badanie tranzystora unipolarnego

TECHNIKUM ELEKTROTECH

POLICEALNE STU. ZAWODOWE

ZAS. SZKOŁA EL. ENERGETYCZNA

Kraków, ul. Kamieńskiego 49

PRACOWNIA

ELEKTRYCZNA

Rok szkolny

2011/2012

imię i nazwisko nr ucznia

Temat ćwiczenia:

Badanie Tranzystora unipolarnego

Nr ćwiczenia

Klasa III A

Grupa

Wykonano dnia O
C
E
N
A

Program Ćwiczenia :

  1. Połączyć układ do zdejmowania charakterystyk metodą „punkt po punkcie”

  2. Zmieniając napięcie drenu (UDS) i napięcie bramki (UGS) pomierzyć prądy drenu. Wyniki wpisać do tabeli.

  3. Połączyć układ do badania oscyloskopowego

  4. Generator napięcia schodowego (wejście napięciowe) ustawić na minimum napięcia, dołączyć sondę oscyloskopu. Włączyć generator i powoli zwiększać napięcie do uzyskania schodków o wysokości 0,2V.

  5. Narysować uzyskany przebieg napięcia schodkowego

  6. Nie zmieniając ustawień generatora włączyć sondę Y2 oscyloskopu, przełączyć oscyloskop w tryb XY i włączyć generator napięcia sinusoidalnego. Jego częstotliwość ustawić tak, aby na ekranie uzyskać wyraźne charakterystyki tranzystora (Ok. 300Hz)

  7. Narysować otrzymane na ekranie charakterystyki i nanieść odpowiadające im napięcia bramki na podstawie przebiegu napięcia schodkowego.

  8. Na podstawie wyników z tabeli narysować charakterystyki drenowe (ID=ƒ(UDS)

Rysunki:

Tabela wyników :

UDS [V] 0,1 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10
Ugs=+0,5V 0,50 1,01 2,43 4,01 5,50 6,46
Ugs =0V 0,62 1,25 2,81 4,88 7,49 0,64
Ugs =-0,5 0,53 1,06 2,33 3,88 5,67 6,46
Ugs =-1V 0,75 0,87 1,76 3,05 3,98 4,37
Ugs =-1,5V 0,26 0,64 1,27 2,05 2,47 2,70
Ugs =-2V 0,23 0,37 0,83 1,08 1,2 1,35
Ugs =-2,5V 0,17 0,15 0,23 0,27 0,30 0,33
Ugs =-3V 0,04 0,06 0,08 0,11 0,17 0,19

Zasady pomiaru i przebieg ćwiczenia

Wnioski i uwagi

Wykaz przyrządów

Lp Nazwa instrumentu System Zakres Rodzaj prądu Klasa dokład. Nr inwent. Uwagi

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Badanie tranzystorów unipolarnych typu, ˙wiczenie nr 10
Badanie tranzystora unipolarnego
Badanie tranzystora unipolarnego
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Badanie tranzystora unipolarnego
Badanie tranzystorow unipolarnych typu JFET i IGFET [ćw] 1999 01 12
Badanie tranzystorow unipolarnych typu JFET i IGFET [ćw] 1999 01 12
inne2, Badanie charakterystyk tranzystora unipolarnego, Klasa
Badanie tranzystorów bipolarnego i unipolarnego doc
Badanie tranzystora bipolarnego
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v2
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v4, Politechnika Lubelska
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających 3, Politechnika Lubelska
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Ćw.3 -Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających, SPR EL. 3 HJ
Badanie tranzystora, Tranzy~1o, Tranzystor bipolarny NPN

więcej podobnych podstron