 1,791 |
| 0 | 0,398 | 1,994 |
| 0 | 0,503 | 2,429 |
| 0 | 0,595 | 2,776 |
| 0 | 0,653 | 2,987 |
Tranzystor polowy typu MOSFET.
Charakterystyka przejściowa dla stałego UDS = 0,5 V.
| UDS [V] | UGS [V] | ID[mA] |
|---|---|---|
| 0,5 | 0,050 | 0,032 |
| 0,5 | 0,148 | 0,036 |
| 0,5 | 0,306 | 0,039 |
| 0,5 | 0,457 | 0,041 |
| 0,5 | 0,598 | 0,047 |
| 0,5 | 0,748 | 0,048 |
| 0,5 | 0,904 | 0,052 |
| 0,5 | 1,051 | 0,064 |
| 0,5 | 1,193 | 0,142 |
| 0,5 | 1,352 | 0,560 |
| 0,5 | 1,420 | 0,980 |
| 0,5 | 1,493 | 1,804 |
| 0,5 | 1,612 | 4,525 |
| 0,5 | 1,660 | 5,705 |
Charakterystyka wyjściowa dla stałego UGS = 0 V.
| UGS [V] | UDS [V] | ID [mA] |
|---|---|---|
| 1,5 | 0,030 | 0,128 |
| 1,5 | 0,049 | 0,765 |
| 1,5 | 0,100 | 1,400 |
| 1,5 | 0,145 | 1,613 |
| 1,5 | 0,201 | 1,751 |
| 1,5 | 0,247 | 1,817 |
| 1,5 | 0,291 | 1,864 |
| 1,5 | 0,387 | 1,925 |
| 1,5 | 0,633 | 2,002 |
| 1,5 | 1,036 | 2,120 |
| 1,5 | 4,040 | 2,317 |
| 1,5 | 6,260 | 2,449 |
| 1,5 | 8,770 | 2,622 |
Wnioski.
Celem ćwiczenia było zapoznanie się z działaniem tranzystora polowego i jego układów pracy. Podczas zajęć laboratoryjnych badane były dwa rodzaje tranzystorów polowych, typu JFET i MOSFET. Badane były dwie charakterystyki przejściowa i wyjściowa dla obu typów tranzystorów. Zauważalną różnicą pomiędzy tymi rodzajami tranzystorów jest to, że tranzystor JFET jest domyślnie w stanie ON, natomiast tranzystor typu MOSFET domyślnie pracuje w stanie OFF. Z tego wynika fakt, że aby zbadać charakterystykę przejściową tranzystora polowego typu JFET musieliśmy zadać ujemne napięcie. Otrzymane charakterystyki można uznać za poprawne i zgodne z oczekiwanymi wynikami.