Badanie tranzystorów polowych 3


POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA W KIELCACH

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI

Ćwiczenie

nr 3

Temat ćwiczenia :

Badanie tranzystorów polowych

Zespół :

Data wykonania ćwiczenia :

97

Data oddania sprawozdania :

Ocena :

1. Schematy układów pomiarowych :

2,2k

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
+

0x08 graphic
-

0x08 graphic
Zasilacz 1 Zasilacz 2

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

+ -

CEL ĆWICZENIA :

Celem ćwiczenia było wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego z kanałem typu n dla układu pracy wspólnego źródła .

2. TABELE POMIAROWE :

UDS=const

=4V =6V =8V

ID

UGS

UGS

UGS

mA

V

V

V

0,07

4,7

4,8

4,8

0,1

4,6

4,7

4,7

0,2

4,4

4,4

4,2

0,3

3,9

3,8

3,7

0,4

3,55

3,5

3,6

0,5

3,15

3,1

3,2

0,6

2,7

2,85

3

0,7

2,5

2,7

2,6

0,8

2,3

2,4

2,35

0,9

2

2

1,95

1

1,65

1,7

1,7

1,1

1,5

1,5

1,5

1,2

1,1

1,2

1,2

1,3

1,02

1,03

0,95

1,4

0,75

0,84

0,8

1,5

0,65

0,7

0,6

1,6

0,5

0,5

0,5

1,7

0,36

0,35

0,4

1,8

0,2

0,2

0,2

1,9

0,15

0,1

0,1

2

0

0,01

0,05

2,1

0

0

0

UGS=const

=1,5V =1V =0V

UDS

ID

ID

ID

V

mA

mA

mA

0,1

0,45

0,25

0,14

0,2

0,82

0,42

0,2

0,3

1,18

0,64

0,3

0,4

1,52

0,8

0,44

0,5

1,9

0,95

0,46

0,6

2,19

1,09

0,47

0,7

2,4

1,15

0,5

0,8

2,72

1,27

0,55

0,9

2,9

1,35

0,59

1

3,1

1,43

0,61

1,1

3,4

1,45

0,61

1,2

3,5

1,5

0,61

1,3

3,68

1,52

0,62

1,4

3,8

1,54

0,62

1,5

4

1,56

0,63

1,6

4,08

1,6

0,63

1,7

4,11

1,64

0,63

1,8

4,25

1,65

0,64

1,9

4,3

1,65

0,64

2

4,4

1,65

0,65

2,5

4,6

1,68

0,65

3

4,7

1,7

0,7

CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA UNIPOLARNEGO

a) drenowa (wyjściowa)

UGS = const

UDS

0x01 graphic

ID

b) bramkowa (przejściowa) UDS=const UGS

0x01 graphic

ID

WNIOSKI :

Z powyższych charakterystyk można wyznaczyć parametry :

gm (nachylenie) i rd (rezystancja drenu) określające właściwości tranzystora w wybranym punkcie pracy .

PRZYKŁADOWE OBLICZENIA :

przyrostowi napięcia w podanym punkcie pracy na charakterystyce przejściowej UGS odpowiada przyrost prądu D , oblicza się :

np.

0x08 graphic
gm = ID/UGS = 0,2/0,9=0,22 mA/V

UDS=6V

postępując podobnie w przypadku charakterystyki wyjściowej otrzymuje się :

0x08 graphic
rd= UDS /ID = 0,22/(0,2*1000)=1100 

UGS=1V

W ćwiczeniu wykreślaliśmy charakterystyki statyczne tranzystora polowego złączowego z kanałem typu n . Tranzystor jest elementem trój końcówkowym , dlatego uzależniając wybraną wielkość od innej wielkości należało pamiętać o zachowaniu stałej wartości trzeciego parametru . Zmieniając jego wartość a następnie utrzymując ją na stałym poziomie uzyskujemy w danym układzie współrzędnych tzw. rodzinę charakterystyk .

Do opisu właściwości tranzystora wystarczają dwie charakterystyki:

0x08 graphic
- przejściowa ID= ID(UGS)

UDS=const

0x08 graphic
- wyjściowa ID= ID(UDS)

UGS=const



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie tranzystorow polowych zlaczowych JFET cw5
Badanie tranzystorow polowych MOSFET cw6
Badanie tranzystorów polowych 4
Badanie tranzystorów polowych złączowych JFET
Badanie tranzystorów polowych 1
Badanie tranzystorów polowych 2
Badanie tranzystorów polowych 4 doc
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Tranzystor polowy
124 tranzystor polowy
wykres tranzystor polowy
Badanie tranzystora bipolarnego
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v2
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v4, Politechnika Lubelska
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających 3, Politechnika Lubelska
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Ćw.3 -Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających, SPR EL. 3 HJ
badanie tranzystora unipolarnego

więcej podobnych podstron